232度の低温で光素子を基板に接合できる鉛フリー薄膜はんだ技術開発
東京--日立製作所(日立)は、光通信機器や光ディスクドライブに用いられる光素子を、従来より40℃以上低い232℃の低温で基板に接合することで、
製造時における歩留まりの低下の抑制と、はんだ表面の酸化防止を実現した鉛フリー薄膜はんだ技術を開発した。
開発した薄膜はんだは、融点の低い錫(スズ、Sn)薄膜を母体とし、Snの拡散を防ぎ酸化の防止に貢献する銀(Ag)薄膜を加え、
酸化を抑制する金 (Au)薄膜で挟み込むSn/Ag/Auの三層構造とすることで232℃の低温による接合とはんだ表面の酸化防止を両立させたものである。
これにより、従来光素子と基板を接合する際に用いられていたAu-Sn合金の薄膜はんだ(融点278℃)と比べ、40℃以上低い温度での接合が可能になり、
熱による歪みが30%低減できることから、製造時の歩留まりを低下させる原因となる光素子の特性の変化を抑えることができる。
加えて、薄膜はんだの表面に酸化膜が形成されないため、光素子の性能を劣化させるフラックス処理が不要で、
これまで以上に信頼性が高く環境負荷の少ない光素子の基板への実装作業を実現する。
この技術は、日立協和エンジニアリング(日立協和)と共同で開発した。
詳しい情報は以下より。
Laser Focus World Japan
光技術や光産業での情報交流フォーラム
エイトラムダフォーラムのご案内
http://www.e-lambdanet.com/8wdm/
東京--日立製作所(日立)は、光通信機器や光ディスクドライブに用いられる光素子を、従来より40℃以上低い232℃の低温で基板に接合することで、
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開発した薄膜はんだは、融点の低い錫(スズ、Sn)薄膜を母体とし、Snの拡散を防ぎ酸化の防止に貢献する銀(Ag)薄膜を加え、
酸化を抑制する金 (Au)薄膜で挟み込むSn/Ag/Auの三層構造とすることで232℃の低温による接合とはんだ表面の酸化防止を両立させたものである。
これにより、従来光素子と基板を接合する際に用いられていたAu-Sn合金の薄膜はんだ(融点278℃)と比べ、40℃以上低い温度での接合が可能になり、
熱による歪みが30%低減できることから、製造時の歩留まりを低下させる原因となる光素子の特性の変化を抑えることができる。
加えて、薄膜はんだの表面に酸化膜が形成されないため、光素子の性能を劣化させるフラックス処理が不要で、
これまで以上に信頼性が高く環境負荷の少ない光素子の基板への実装作業を実現する。
この技術は、日立協和エンジニアリング(日立協和)と共同で開発した。
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