混合割合

US2022185994
Also suitable are polyamides obtainable by copolymerization of two or more of the abovementioned monomers or mixtures of a plurality of polyamides in any desired mixing ratio.
【００２９】
  同様に適切なものは２種以上の上述したモノマーの共重合によって得れるポリアミド、又は複数種のポリアミドの任意所望の混合割合での混合物である。

US2019256415
[0000]

TABLE 1

Mixture proportions for Example 1 (in kg) 実施例１の混合物の割合

Ex-1-	Ex-1-	Ex-1-	Ex-1-
Mix-	Mix-2	Mix-3	Mix-4

Solidia Cement ™	11.49	15.53	15.51	15.51
VCAS	0.93	0	0	0
OPC (Type I/II)	3.10	0	0	1.72
Fine limestone powder	0	0	1.72	0
Construction sand	34.07	34.07	33.56	33.56
¼″ aggregates	21.76	21.76	21.64	21.64
⅜″ aggregates	18.11	18.11	18.02	18.02
Total of Solids	89.46	89.47	90.45	90.45
Water reducer	0.114	0.114	.126	.126
Air entraining agent	0.021	0.021	0.078	0.078
Set retarder	0.064	0.064	.120	.120
Calcium nitrate	0.310	0.310	0	0
Tap water	5.110	5.11	4.30	4.30
Total of liquids	5.62	5.62	4.625	4.625

 

[0182] Concrete cylindrical specimens (18) were cast with Solidia Concrete™ which was mixed in a pan mixer following the standard mixing procedure as per mixture proportions described earlier.
【０１４３】
   コンクリート円筒形試験片（１８）を、標準的な混合手順に従い、前述の混合割合通りにパン型ミキサーで混合したＳｏｌｉｄｉａ  Ｃｏｎｃｒｅｔｅ（商標）で打設した。

The cylindrical concrete specimens (4″dia.×8″ height) were put in an environmental chamber for 4 hours with mold at 70° C. and 50% relative humidity.
コンクリート円筒形試験片（直径４”×高さ８”）を、環境チャンバ内に、型枠と一緒に７０℃、相対湿度５０％で４時間放置した。

The specimens were demolded and put in CO2 curing chamber with more than 95% CO2 concentration at ambient pressure and 70° C. for carbonation curing for 20 hours on day 1.
試験片を脱型し、ＣＯ_２濃度が９５％を超えるＣＯ_２養生チャンバに大気圧および７０℃で入れ、１日目に２０時間の中性化養生を行った。

US2019233982
[0049] Table 1 sets forth exemplary length and dpf blends according to the invention.
【００３９】
  表１に、本発明による混合物の例示的な長さ及びｄｐｆの混合割合を記載する。

[0000]

TABLE 1

(FIG. 1)

Fiber Length	% of fibers	% of fibers (US Pima)
0.75″	10	15
1.00″	20	20
1.25″	30	25
1.5″	40	40
Avg	1.25
for 30′s	For 40′s
Dpf	SIRO 100%	CPRS 60/40
1	20	30
1.2	60	60
1.5	20	10
Avg	1.22	1.17

US2020223138
[0066] Continuing the above example, the used build material may also be mixed with fresh build material for subsequent printing processes.
【００４３】
  上記の例を続けると、使用済み構築材料は、後続の印刷プロセスのために新鮮な構築材料と混合されることもできる。

In the example of FIG. 5, the first container 505 may comprise fresh build material that is mixed with used build material present within the second container 510 .
図５の例において、第１の容器５０５は、第２の容器５１０内に存在する使用済み構築材料と混合される新鮮な構築材料を含むことができる。

The mixing proportion may be variable, for example based on powder properties.
混合割合は、例えば粉末の特性に基づいて可変であることができる。

Mixing may be performed externally or internally, with reference to the containers.
混合は、容器を基準として、外部的または内部的に実行され得る。

