上皮細胞の培養方法及び上皮細胞の三次元構造体の作製方法

出願番号 : 特許出願２００３－４１３１７７ 出願日 : ２００３年１２月１１日
公開番号 : 特許公開２００５－１６８３９８ 公開日 : ２００５年６月３０日
出願人 : 田谷 正仁 外１名 発明者 : 紀ノ岡 正博 外１名
発明の名称 : 上皮細胞の培養方法及び上皮細胞の三次元構造体の作製方法

【課題】細胞寿命の延長が可能な上皮細胞の培養方法を提供する。
【解決手段】酸素濃度が１．０％未満のガス雰囲気下で上皮細胞を培養する培養工程を備えるようにする。こうすることで、上皮細胞の細胞寿命を、酸素濃度が１９％以上２１％以下のガス雰囲気を培養ガス雰囲気とする以外は前記培養工程と同じ条件で前記上皮細胞を培養した場合の細胞寿命よりも延長することができる。明細書　>>かんたん特許検索PDF