＜新刊情報＞
書名：宇宙の「果て」になにがあるのか～最新天文学が描く、時間と空間の終わり～
著者：戸谷友則
発行：講談社（ブルーバックス）
ここ数十年で急速に発展した天文観測技術は、太古の昔から人類が追い求めてきたこの問いに対して、一定の答えを与えられるようになった。「相対論」と「量子論」を基にした現代宇宙論は、宇宙の果てにどこまで迫れるのか？最新の観測から見えてきた我々の住む宇宙の姿と、残された大きな謎を最先端の研究者が解説。
産業技術総合研究所（産総研）は、富士電機、住友電気工業、トヨタ自動車、東芝、三菱電機との共同研究で、炭化ケイ素（SiC）半導体を用いた1.2 kV耐電圧（耐圧）クラスの縦型スーパージャンクション（SJ）MOSFETを開発し、SiCトランジスタの世界最小オン抵抗を達成した。
また、開発したSJ-MOSFETは、実使用上重要な高温特性や動特性に優れていることを実証した。
n型ピラーとp型ピラーの繰り返しからなるSJ構造はシリコン（Si）トランジスタでは、オン抵抗の低減効果が実証されているが、SiCトランジスタへの適用はSJ構造の作製が困難なため進んでいなかった。
今回、産総研独自のSiCトランジスタの作製技術を応用として、SJ構造を狭いピッチで制御良く形成することができた。これによりピッチが狭くオン抵抗が低いSJ構造のトレンチゲート型MOSFETが実現でき、1.2 kV耐圧クラスのSiC-MOSFETのオン抵抗を大幅に低減できた。
SiCの適用が期待される電気自動車の電力システムの一層の小型化・高効率化や、新たな電力システムの創出への貢献が期待される。
今後は、企業への技術移転を念頭に、企業連携をさらに強化し、SJ構造の設計と製造プロセスの高度化を進め、信頼性や耐量など実使用を想定してデバイス特性の向上を図る。
＜新刊情報＞
書名：接着工学
著者：鈴木靖昭
発行：丸善出版
被着材の種類、接合部の構造、負荷応力・環境などの使用条件に対し、適切な接着剤および接着部構造を選び、表面処理を施すこと、施工方法の選定、ならびに接合部の信頼性解析および種々の寿命評価のための加速試験など、接合部の信頼性および耐久性を上げるために必要なことを理論的に解説。 また、金属、CFRP、セラミックス、および樹脂など多くの異種材料の接着・接合技術、接合法についても表面処理法および接合方法により分類して紹介。
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