プリ単体でＦ特を測ったら結構よかった。
なんで低域が出ないんだろう？
パワーを繋いだＦ特を測ってみた。
上グラフ赤線だ。良くないな。青線はこのプリを組んだ頃のもので、今のとあまり変わらない。
これをもう少し良くしたい。
ここからは１ｋＨｚから下のＦ特のみ測定した。
上グラフの低域の一番いい緑線はパワー単体の物。
低域が下から二番目の青線は現状：初段グリッド抵抗Ｒｇは８．２ｋΩ、プリの終端抵抗は１．２ｋ。
プリの真空管５６８７の負荷を下げてみる。Ｒｇを１０ｋ、終端抵抗を１ｋとした。低域はさらに悪くなった。
赤線は初心に戻って終端抵抗を外して見た。少し良くなったがそれでも低域端で－６ｄＢ。
もう少し何とかならんか。
これでプリの出力管の負荷を重くしようと思った。Ｒｇ５．３ｋ。
これだと先のＲｇ１０ｋ（赤線）とほぼ一緒になった。
以下グラフは無いが、ＯＰＴに電流を大量に流すから直流磁化してるからだとＦＥＴを一個外して１２ｍＡから８ｍＡにしたら低域が悪くなった。
ＯＰＴの二次側を２０ｋから１０ｋにしてみたがこれもダメ。
そしてＲｇを１２ｋに上げてみたがこれももっとダメ。
結局今回の変更はみな失敗。
さて。
２０２４０４０８
