III-V Lasers Grown on Silicon Wafers Could Advance Silicon Photonics

　ホンコン科学技術大学は、工業標準の220nm-SOI基板上にバッファ層なしで1.5μｍIII-V半導体レーザを製作するのに成功した。
これは、シリコンフォトニクスの光源として有用である。

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