追加した回路の出力電圧を微調整して基板は完成。計画通り、電源トランス(下部の角穴)と背面につく部品との間に実装できることを確認しました。信号系の平ラグは完成しているので、高圧電源をどう組み上げるかが宿題になります。出力トランスの下がすっぽり空いているので、用地の確保は容易です。
出力管の目途もたち、LDOの入力電圧を5.5V以上にするために1Ωに4.7Ω 1/2Wを並列にしました。これで最終形と考え、基板の空き地に他channelの電源も組立てました。Diode bridgeが逆向きになるので、配線の引き回しが増えますが、特性への影響はないと踏んでいます。
猛烈にaccessしにくいところに無理やりaccessして残りの2本を発掘しました。当時は4kyen足らずで買えたものです。早速実験系に接続して点灯、2本とも4箇所赤くなるのを確認しました。Filament電流値も正常で、まずはこれらで先に進むことにします。
実験系はかなり大胆で、これまで使っていたdummy(8Ω抵抗を直・並列)の上に横たえて給電するというもの。
実験系はかなり大胆で、これまで使っていたdummy(8Ω抵抗を直・並列)の上に横たえて給電するというもの。
PX4のFilamentが2本並列になっている可能性が出てきました。Pinのところで2本が接続される構造で、片方が外れているかもしれないと都合のいい推測の末、はんだを吸い取ってみました。何十年も前のはんだは変質していて、電動の吸い取り機でも手に負えません。追いはんだを施し、脇から別のはんだ鏝で加熱することで、どうにか除去できました。そこにはleadが1本だけ...。
管内の異常なら打つ手なしですが、新しいはんだをつけてみるか、残りのpinも吸い取ってbaseを外してみるか思案しています。
管内の異常なら打つ手なしですが、新しいはんだをつけてみるか、残りのpinも吸い取ってbaseを外してみるか思案しています。
組み上げた基板に通電し、はんだづけ不良を一カ所発見。
手直し後、110Ωに6.8kΩを並列にして4Vピタリになりました。早速PX4の点灯式に。突入電流の問題もなく1本目は正常に点火。2本目は定格1Aのところに0.5Aしか流れません。Filamentの直流抵抗は、前者が1.3Ωに対して後者は1.9Ω。
確かに赤くなっているのは半分だけに見え、片肺飛行の予感がしています。
猛烈にaccessしにくいところに置いてある予備球の出番かも知れません。
手直し後、110Ωに6.8kΩを並列にして4Vピタリになりました。早速PX4の点灯式に。突入電流の問題もなく1本目は正常に点火。2本目は定格1Aのところに0.5Aしか流れません。Filamentの直流抵抗は、前者が1.3Ωに対して後者は1.9Ω。
確かに赤くなっているのは半分だけに見え、片肺飛行の予感がしています。
猛烈にaccessしにくいところに置いてある予備球の出番かも知れません。
追加の実験の末、回路を決定しました。SBDは整流出力電圧が高く出ますが、4Vとの差分を抵抗やICで熱にして捨てることになります。それなら必要十分な電圧が得られる回路の方が正しい選択肢になり、普通のSi diodesに決めました。
当初、Adjust端子につけていた電解コンデンサは、出力電圧が規定値に達する時定数が長すぎるため、取り外しました。Ripple reduction改善のためと、LM317では必ず実装していましたが、今回の測定値を見る限り外しても大丈夫そうです。
Heatsinkを基板に並べ、片側の配線を終えました。実際の球を負荷にして突入電流に耐えるかなどを確認してから次に進みます。
当初、Adjust端子につけていた電解コンデンサは、出力電圧が規定値に達する時定数が長すぎるため、取り外しました。Ripple reduction改善のためと、LM317では必ず実装していましたが、今回の測定値を見る限り外しても大丈夫そうです。
Heatsinkを基板に並べ、片側の配線を終えました。実際の球を負荷にして突入電流に耐えるかなどを確認してから次に進みます。
このところ、帰路の機材がB767になって、wide bodyだと喜んでいました。今回はもっと大きいのがHNDから到着。昨年のITM-HND以来の搭乗です。
