微細化（続）

US9535010
[0005] Inspection processes are used at various steps during a semiconductor manufacturing process to detect defects on wafers to promote higher yield in the manufacturing process and thus higher profits.
【０００３】
  検査工程は半導体製造工程中の様々な段階で、ウェハの欠陥を検出し、製造工程の歩留まりの向上及び、ひいては利益の増大を促進するために利用される。

Inspection has always been an important part of fabricating semiconductor devices.
検査は常に、半導体装置製造の重要な部分を占めてきた。

However, as the dimensions of semiconductor devices decrease, inspection becomes even more important to the successful manufacture of acceptable semiconductor devices because smaller defects can cause the devices to fail.
しかしながら、半導体装置の微細化に伴い、より小さい欠陥が装置の故障の原因となりうるため、容認可能な半導体装置の製造を成功させるうえで、検査はますますその重要性を増している。

US10670391
For those methods that employ a spatial light modulator (SLM), a computer is required to control the SLM and its resolution
空間光変調器（ＳＬＭ）を採用する方法では、コンピュータがＳＬＭおよびその分解能を制御する必要があり、

and the generation of angular displacement is limited by the SLM screen being pixelated and the finite range of the phase change of the SLM.
角度変位(angular displacement)の生成は、画素化されるＳＬＭスクリーンおよびＳＬＭの位相変化の有限範囲によって限定される。

With these challenges, there is no clear way to miniaturize the system, while maximizing the precision of the angle measurement without further complicating the optical system design.
これらの難題があるため、光学システムの設計を更に複雑化することなく、角度測定の正確度を最大限高めつつ、システムを微細化する明確な方法がない。

US10401305
[0003] Generally, the industry of semiconductor manufacturing involves highly complex techniques for fabricating integrating circuits using semiconductor materials which are layered and patterned onto a substrate, such as silicon.
【０００３】
  一般に、半導体製造産業では、シリコンなどの基板に積層およびパターン化される半導体材料を利用して集積回路を製造するための高度に複雑な技術が使用される。

Due to the large scale of circuit integration and the decreasing size of semiconductor devices, the fabricated devices have become increasingly sensitive to defects.
大規模な回路集積および半導体デバイスの微細化により、製造されるデバイスは、欠陥の影響を益々受けやすくなっている。

That is, defects which cause faults in the device are becoming increasingly smaller.
換言すれば、デバイスの不良を招く欠陥が、益々小さくなっている。

The device is fault free prior to shipment to the end users or customers.
エンドユーザまたは顧客に出荷される前のデバイスには、欠陥がない。

開口率

US8063964
[0011] The present invention is a programmable pixel circuit for iSoC image sensors that supports two modes of operation to alternately deliver nominal or enhanced sensitivity.
【課題を解決するための手段】
【０００９】
  本発明は、標準感度（nominal sensitivity）又は高感度（enhanced sensitivity）を選択的に提供する２つの動作モードをサポートするｉＳｏＣ撮像素子のプログラム可能な画素回路である。

Dual-mode operation is achieved by supporting multi-mode pixel operation via system-on-chip functionality in peripheral circuits supporting pixel readout from the embedded imaging matrix array.
デュアルモード動作は、組込撮像素子マトリクスアレー（embedded imaging matrix array）からの画素読出（pixel readout）を補助する周辺回路のシステムオンチップ機能によってマルチモード画素動作をサポートすることにより、行われる。

There is consequently no significant increase in pixel complexity or degradation in optical fill factor. 
したがって、画素構造を著しく複雑にすることもなく、開口率が悪化することもない。

US10243023
For a given resolution, the lifetime of yellow sub-pixels, including the red and green color-altered sub-pixels, also may be enhanced, as the aperture ratio for these pixels may be higher
所定の解像度においては、また、赤色及び緑色に変換された副画素を含む、黄色副画素の寿命を、これらの画素の開口率が高くなるに応じて、向上させることができる。

since there are only 3 sub-pixels per plane instead of 4.
これは、１つの面当たりの副画素が、４つではなく３つしかないからである。

US2021222070
[0009] The reflective LCoS microdisplays have a high aperture ratio, and therefore can provide greater brightness than transmissive liquid crystal displays.
【０００９】
  反射型ＬＣｏＳマイクロディスプレイは開口率が高く、そのため透過型液晶ディスプレイより高い輝度を達成できる。

Major applications of these LCoS microdisplays are in home theater applications, e.g., projectors, and front and rear projection televisions (large screen).
こうしたＬＣｏＳマイクロディスプレイの主な用途としては、プロジェクターや、前面投影テレビおよび背面投影テレビ（大画面）などのホームシアターとしての用途が挙げられる。

For these applications, high contrast is very important.
これらの用途には、高コントラストが極めて重要である。

