理化学研究所（理研）創発物性科学研究センター強相関量子伝導研究チームの茂木将孝客員研究員、十倉好紀チームリーダー（東京大学卓越教授／東京大学国際高等研究所東京カレッジ）、吉見龍太郎研究員、強相関界面研究グループの川﨑雅司グループディレクター（東京大学大学院工学系研究科教授）、創発光物性研究チームの小川直毅チームリーダー、東京大学大学院工学系研究科の藤村怜香（修士課程 2 年）、東北大学金属材料研究所の塚﨑敦教授らの共同研究グループは、トポロジカル絶縁体と強磁性絶縁体の積層構造において、電流を流すことにより磁化方向が反転することを実証した。
同本研究成果は、二つの異なるトポロジーを持つ絶縁体界面に流れるトポロジカル電流が、強磁性絶縁体層の磁化に対して高効率にトルク（回転力）を与えることを示しており、低消費電力スピントロニクス素子への応用が期待できる。
今回、共同研究グループは、独自に開発したトポロジカル絶縁体「(Bi1-xSbx)2Te3（Bi：ビスマス、Sb：アンチモン、Te：テルル）」と強磁性絶縁体「Cr2Ge2Te6（Cr：クロム、Ge：ゲルマニウム）」の薄膜積層界面において、強い磁気近接効果が生じることに着目した。
薄膜面内に電流を流したところ、界面に生じたスピン蓄積が強磁性絶縁体の磁化にトルクを与え、磁化方向が上下に反転することが分かった。
さらに、トポロジカル絶縁体層の組成調整によって、トポロジカル絶縁体と強磁性絶縁体の界面におけるトポロジカル電流が高効率な磁化反転の起源として支配的であることが明らかになった。（理化学研究所＜理研＞）
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