帰宅後調べてみたら、このJA808Aという国際線用の機材は、昨日KCZ-HND-AXT-HND-KMJ-HND, 今朝からHND-OKA-HND-KIX-HND-PTG。南へ北へ、最後は本務の海外へと飛び回っていました。
道端で見かけた花壇です。遠くは黄砂でかすんでいました。
帰宅後調べてみたら、このJA808Aという国際線用の機材は、昨日KCZ-HND-AXT-HND-KMJ-HND, 今朝からHND-OKA-HND-KIX-HND-PTG。南へ北へ、最後は本務の海外へと飛び回っていました。
道端で見かけた花壇です。遠くは黄砂でかすんでいました。
元のバラックに抵抗と電解コンデンサを増設した結果、所望の特性が確認できました。Filamentの突入電流を考慮して、2Ω負荷で測定しています。
在庫の都合でR1は0.5Ω 5Wを使用。C1の両端電圧は6.36V, C2は5.37V, C6は4.009Vとなって、U1の入力電圧が1Vほど低下しました。その結果、heatsinkの温度上昇が20deg程度に低減され、このまま実装検討に入れそうです。RippleはC1: 328mV, C2: 105.8mV, C6: 8mV (いずれもrms)となり、R1とC2の効果が見えています。
実機ではR1を1Ωあたりにするのがよさそうです。
在庫の都合でR1は0.5Ω 5Wを使用。C1の両端電圧は6.36V, C2は5.37V, C6は4.009Vとなって、U1の入力電圧が1Vほど低下しました。その結果、heatsinkの温度上昇が20deg程度に低減され、このまま実装検討に入れそうです。RippleはC1: 328mV, C2: 105.8mV, C6: 8mV (いずれもrms)となり、R1とC2の効果が見えています。
実機ではR1を1Ωあたりにするのがよさそうです。
今日は別のbridge diode(USのparts屋で何十年か前に買ったもの)とSBD bridgeで実験。SBDで進めることに決めました。整流出力電圧が高いのと、rippleが少ないのが魅力。ICへの入力電圧を少し下げて発熱を減らすのと、rippleをあらかじめ減らしておくためにCRを追加しようと思います。
CRなしで測定していると、ICのheatsinkが室温+40degくらいになり、ICがちょっと気の毒です。おまけに、filamentはgroundから120V以上高い電位にあるため、シャーシに放熱の手伝いを期待するのも気が引けるところです。
CRなしで測定していると、ICのheatsinkが室温+40degくらいになり、ICがちょっと気の毒です。おまけに、filamentはgroundから120V以上高い電位にあるため、シャーシに放熱の手伝いを期待するのも気が引けるところです。
PX4のfilament電源には4V, 1Aが必要です。電源トランスの6.3V巻線をbridge整流し、LDO regulatorを介する計画ですが、heatsinkを選定しないと実装検討が進みません。
まずは普通のsilicon diodeで測定してみました。4Ωのdummy抵抗の両端が4Vになるように抵抗で設定。この状態の整流出力電圧は5.46Vで、LT1085の規格(最大1V drop)におさまっています。写真に見えているheatsinkは、この大きさですめばもうけものと考えている小ぶりのもので、どちらもかなり高温になりました。
今の構成でheatsinkを大きいのに交換して温度上昇の感覚をつかんだ後で、SBD整流を試して、最終回路を決定します。
まずは普通のsilicon diodeで測定してみました。4Ωのdummy抵抗の両端が4Vになるように抵抗で設定。この状態の整流出力電圧は5.46Vで、LT1085の規格(最大1V drop)におさまっています。写真に見えているheatsinkは、この大きさですめばもうけものと考えている小ぶりのもので、どちらもかなり高温になりました。
今の構成でheatsinkを大きいのに交換して温度上昇の感覚をつかんだ後で、SBD整流を試して、最終回路を決定します。