「６５ナノ」来年量産へ －ムーアの法則が試されるー

日経新聞（日刊）2004.08.31、シリコンバレー＝小柳建彦

半導体最大手の米インテルは３０日、線幅６５ナノ（ナノは１０億分の１）メートルの次世代半導体の商用量産を２００５年中に始めると発表した。実現すれば１年半ー２年ごとに半導体の集積度が２倍になるという「ムーアの法則」が維持できる。ただ、新たな微細技術の商用化には関門が増えており、業界内外には来年内の実現を疑問視する声もある。

▲ムーアの法則　インテル創業者の一人、ゴードン・ムーア氏が６５年、「半導体は
　　　　　　　　　　　チップ上のトランジスタ素子数が１年半ー２年で倍増している。
　　　　　　　　　　　この傾向は今後も続く」と予言したのが始まり。その後現実の
　　　　　　　　　　　半導体産業で常に維持されてきた。

同社は６５ナノ技術を使い記憶容量７０メガビットのSRAM（記憶保持動作が不要な随時書き込み読み出しメモリー）チップの量産試作に成功した。５億個以上のトランジスタ素子から成る。

SRAMは、コンピューターの”頭脳”の役割を果たすMPU（超小型演算処理装置）の主要な構成要素。新世代の微細加工技術で一定以上の大きさのSRAMの量産ができれば、同社の主力製品であるMPUの新世代品の量産に道が開ける。

今後１年強かけて商用規模の量産ラインを設置する。現在最新鋭の９０ナノ技術の商用量産に成功したのは２００３年末で、ちょうど２年後に次世代製品の商用量産を始められる計算だ。

ただ、新技術を量産でうまく盛り込めるようにするには、未知の生産ノウハウの確立が必要。インテルは昨年秋以来、９０ナノ技術を使った新型MPUの発売時期の遅れや供給不足などのトラブルを相次いで起こしている。業界内や市場には「ムーアの法則の維持は困難になりつつある」（アメリカズ・グローズ・キャピタルの投資責任者、ドルー・ペック氏）とする声も出ている。