EMCORE､5G向けモデル1999 6GHz帯域同軸レーザモジュール

EMCORE Corporationは､次世代ワイヤレスファイバオプティックリンクアプリケーション向けにModel 1999同軸DFBレーザモジュールを発表した｡
　1999レーザモジュールは､6GHzを超える広帯域を特徴としており､5G､DAS､Lバンドおよびワイヤレス遠隔リンクアプリケーション向けに設計されている｡
EMCOREの新しい1999レーザモジュールは､ウルトラリニア､同軸DFBレーザモジュールで､5Gワイヤレス光リンクに最適化された1270-1550nmで動作する｡その設計は､一貫した高信頼ワイヤレス信号配信5Gネットワークの増加するデータ要求を満たすために帯域と信号インテグリティを強化するものとなっている｡
　10dBmまでの光出力を特徴としている1999レーザは､強化された温度範囲-40 °C to +75℃で優れた光性能を提供｡消費電力は極めて低い｡1999は､高安定には外部TECで冷却できる｡あるいは､TECなしで､さらに消費電力を下げることも可能｡製品は､モニターPDとアイソレータとともにコンパクト気密封止アセンブリされている｡これは､多様な送信機構成に柔軟に組み込めるようにするためである｡

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世界初、毎秒1ペタビットスイッチング実験に成功

マルチコア光ファイバネットワークの毎秒1ペタビットスイッチング実験に世界で初めて成功
光ノードなどの最新技術を集結し、現在の運用に即したペタビット級光基幹ネットワークを試作
現在の100倍以上の通信容量を持つ、将来の光基幹ネットワークの実用化に大きく前進
国立研究開発法人情報通信研究機構（NICT、理事長: 徳田 英幸）ネットワークシステム研究所は、次世代光ファイバと大規模光ノードの実験ネットワークで、世界で初めて、毎秒1ペタビットの光パスのスイッチング実験に成功しました。このビットレートは、8K放送の1,000万チャンネル分に相当するものです。

今回、低損失なMEMSスイッチ素子を利用した大規模光ノードを開発し、これまで開発した3種の次世代光ファイバと接続して、ペタビット級の実験ネットワークを試作しました。現在のネットワークの運用方法に即した4つのスイッチング実験を行い、全てのパターンでスイッチングに成功しました。

今回の実験成功により、次世代光ファイバと大規模光ノードで現在の100倍以上の通信容量を持つペタビット級の光基幹ネットワークが可能となることを示し、実用化に大きく前進しました。

本実験結果の論文は、第45回欧州光通信国際会議（ECOC2019）にて非常に高い評価を得て、最優秀ホットトピック論文（Post Deadline Paper）として採択されました。

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光I／Oコアを支える大学発テクノロジー「光ピン」 NEDOとPETRA、世界初、最小規格のオンボード光モジュールで400Gbps伝送を実現

大学発テクノロジーの製品化
　光I／Oコア実現において大きな役割を果たした光ピン。もともとは、東海大教授の三上修氏が（内田禎二氏とともに）2001年、ファイバの先端を45度ミラーに加工した方式の光ピンを発表（口頭発表は1999年とのこと）、2005年には紫外線硬化樹脂を用いたマスク転写法による光ピンを発表している。
　その後、PETRAがこの技術に注目、三上氏の技術指導を受け研究開発を進め、PETRAより分離・新設されたアイオーコア（株）が今春、光I／Oコアの製品化に結び付け、2020年春には本格的な量産が予定されている（同社は電子情報技術産業協会〈JEITA〉の第４回JEITAベンチャー賞を受賞した）。
　光ピンは長い年月を経て、光I／Oコアにおけるキーテクノロジーとして花開いた。大学の研究が製品化される事例はあまり多くないとも言われるが、東大特任教授の荒川泰彦氏が（榊裕之氏とともに）1982年に提案した量子ドットレーザとともに、光ピンはその貴重な成功例として実世界に飛び立っていった。

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SiPhベース400Gトランシーバ向け30-40mW CWレーザ

NeoPhotonics Corporationは､同社の非気密30-40mW DFBレーザ光源の一般販売を発表した｡同光源は､シリコンフォトニクス用で､CWDM4 FR4あたり100Gbps､1310nm DR1およびDR4トランシーバ向け｡これらのレーザは､完全スポットサイズコンバータ(SSC)付またはなしで提供される｡

ネオフォトニクスの低損失SSC技術は,シリコンフォトニクス導波路へのInPレーザのダイレクトアタッチを可能にし､製造拡張性を促進しコストを削減する｡これら効率的､高出力DFBレーザは,最高75℃で動作し､Telcordia GR-468-COREに準拠しているので､400G QSFP-DDなど非気密シリコンフォトニクスベーススモールフォームファクタプラガブルモジュールでの利用に最適である｡
高速SiPho変調器チップは､高”Vpi”であるので､一般に大きな電圧振幅の駆動アンプを必要としているが､これもネオフォトニクスから供給される｡ネオフォトニクスGaAsベースクワッド駆動チップは､単一のコンパクト､低消費電力チップに4個の個別ドライバを統合しており､QSFPやQSFP-DDなどコンパクトなプラガブルモジュールをサポートする設計になっている｡

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