元のバラックに抵抗と電解コンデンサを増設した結果、所望の特性が確認できました。Filamentの突入電流を考慮して、2Ω負荷で測定しています。
在庫の都合でR1は0.5Ω 5Wを使用。C1の両端電圧は6.36V, C2は5.37V, C6は4.009Vとなって、U1の入力電圧が1Vほど低下しました。その結果、heatsinkの温度上昇が20deg程度に低減され、このまま実装検討に入れそうです。RippleはC1: 328mV, C2: 105.8mV, C6: 8mV (いずれもrms)となり、R1とC2の効果が見えています。
実機ではR1を1Ωあたりにするのがよさそうです。
在庫の都合でR1は0.5Ω 5Wを使用。C1の両端電圧は6.36V, C2は5.37V, C6は4.009Vとなって、U1の入力電圧が1Vほど低下しました。その結果、heatsinkの温度上昇が20deg程度に低減され、このまま実装検討に入れそうです。RippleはC1: 328mV, C2: 105.8mV, C6: 8mV (いずれもrms)となり、R1とC2の効果が見えています。
実機ではR1を1Ωあたりにするのがよさそうです。
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