US2019102445
[0126] In accordance with an embodiment, such a data structure representing a BOM
【０１１２】
  ある実施形態に従って、ＢＯＭを表すこのようなデータ構造は、

can allow for conversion of demand（＊無冠詞）for cars, 1050 and 1051 , into first demand（＊無冠詞）for options (e.g., assemblies)
自動車に対する需要１０５０および１０５１をオプション（たとえば、組立品）に対する第１の需要に変換し、

and then convert the demand 1040 for options into demand for parts (e.g., components or subassemblies).
次いでこれらのオプションに対する需要１０４０をパーツ（たとえば、部品または部分組立品）に対する需要に変換することを可能にすることができる。

A demand（＊不定冠詞）for cars can be converted to the demand for options using option-mix percentage i.e., the percentage of people selecting an option for a car.
自動車に対する需要は、オプション混合割合、すなわち自動車のオプションを選択する人々の割合を使用して、オプションに対する需要に変換可能である。

US11193206
Example 7Dependence of the Formulation Melting Point on Organoaminosilane Concentration
【０１４８】
例７．有機アミノシラン濃度に対する配合物融点の依存性

[0244] Several formulations were generated by mixing varying proportions of tetrakis(dimethylamino)silane (TDMAS) with tetrakis(dimethylamino)hafnium (TDMAH).
テトラキス（ジメチルアミノ）シラン（ＴＤＭＡＳ）とテトラキス（ジメチルアミノ）ハフニウム（ＴＤＭＡＨ）の混合割合を変更することにより、幾つかの配合物を作った。

US2018073805
[0038] FIG. 2 shows an air distribution system 100 of the dryer 10 having a hot air blower 102 , a fresh air blower 104 , a hot air conduit 106 , a hot air valve 107 , a fresh air conduit 108 and a fresh air valve 110 .
【００３６】
  図２に、熱風送風機１０２と、外気送風機１０４と、熱風導管１０６と、熱風弁１０７と、外気導管１０８と、外気弁１１０とを有する乾燥機１０の空気分配システム１００を示す。

Hot air is supplied under pressure to the first zone 62 and a mixture of hot air and fresh air is supplied to the second zone 64 .
熱風が加圧下で第１の区画６２に供給され、熱風と外気との混合気が第２の区画６４に供給される。

The mixing percentages of the hot air and fresh air can be controlled through the fresh air valve 110 which is connected to the controller 24 . 
熱風と外気との混合割合は、コントローラ２４に接続された外気弁１１０で制御可能である。

US2019161418
Example 5. Herbicide Activity in Micronutrients

【実施例５】

【００９８】
微量栄養素中の除草剤活性

Various herbicides and micronutrient fertilizers were tested for compatibility along with the Zn/Mn-LAS product from Example 3.
多様な除草剤及び微量栄養素肥料が、実施例３からのＺｎ／Ｍｎ－ＬＡＳ生成物とともに適合性について試験された。

Fertilizers were added to 342 ppm (WHO) water at room temperature at recommended mix rates and herbicides were mixed in at their own recommended rates.
肥料は室温にて推奨混合割合で３４２ｐｐｍ（ＷＨＯ）水に添加され、除草剤はそれら自身の推奨割合で混合された。

The samples were stored at room temperature for 24 hours and then examined for any modes of failure (Possible failure modes include crystallization, flocculation, phase separation, etc.)
サンプルを室温で２４時間保存し、その後いずれかの欠陥様式（ｍｏｄｅｓ  ｏｆ  ｆａｉｌｕｒｅ）（可能な欠陥様式は結晶化、凝集、相分離などを含む）について検査した。

The compatibility results are below in Table 1:
適合性の結果を下に表１に示す：

US10767501
[0026] The material of the article 201 may be the same, substantially the same, or different from the material of the component 100 .
【００２０】
  物品２０１の材料は、構成要素１００の材料と同じでもよく、実質的に同じでもよく、または異なってもよい。

In one embodiment, the material of the article 201 includes a pre-sintered preform (PSP).
一実施形態では、物品２０１の材料は、予備焼結されたプリフォーム（ＰＳＰ）を含む。

In another embodiment, the PSP contains at least two materials with various mixing percentages.
別の実施形態では、ＰＳＰは、種々の混合割合を有する少なくとも２つの材料を含む。