US9769438
[0051] In practice, sizes and characteristics of the various components of display element 300 may vary to assure activation of the display elements 300 as required according to an intended application.
【００２４】
  [0030]実際には、表示素子３００の様々な構成要素のサイズ及び特性は、意図された用途により、必要とされる通りの表示素子３００の作動を確実にするために異なることができる。

In an embodiment, T 1 302 is a photo transistor built in amorphous-silicon technology, in order to be sensitive to visible and near infra-red light, and T 2 306 and T 3 308 are conventional thin film transistors.
実施形態において、Ｔ１  ３０２は、可視光及び近赤外光に対して感受性があるようにするためにアモルファスシリコン技術において作製された光トランジスタであり、Ｔ２  ３０６及びＴ３  ３０８は、従来の薄膜トランジスタである。

Diode 304 may be an organic light emitting diode (OLED) built using a top-emission architecture to achieve high pixel aperture ratio. 
ダイオード３０４は、高画素開口率を実現するためにトップエミッションアーキテクチャを使用して作製される有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）でよい。

NHKが消えるテレビ

受信料支払い義務は無くなるんでしょうか？

JP2015180033（英語はWIPOの機械翻訳）
TELEVISION SET FROM WHICH NHK BROADCASTING DISAPPEAR
【発明の名称】ＮＨＫが消えるテレビ

[0001] A television that decides on a particular broadcast station and treats it so that it can not be seen.
【０００１】
ある特定の放送局を自ら判定して，その放送を見れないように処置するテレビ。

[0002] Today's television can not distinguish between NHK and commercial broadcasts.
【背景技術】
【０００２】
今のテレビは，ＮＨＫと民間放送を区別する事が出来ない。

Even if you have this indiscriminate-grade TV, you must also pay the reception fee if you are not watching NHK.
この無差別級テレビを持っているだけで，ＮＨＫを見ていない人も受信料を払わなければならない。

What absurdity is it to pay for television that you have not seen.
見てもいないテレビに受信料を払うというのは，何という不合理か。

The only way to resolve this gap is to develop a TV that does not reflect NHK.
この不合野を解消するには，ＮＨＫが映らないテレビを開発するしかない。

[0003] Although I did not watch NHK, I tried to devise a TV that can not see this NHK, with the thought of the person who is forced to pay the reception fee.
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ＮＨＫを見ていないのに，無理に受信料を払わされる人の思いをくんで，このＮＨＫが見えないテレビを考案してみました。

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1. Implemented with a band stop filter.
1. 帯域阻止フィルターで実現する。

2. Generates an electromagnetic wave.
2. 防害電波を発生する。

3. 2 tuner system. There are four examples.
3. ２チューナー方式。例は４つある。

膜の加工

US2020243334
[0008] The present invention discloses a method for processing of semiconductor films with reduced evaporation or degradation.
【０００６】
  （発明の概要）
  本発明は、低減された蒸発または劣化を伴う半導体膜の加工のための方法を開示する。

The method includes: providing a protective covering on or above a surface of a semiconductor film, in order to prevent evaporation or degradation of the semiconductor film during processing; and
方法は、加工の間中、半導体膜の蒸発または劣化を防止するために、半導体膜の表面上にまたは上方に保護被覆を提供することと、

processing the semiconductor film and the protective covering under one or more conditions that would cause evaporation or degradation of the semiconductor film without the protective covering,
保護被覆なしでは半導体膜の蒸発または劣化を引き起こす１つまたは複数の条件の下で半導体膜および保護被覆を加工することとを含み、

wherein the semiconductor film is processed to improve or change a material or device characteristic of the semiconductor film;
半導体膜は、半導体膜の材料および素子特性を改良または変更するように加工され、

and wherein the protective covering is a chemically inert material in the conditions under which the semiconductor film is processed.
保護被覆は、半導体膜が加工される条件において化学的に不活性な材料である。

US11220735
The pressure selected in Block 2602 may be associated with a pre-determined adhesion of the film to the substrate,
ブロック２６０２で選択された圧力は、基板への膜の所定の接着に関連付けられてもよく、

the pre-determined adhesion allowing (1) processing of the film into a device while the film is adhered to the substrate; and (2) removal (e.g., peeling) of the device from the substrate.
所定の接着は、（１）膜が基板に接着されている間にデバイスへの膜の加工と、（２）基板からのデバイスの取り外し（例えば、剥離）とを可能にする。

US2020131661
[0008] Manu and Priya (2013) disclose the fabrication of a densely populated MWCNT-Cu film via electrochemical deposition.
【０００８】
  Ｍａｎｕ  ａｎｄ  Ｐｒｉｙａ（２０１３）は、電気化学析出を介する高密度のＭＷＣＮＴ－Ｃｕ膜の加工を開示している。

Various surface morphologies were demonstrated, from a stacked layer structure of Cu-MWCNT to vertical alignment of MWCNT.
Ｃｕ－ＭＷＣＮＴの積層構造からＭＷＣＮＴの垂直配向まで、多様な表面形態が実証されている。