出願番号 : 特許出願2003-413177 出願日 : 2003年12月11日
公開番号 : 特許公開2005-168398 公開日 : 2005年6月30日
出願人 : 田谷 正仁 外1名 発明者 : 紀ノ岡 正博 外1名
発明の名称 : 上皮細胞の培養方法及び上皮細胞の三次元構造体の作製方法
【課題】細胞寿命の延長が可能な上皮細胞の培養方法を提供する。
【解決手段】酸素濃度が1.0%未満のガス雰囲気下で上皮細胞を培養する培養工程を備えるようにする。こうすることで、上皮細胞の細胞寿命を、酸素濃度が19%以上21%以下のガス雰囲気を培養ガス雰囲気とする以外は前記培養工程と同じ条件で前記上皮細胞を培養した場合の細胞寿命よりも延長することができる。明細書 >>かんたん特許検索PDF
公開番号 : 特許公開2005-168398 公開日 : 2005年6月30日
出願人 : 田谷 正仁 外1名 発明者 : 紀ノ岡 正博 外1名
発明の名称 : 上皮細胞の培養方法及び上皮細胞の三次元構造体の作製方法
【課題】細胞寿命の延長が可能な上皮細胞の培養方法を提供する。
【解決手段】酸素濃度が1.0%未満のガス雰囲気下で上皮細胞を培養する培養工程を備えるようにする。こうすることで、上皮細胞の細胞寿命を、酸素濃度が19%以上21%以下のガス雰囲気を培養ガス雰囲気とする以外は前記培養工程と同じ条件で前記上皮細胞を培養した場合の細胞寿命よりも延長することができる。明細書 >>かんたん特許検索PDF