A first material includes, for example, any of the materials suitable for the hot-gas path of a turbine system disclosed herein.
第１の材料は、例えば、本明細書に開示するタービンシステムの高温ガス経路に適した材料のうちのいずれかを含む。

A second material includes, for example,
第２の材料は、例えば、

a braze alloy, such as, but not limited to, a nickel braze alloy material having a composition, by weight, of
非限定的に、重量ベースで、

between about 13% and about 15% Cr, between about 9% and about 11% Co, between about 2.25% and about 2.75% Ta,
約１３％～約１５％のＣｒ、約９％～約１１％のＣｏ、約２．２５％～約２．７５％のＴａ、

between about 3.25% and about 3.75% Al, between about 2.5% and about 3% B,
約３．２５％～約３．７５％のＡｌ、約２．５％～約３％のＢ、

up to about 0.1% Y (for example, between about 0.02% and about 0.1% Y), and a balance of Ni;
最大約０．１％のＹ（例えば、約０．０２％～約０．１％のＹ）および残余のＮｉから成る組成物、

or between about 18.5% and about 19.5% Cr, between about 9.5% and about 10.5% Si,
または約１８．５％～約１９．５％のＣｒ、約９．５％～約１０．５％のＳｉ、

about 0.1% Co, about 0.03% B, about 0.06% C, and a balance of Ni.
約０．１％のＣｏ、約０．０３％のＢ、約０．０６％のＣおよび残余のＮｉ

から成る組成物を有するニッケルろう付け合金材料などのろう付け合金を含む。

US9850182
[0084] The materials used for composite propellant formulations can include: neat aluminum powder, Al—Li alloy, ammonium perchlorate, and a polybutadiene based binding agent.
【００６４】
  コンポジット推進薬配合物のために使用される材料は、純アルミニウム粉末、Ａｌ－Ｌｉ合金、過塩素酸アンモニウム、およびポリブタジエンベースの結合剤を含み得る。

Propellant can be mixed according to the various mixture ratios outlined in Table 1.
推進薬は、表１に概説される様々な混合割合に従って混合され得る。

Increased feasibility in rocket motor systems (e.g., castability) may be realized by increasing binder contents in Table 1 to be between about 5% to about 25%, with the metal-to-AP ratios kept relatively constant.
ロケットモーター系における実行可能性（例えば、鋳造性）の増大は、金属対ＡＰ割合を比較的一定に保つ中で、表１中の結合剤含有量を約５％～約２５％の間になるように増加させることによって実現され得る。

Mixing of the propellant can be accomplished via resonant mixing, shaker mixing, or physical mixing/stirring.
推進薬の混合は、共振混合、振盪機混合、または物理的混合／撹拌によって成し遂げられ得る。

視線

US2021229673
In addition, system 100 may utilize additional signals provided by the vehicle.
さらに、システム１００は、ビークルによって提供される付加的な信号を利用し得る。

For example, if the vehicle provides signals to system 100 indicative of user's 150 seatbelt being fastened, user's 150 hands on steering wheel 154 , or the change of the vehicle's gear from park to drive,
たとえば、ユーザ１５０のシートベルトが締められていることを示す信号、ユーザ１５０の手がハンドル１５４上にあることを示す信号、または、パークからドライブへのビークルのギアの変更を示す信号をビークルがシステム１００に提供する場合、

system 100 may use these signals (independently or in conjunction with gaze information gathered from the camera) to determine an appropriate or optimal time to capture a facial image of user 150 using cameras 104 / 111 .
システム１００は、カメラ１０４／１１１を使用してユーザ１５０の顔画像をキャプチャするために適切または最適な時間を決定するために、（カメラから集められた視線情報から独立してまたは関連して）これらの信号を使用し得る。

