取り代

US2021348028(JP)
[0090]
【００６３】
＜研磨レートの評価＞

[0091] The polishing composition according to each example was used as a polishing slurry to perform a polishing experiment on a β-gallium oxide substrate, and the polishing removal rate was evaluated.
各例に係る研磨用組成物を研磨液として使用してβ酸化ガリウム基板に対する研磨試験を行い、研磨レートを評価した。

As the object to be polished, a β-gallium oxide substrate having a surface area (area of the surface to be polished) of 1.5 cm2 was used, and the surface of this substrate was polished under the following polishing conditions.
研磨対象物としては、表面（研磨対象面）の面積が１．５ｃｍ^２のβ酸化ガリウム基板を使用し、この基板の表面を以下の研磨条件で研磨した。

Then, the polishing removal rate was calculated according to the following calculation formulas (1) and (2).
そして、以下の計算式（１）、（２）に従って研磨レートを算出した。

In the present experiment, three β-gallium oxide substrates were polished and the average value was calculated. The results are shown in Table 1.
なお、本試験では、３枚のβ酸化ガリウム基板の研磨を行い、その平均値を算出した。結果を表１に示す。

[0092] (1) Polishing removal [cm]=(difference [g] in weight of gallium oxide substrate between before and after polishing)/(gallium oxide density [g/cm3 ]) (=5.88 g/cm3 )/(area of surface to be polished [cm2 ]) (=1.5 cm2 )
（１）研磨取り代［ｃｍ］＝研磨前後の酸化ガリウム基板の重量の差［ｇ］／酸化ガリウムの密度［ｇ／ｃｍ^３］（＝５．８８ｇ／ｃｍ^３）／研磨対象面積［ｃｍ^２］（＝１．５ｃｍ^２）

US10971351(JP)
In example features, the angles θ 1 and θ 2 may deviate from the range of 22° or more to 26° or less by ±1° due to friction of the groove in the jig, a polishing machining allowance in double-surface polishing, or the like.
ただし、冶具の溝の摩耗や、両面研磨での研磨取り代などに起因して、鏡面面取りに供されるウェーハにおけるθ１，θ２は狙い値から±１°ずれる可能性がある。

When the target values of θ 1 and θ 2 are greater than 26°, the chamfer angle on the wafer prior to being subjected to the mirror surface beveling is larger, and therefore the reduction or inhibition of the corner burrs is more difficult and is thus reduced.
なお、θ１,θ２の狙い値を２６°より大きくすると、鏡面面取りに供する前のウェーハにおける面取り角度が大きくなるので、角バリ抑制の効果が小さくなる。

In example features, the values of angles θ 1 and θ 2 may be in the range of 22° to 23°.
θ１,θ２の狙い値は、２２°以上２３°以下に設定することがより好ましく、２２°に設定することがさらに好ましい。

 

WO2017090406(JP)
本発明の実施の形態によるウェーハ研磨装置の構成を概略的に示す図であって、（ａ）は断面図、（ｂ）はウェーハの押圧面を構成するメンブレンの底面図である。 図１のウェーハ研磨装置を用いたウェーハの研磨方法を説明するフローチャートである。 ナノトポグラフィマップの一例を示す図である。 ナノトポグラフィと研磨圧力との関係を示す換算式の一例を示すグラフである。 ウェーハ面内のナノトポグラフィおよび研磨量（取り代）との関係を示すグラフであって、（ａ）は従来の加圧制御方式でウェーハを研磨した場合、（ｂ）は本発明の加圧制御方式でウェーハを研磨した場合をそれぞれ示している。 従来のウェーハ研磨方法の問題点を説明するための模式図である。

US2021171801(JP)
FIG. 2 illustrates difference GBIR. First, the profile of the thickness (i.e., distance from the back reference plane) of the silicon wafer prior to polishing, P1, was measured.
【００６３】
  図２は、差分ＧＢＩＲを説明するための図である。まず、研磨前のシリコンウェーハの厚さ（裏面基準平面からの距離）のプロファイルＰ１を測定する。

Similarly, the profile of the thickness of the silicon wafer after polishing, P2, was measured.
同様に、研磨後のシリコンウェーハの厚さのプロファイルＰ２を測定する。

The difference between the pre-polish profile P1 and the post-polish profile P2 was determined to calculate the profile of the thickness of material removed by polishing (i.e., amount of removal), ΔP.
研磨前のプロファイルＰ１と研磨後のプロファイルＰ２との差分をとって、「研磨によって除去された厚さ（取り代）」のプロファイルΔＰを求める。

The difference between the maximum value of the profile ΔP of the amount of removal within the region excluding predetermined edge areas, ΔPmax , and the minimum value, ΔPmin , was treated as “difference GBIR”.
所定のエッジ領域を除いた領域における取り代のプロファイルΔＰの最大値ΔＰ_ｍａｘと最小値ΔＰ_ｍｉｎとの差を「差分ＧＢＩＲ」と定義する。

US11124675(JP)
[0157] 3. Evaluation
３．評価

[0000]
＜所要研磨時間の算出＞

[0158] The average thickness of the test piece before and after polishing was performed under the above conditions was measured using a flatness measuring device “NANOMETRO 300TT” (commercially available from Kuroda Precision Industries Ltd.), and the thickness (polishing removal) reduced due to polishing was calculated.
上記条件で研磨を行う前および後の試験片の平均厚みを黒田精工株式会社製の平坦度測定装置「ナノメトロ３００TT」を用いて測定し、研磨により減少した厚さ（研磨取り代）を算出した。

US8956951(JP)
[0052] In order to surely remove the ion-implantation damage remaining in the surface layer, the SOI layer 35 thickness that is reduced by the sacrificial oxidation treatment, i.e., the stock removal, may be 50 nm or more, preferably 100 nm or more, and more preferably 150 nm or more.
【００３１】
  この際、犠牲酸化処理で減ずるＳＯＩ層３５の厚さ（取り代）は、表層部に残留しているイオン注入ダメージを確実に除去するため、５０ｎｍ以上とすることができ、好ましくは１００ｎｍ以上、より好ましくは１５０ｎｍ以上とすることができる。