半導体センシングデバイス

出願番号 特願2017-091787 出願日　平成29年5月2日(2017.5.2)
公開番号 特開2018-189484 公開日　平成30年11月29日(2018.11.29)

発明者

逢坂 哲彌

秀島 翔

黒岩 繁樹

出願人　学校法人早稲田大学


従来技術、競合技術の概要 電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）は、生体分子の検出に非常に有望なツールである。ＦＥＴを用いると、生体分子の吸着に伴うゲート表面の電荷密度変化を電気信号として直接検出するため、ラベルフリー検出が可能であり、低コストで迅速な生体分子の検出が可能である。それゆえ、ＦＥＴを用いた生体分子の検出に関する研究が広く行われている。

従来のＦＥＴバイオセンサーは、安定性を向上させるために、ＳｉＯ2等の絶縁膜をＳｉＮ膜、高誘電率膜、有機単分子膜等の保護膜で被覆する（特許文献１）。しかしながら、水や金属イオンの影響を防ぐことが十分でないこともあり、安定性向上に限度があった。

https://jstore.jst.go.jp/nationalPatentDetail.html?pat_id=37027