EP3469804
[00333] I/O Device 2645 is configured for Video Server System 2620 to send and/or receive
【０３３３】
  入出力装置２６４５は、

information such as video, commands, requests for information, a game state, gaze information, device motion, device location, user motion, client identities, player identities, game commands, security information, audio, and/or the like.
ビデオ、コマンド、情報の要求、ゲーム状態、視線情報、デバイスの動き、デバイスの位置、ユーザの動作、クライアントＩＤ、プレイヤＩＤ、ゲームコマンド、セキュリティ情報、音声等の情報を

ビデオサーバシステム２６２０が送信及び／または受信するように構成される。

I/O Device 2645 typically includes communication hardware such as a network card or modem.
入出力装置２６４５は、典型的には、ネットワークカードまたはモデム等の通信ハードウェアを含む。

I/O Device 2645 is configured to communicate with Game Server 2625, Network 2615, and/or Clients 2610.
入出力装置２６４５は、ゲームサーバ２６２５、ネットワーク２６１５、及び／または、クライアント２６１０と通信するように構成される。

[00334] Processor 2650 is configured to execute logic（＊無冠詞）, e.g. software, included within the various components of Video Server System 2620 discussed herein.
【０３３４】
  プロセッサ２６５０は、本明細書に記載のビデオサーバシステム２６２０の様々なコンポーネント内に含まれる論理回路、例えば、ソフトウェア、を実行するように構成される。

For example, Processor 2650 may be programmed with software instructions in order to perform the functions of Video Source 2630, Game Server 2625, and/or a Client Qualifier 2660.
例えば、プロセッサ２６５０は、ビデオソース２６３０、ゲームサーバ２６２５、及び／または、クライアントクオリファイア（Ｃｌｉｅｎｔ  Ｑｕａｌｉｆｉｅｒ）２６６０の機能を行うために、ソフトウェア命令でプログラムされてよい。

US11315288
[0166] At block 1718 , the system 1700 computes the current gaze (e.g., the eye optical axis or the gaze vector) from the glint information received from the block 1714 .
【０１６４】
  ブロック１７１８では、システム１７００は、現在の視線（例えば、眼光学軸または視線ベクトル）をブロック１７１４から受信された閃光情報から算出する。

At block 1720 , previous gaze information (e.g., determined from a previous glint image) is input to block 1722 where a future gaze direction is computed.
ブロック１７２０では、前の視線情報（例えば、前の閃光画像から決定される）は、ブロック１７２２に入力され、そこで、将来的視線方向が、算出される。

For example, the system 1700 can extrapolate from the current gaze (block 1718 ) and one or more previous gazes (block 1720 ) to predict the gaze at the future gaze time (e.g., 10 ms to 100 ms in the future).
例えば、システム１７００は、現在の視線（ブロック１７１８）および１つ以上の前の視線（ブロック１７２０）から外挿し、将来的視線時間における（例えば、将来の１０ｍｓ～１００ｍｓ先の）視線を予測することができる。

The predicted gaze from the block 1722 can be provided to the rendering engine to enable foveated rendering.
ブロック１７２２から予測される視線は、レンダリングエンジンに提供され、中心窩化レンダリングを可能にすることができる。

US11126257
[0027] In addition to mapping the contours, objects, and individuals of the unconstrained environment 100 , the system may also include the capability to capture or detect eye gaze information of the directing individual 114 .
【００２１】
  輪郭、及び非制約環境１００中の輪郭、物体、及び個人をマッピングすることに加えて、システムは、方向指示を行っている個人１１４の視線情報をキャプチャ、又は検出する能力を更に含んでもよい。

Eye gaze information may be obtained using the IR sensors, an RGB camera, and/or one or more optical tracking devices in communication with the robot 105 .
視線情報はＩＲセンサ、ＲＧＢカメラ、及び／又はロボット１０５と通信中の一つ以上の光学追跡装置を使用して取得してもよい。

As an example, IR light may transmitted by the IR sensors 120 and reflected from the eye of the gesturing individual 114 .
例えば、ＩＲ光線がＩＲセンサ１２０により伝送され、ジェスチャを行っている個人１１４の目から反射される。

The reflected IR light may be sensed by a camera or optical sensor.
反射されたＩＲ光線はカメラ又は光学センサにより検出されてもよい。

