ラインアンプの低域を伸ばす方法（１０）ライントランスを単体で測定してみる （ｉｍｐｏｒｔａｎｃｅ）

前回三台のトランスのＦ特を比較したときに、Ｆ特測定法の回路図がアイエスオーの物に載っていたのを見て思い出した。

それを使ってＴＳＭのトランスを測定してみた。このトランスは５ｋΩ：６００Ωという事でヤフオクで購入。前からＦ特の測定をやってみたいと思ってたが、やり方が分からなかった。

 

※今回は１ｋΩより下の低域のみ測定した。

 

 

①トランス一次側巻線と発振器の間の抵抗器はｒｐ＝Ｚｐ／２なので、手持ちの関係から２．４ｋΩとし、二次側は６００Ωとした。

Ｆ特は、下グラフ赤い線。

Ｆ特は良くない。出力インピーダンスを測定しみたら、７５０Ωとなった。

Ｆ特を良くするにはどうするか。この抵抗を替えてみよう。

 

 

②半分の１．１ｋΩにしたら、出力インピーダンスは３６０Ω。

Ｆ特は下グラフ青い線。一番良いが、それでも低域端で－３ｄＢを切る。

 

③試しに①の２倍の５ｋΩでやったら、さらに悪くなった。上グラフ緑線。出力インピーダンスは１４５２Ωと高くなった。

 

以上から、真空管の内部インピーダンスが低ければ低域が伸びる。しかし出力インピーダンスも下がってしまう。ＮＦＢ量を増やすと低域が改善されていくことから、ＮＦＢを掛けることは回路のインピーダンスを下げる、ということは真空管の内部抵抗を下げるのと同じことになるのだろう。

 

 

 

電力伝送は６００Ωでの受け渡しが一番効率が良いという。ならば二次側インピーダンスＺｓが６００Ωとなる一次側の抵抗Ｚｐはいくらなのか？この抵抗を探るために１００ｋΩの可変抵抗を取り付け、探ってみた。

 

結果はほぼ２ｋΩ。

グラフにこの時の曲線を追加してみた。

上グラフの低域側、真ん中辺り青緑線（赤線のすぐ隣）だが、２．４ｋΩに近い。

 

 

 

Ⅰ．ｒｐとＲＬ（Ｚｐ）が同じ時に効率が一番良い、と言われている。

ならば一次側負荷インピーダンスＺｐの最適値は２ｋΩと考えるか？

効率がいいというだけで、トランスのインピーダンス変換は設計通りの一次側を考えると、Ｚｐを５ｋΩとして、

ｒｐ２ｋΩ：Ｚｐ２．５ｋΩ（ＰＰなので半分）＝Ｚｓ６００Ω、ということか？ｒｐ＝Ｚｐとならないのだが。

この辺はイマイチしっくりこない。

取り敢えず最適インピーダンスが２ｋΩというのは分かった。

トランスの規格５ｋΩ：６００Ωというのも、「こんな感じ」と思えるようになった。

 

Ⅱ．トランスのインピーダンスと周波数の関係については、ｒｐが低いほど周波数特性（低域）は伸びる方向に行く。しかしＺｓが下がってしまうのでここで６００Ωと規定すると一次側ｒｐが２ｋΩとなり、その時のＦ特が上グラフ青緑線（低域側真ん中辺、二本近くなっているものの片方）。

これが定格の周波数特性という事だとしたら、あまり良くないな。

周波数特性を良くしようとｒｐを下げるとＺｓも下がってしまう。上手くいかないな。というかｒｐを２ｋΩで使った時のＦ特がこれ、と決まってしまう。定格ってこういう事？

 

前回ＮＰ-１２６、ＨＬ-２０ｋ-６、ＦＭ-１０ｋ-６００のＦ特を重ねたグラフにＴＳＭを追加してみた。

一番下の黄緑色の線。ありゃりゃ。

 

 

いやあ、トランスが少しずつ分かってきた。

っと言っても、使い方を探ってるだけで、歪とかヒステリシスなんちゃら・・・ネガティブな部分は全く分かんないんだな。

道のりは長い。

 

２０２００５１５