今回パワーアンプの動作点を変えて低音が出てきたと思う。
そこでロードラインを引いて確認してみる。
負荷は２．５ｋとし、Ｉｐは６６ｍＡ、Ｅｐは３８０Ｖとした。
ふーん。
ってバイアス電圧が２０Ｖは低すぎ。実測２７Ｖだった。
うちで測るといつもこうだ。
まあ、真空管がヘタってるのかもしれないし。
ではＥｋを２７Ｖ，Ｅｐを３８０Ｖとした場合、Ｉｐはどのくらい流れるか？
グラフより
をい。
１３０ｍＡも流れてんじゃん。
プレート損失もぶっちぎりで超えてるし。
まあこれらは真空管に厳しいか？が判るが周波数特性は？わからんし。
以前見た記憶が有る。たしか６ＣＡ７のカソード抵抗Ｒｋが２５０Ω。多分二本共通だったと思う。ネットとかに公表する際各々の真空管にそれぞれＲｋを分ける、ってのはあまり見たことは無い。
それからカソード接地。固定バイアス式はＲｋ＝０Ωだからインピーダンスが下がるのか？
もしかして、固定バイアスってそんなメリットが有るのか？？
まあ固定バイアスなんてやるつもりはないけど。
プレート損失が超えなければＲｋは小さくても良いのではないか？（自信は無い）
この辺が今回の成功例
だったのではないか、と。
２０２３１００４
http://www.op316.com/tubes/tips/b180.htm
ムラードのEL34三結PPデータを見ると、RL＝5kΩPP、Ep＝400V、Ip=70mA、Rk＝440Ω、Ek＝31V（Eg＝-31V）で動作させているようです。
三結時のP損失は30Wあるようですが、上記の例では28WにもなるのでEp＝370V程度に下げたほうが良さそうです。
また、EL34のRkを共通化して1/2の値にしているようですが、これはお勧めできません。
片方の球が劣化したり故障してIpが減少したら、バイアス電圧が下がるのでもう片方のIpが多く流れるようになって一緒にお亡くなりになってしまうのでRkは各球毎に分けておくべきです。
なお、Rkによる電圧の降下ですが、DC的には発生したバイアス分の電圧がEb(電源電圧)から差引かれることになり電源利用効率が悪くなります。
AC的にはカソードパスコンによりバイパスされて０Ωになるので、Rkの影響は受けません。
EL34の内部抵抗を下げようとしてIpを操作されているようですが、これもDC的には内部抵抗は電流に反比例して変化しますが、AC的にはほとんど変わらないハズです、
出力管のAC的な内部抵抗はEp-Ip曲線の傾きで決まるので、極端にIpが少ないところを動作点にしていなければ曲線の傾きはほとんど変わらないと思います。
出力管の動作点を変えて低音の音量が変わる原因ですが、出力トランスのPP電流バランスの影響が大きいと思いますが、出力管そのものの最適動作点もありそうです。
偽物、他のサイトでも見ました。
プレート損失は２５Ｗ上限と認識してました。ただ、グリッド損失なる物もあるらしく、それが超えてしまうので電圧はあまり上げなくなりました。
現在はＥｐ３７３Ｖ、Ｅｋ２７Ｖ、Ｉｐ６６ｍＡ位でやってます。
Ｒｋは真空管一本につき一個でやってます。だいぶ前にそのようなアドバイスを受けたことが有りました。
ただ疑問なのはネットで出ている回路はほぼ共通の一本なんですよね。
そうなんですよね。内部抵抗を下げてダンピングファクターを上げようとしたのですが、これでは低域がでなくなる方向のようです。
低域が出たように聞こえたのですがF特は変わりなし。幻だったのか？なんて今は思ってます。
いつもありがとうございます。