As explained below, in a further refinement, eye gaze data may be observed over a period of time, using multiple images, scans or the like, to further develop the gazing direction or objects of interest in the area of the gaze.
後述するように、更なる精緻化においては、視野中の視線方向又は関心対象物を更に獲得するために、複数の画像やスキャン又は同種のものを使用して視線データを一定期間観測してもよい。

外部に出力

US10459518
[0508] On the top surface of the housing F 71 , a sound hole for externally outputting a sound from a speaker F 706 shown in FIG. 45,
[0390] ハウジングＦ７１の上面に、図４５に示すスピーカＦ７０６からの音を外部に出力するための音孔が、

which will be described below, is provided between the operation buttons F 72 e , F 72 f , and F 72 g and the operation button F 72 b.
以下に説明するように、操作ボタンＦ７２ｅ、Ｆ７２ｆおよびＦ７２ｇと操作ボタンＦ７２ｂとの間に設けられる。

US11019336
[0129] The speaker 163 
【０１１７】
  スピーカ１６３は、

コントローラ１１０の制御下で、

may output sounds externally corresponding to various signals (for example, radio signals, broadcast signals, digital audio files, digital video files or photography signals) from the mobile communication module 120 , sub-communication module 130 , multimedia module 140 , or camera module 150
モバイル通信モジュール１２０、サブ通信モジュール１３０、マルチメディアモジュール１４０、又は、カメラモジュール１５０からの様々な信号（例えば、ラジオ信号、放送信号、デジタルオーディオファイル、デジタルビデオファイル又は写真信号）に対応する音を外部に出力してもよい。

under the control of the controller 110 . 

US10417239
Typically, the sinks 704 , 706 output data (e.g. tuples) externally of the data streaming application (e.g., to a database, storage file, or other destination); however,
通常、シンク７０４、７０６が、データ・ストリーミング・アプリケーションの外部（例えば、データベース、ストレージ・ファイル、またはその他の出力先）にデータ（例えば、タプル）を出力するが、

it is possible for any of the processing elements to output data externally as well.
処理要素のいずれかがデータを外部に出力することも可能である。

電位に固定

US2020110987
[0070] By setting the maximum charge range, one may also implement a soft maximum.
【００４１】
  最大電荷範囲を設定することで、ソフト最大値も実施可能である。

This can also be implemented by limiting the minimum gate voltage, for example with a follower or other DC circuit, holding the minimum gate voltage to a potential or by diode clamping to the ground node or level shifter potential.
これはまた、最小ゲート電圧を、例えば、フォロワ又は他のＤＣ回路により制限し、最小ゲート電圧を電位に保持し、又はダイオードにより、接地ノード又はレベルシフタの電位に固定することで実施可能である。

US2020395405
[0037] FIG. 2C is a schematic illustrating parasitic capacitive coupling between on-diagonal qubits within an array, such as the qubit 210 and the qubit 240 of FIG. 2A.
【００３２】
  図２Ｃは、アレイ内の対角線上の量子ビット間（例えば、図２Ａの量子ビット２１０と量子ビット２４０との間）の寄生容量結合を示す概略図である。

Because the qubits are not operating in a common ground configuration, where, e.g., one electrode from each qubit is tied to the same ground potential,
量子ビットが共通接地構成（例えば、各量子ビットの一方の電極が同じ接地電位に固定される）で動作していないので、

a same magnitude of charge (+Q) is induced in both the first electrode 241 and in the second electrode 242 of the fourth qubit 240 when a charge is provided to the electrode 212 of the first qubit 210 . 
第一量子ビット２１０の電極２１２に電荷が与えられた際には、同じ大きさの電荷（＋Ｑ）が第四量子ビット２４０の第一電極２４１と第二電極２４２の両方に誘起される。

US10460903
In this case, the objective lens 105 repels the scattered electrons that are low in energy and returns them back to the surface of the sample 108 .
この場合、対物レンズ１０５は、エネルギーが低い散乱電子をはね返して、試料１０８の表面へ戻す。

These electrons are absorbed by the surface resulting in charge neutralization.
これらの電子は表面により吸収されて電荷中和が生じる。

In this example, the surface voltage of the sample may lock to the potential of the electrons returned from objective lens 105 .
本例では、試料の表面電圧は、対物レンズ１０５から戻された電子の電位に固定されていてよい。

US8420779
 Electrophysiology recordings were made from the CHO-KV 1.3 cells using an amphotericin-based perforated patch-clamp method. 
アムホテリシンをベースとした有孔パッチクランプ法を用いて、ＣＨＯ－Ｋｖ１．３細胞から電気生理学的記録を行った。

Using the voltage-clamp circuitry of the IonWorks Quattro, cells were held at a membrane potential of −80 mV and voltage-activated K+ currents were evoked by stepping the membrane potential to +30 mV for 400 ms.
ＩｏｎＷｏｒｋｓＱｕａｔｔｒｏの電圧固定回路を用いて、細胞を－８０ｍＶの膜電位に固定し、４００ｍ秒間、膜電位を＋３０ｍＶまで段階的に変化させることによって、電圧によって活性化されるＫ^＋電流を誘発させた。

US7160391
The exact size and shape of target plate 20 can be left to the system designer.
【００２１】
  対象プレート２０の実際の大きさ及び形状は、システム設計者の手に委ねることができる。

The plate 20 need not always have a planar surface, and in fact other shapes can be quite useful, as discussed below.
プレート２０は、必ずしも平坦な表面を備えていなくてもよく、実際、後述するように他の形状も極めて有用であり得る。

The target plate 20 may be fixed to a predetermined voltage magnitude,
対象プレート２０は、予め定められた電圧の大きさに固定されてもよい。

although for many applications it is preferably fixed to ground potential, as illustrated in FIG. 1 at reference numeral 22.
ただし、多数の用途において、図１の参照番号２２に図解したように、好ましくは接地電位に固定する。

取り代

US2021348028(JP)
[0090]
【００６３】
＜研磨レートの評価＞

[0091] The polishing composition according to each example was used as a polishing slurry to perform a polishing experiment on a β-gallium oxide substrate, and the polishing removal rate was evaluated.
各例に係る研磨用組成物を研磨液として使用してβ酸化ガリウム基板に対する研磨試験を行い、研磨レートを評価した。

As the object to be polished, a β-gallium oxide substrate having a surface area (area of the surface to be polished) of 1.5 cm2 was used, and the surface of this substrate was polished under the following polishing conditions.
研磨対象物としては、表面（研磨対象面）の面積が１．５ｃｍ^２のβ酸化ガリウム基板を使用し、この基板の表面を以下の研磨条件で研磨した。

Then, the polishing removal rate was calculated according to the following calculation formulas (1) and (2).
そして、以下の計算式（１）、（２）に従って研磨レートを算出した。

In the present experiment, three β-gallium oxide substrates were polished and the average value was calculated. The results are shown in Table 1.
なお、本試験では、３枚のβ酸化ガリウム基板の研磨を行い、その平均値を算出した。結果を表１に示す。

[0092] (1) Polishing removal [cm]=(difference [g] in weight of gallium oxide substrate between before and after polishing)/(gallium oxide density [g/cm3 ]) (=5.88 g/cm3 )/(area of surface to be polished [cm2 ]) (=1.5 cm2 )
（１）研磨取り代［ｃｍ］＝研磨前後の酸化ガリウム基板の重量の差［ｇ］／酸化ガリウムの密度［ｇ／ｃｍ^３］（＝５．８８ｇ／ｃｍ^３）／研磨対象面積［ｃｍ^２］（＝１．５ｃｍ^２）

US10971351(JP)
In example features, the angles θ 1 and θ 2 may deviate from the range of 22° or more to 26° or less by ±1° due to friction of the groove in the jig, a polishing machining allowance in double-surface polishing, or the like.
ただし、冶具の溝の摩耗や、両面研磨での研磨取り代などに起因して、鏡面面取りに供されるウェーハにおけるθ１，θ２は狙い値から±１°ずれる可能性がある。

When the target values of θ 1 and θ 2 are greater than 26°, the chamfer angle on the wafer prior to being subjected to the mirror surface beveling is larger, and therefore the reduction or inhibition of the corner burrs is more difficult and is thus reduced.
なお、θ１,θ２の狙い値を２６°より大きくすると、鏡面面取りに供する前のウェーハにおける面取り角度が大きくなるので、角バリ抑制の効果が小さくなる。

In example features, the values of angles θ 1 and θ 2 may be in the range of 22° to 23°.
θ１,θ２の狙い値は、２２°以上２３°以下に設定することがより好ましく、２２°に設定することがさらに好ましい。

 

WO2017090406(JP)
本発明の実施の形態によるウェーハ研磨装置の構成を概略的に示す図であって、（ａ）は断面図、（ｂ）はウェーハの押圧面を構成するメンブレンの底面図である。 図１のウェーハ研磨装置を用いたウェーハの研磨方法を説明するフローチャートである。 ナノトポグラフィマップの一例を示す図である。 ナノトポグラフィと研磨圧力との関係を示す換算式の一例を示すグラフである。 ウェーハ面内のナノトポグラフィおよび研磨量（取り代）との関係を示すグラフであって、（ａ）は従来の加圧制御方式でウェーハを研磨した場合、（ｂ）は本発明の加圧制御方式でウェーハを研磨した場合をそれぞれ示している。 従来のウェーハ研磨方法の問題点を説明するための模式図である。

US2021171801(JP)
FIG. 2 illustrates difference GBIR. First, the profile of the thickness (i.e., distance from the back reference plane) of the silicon wafer prior to polishing, P1, was measured.
【００６３】
  図２は、差分ＧＢＩＲを説明するための図である。まず、研磨前のシリコンウェーハの厚さ（裏面基準平面からの距離）のプロファイルＰ１を測定する。

Similarly, the profile of the thickness of the silicon wafer after polishing, P2, was measured.
同様に、研磨後のシリコンウェーハの厚さのプロファイルＰ２を測定する。

The difference between the pre-polish profile P1 and the post-polish profile P2 was determined to calculate the profile of the thickness of material removed by polishing (i.e., amount of removal), ΔP.
研磨前のプロファイルＰ１と研磨後のプロファイルＰ２との差分をとって、「研磨によって除去された厚さ（取り代）」のプロファイルΔＰを求める。

The difference between the maximum value of the profile ΔP of the amount of removal within the region excluding predetermined edge areas, ΔPmax , and the minimum value, ΔPmin , was treated as “difference GBIR”.
所定のエッジ領域を除いた領域における取り代のプロファイルΔＰの最大値ΔＰ_ｍａｘと最小値ΔＰ_ｍｉｎとの差を「差分ＧＢＩＲ」と定義する。

US11124675(JP)
[0157] 3. Evaluation
３．評価

[0000]
＜所要研磨時間の算出＞

[0158] The average thickness of the test piece before and after polishing was performed under the above conditions was measured using a flatness measuring device “NANOMETRO 300TT” (commercially available from Kuroda Precision Industries Ltd.), and the thickness (polishing removal) reduced due to polishing was calculated.
上記条件で研磨を行う前および後の試験片の平均厚みを黒田精工株式会社製の平坦度測定装置「ナノメトロ３００TT」を用いて測定し、研磨により減少した厚さ（研磨取り代）を算出した。

US8956951(JP)
[0052] In order to surely remove the ion-implantation damage remaining in the surface layer, the SOI layer 35 thickness that is reduced by the sacrificial oxidation treatment, i.e., the stock removal, may be 50 nm or more, preferably 100 nm or more, and more preferably 150 nm or more.
【００３１】
  この際、犠牲酸化処理で減ずるＳＯＩ層３５の厚さ（取り代）は、表層部に残留しているイオン注入ダメージを確実に除去するため、５０ｎｍ以上とすることができ、好ましくは１００ｎｍ以上、より好ましくは１５０ｎｍ以上とすることができる。