EP4060758(UNIVERSAL DISPLAY CORP [US])
[0015] As used herein, and as would be generally understood by one skilled in the art, a first "Highest Occupied Molecular Orbital" (HOMO) or "Lowest Unoccupied Molecular Orbital" (LUMO) energy level is "greater than" or "higher than" a second HOMO or LUMO energy level if the first energy level is closer to the vacuum energy level.
[0016] 本明細書において使用される場合、当業者には概して理解されるように、第１の「最高被占分子軌道」（ＨＯＭＯ）又は「最低空分子軌道」（ＬＵＭＯ）エネルギー準位は、第１のエネルギー準位が真空エネルギー準位に近ければ、第２のＨＯＭＯ又はＬＵＭＯエネルギー準位「よりも大きい」又は「よりも高い」。
Since ionization potentials (IP) are measured as a negative energy relative to a vacuum level, a higher HOMO energy level corresponds to an IP having a smaller absolute value (an IP that is less negative).
イオン化ポテンシャル（ＩＰ）は、真空準位と比べて負のエネルギーとして測定されるため、より高いＨＯＭＯエネルギー準位は、より小さい絶対値を有するＩＰ（あまり負でないＩＰ）に相当する。
Similarly, a higher LUMO energy level corresponds to an electron affinity (EA) having a smaller absolute value (an EA that is less negative).
同様に、より高いＬＵＭＯエネルギー準位は、より小さい絶対値を有する電子親和力（ＥＡ）（あまり負でないＥＡ）に相当する。
On a conventional energy level diagram, with the vacuum level at the top, the LUMO energy level of a material is higher than the HOMO energy level of the same material.
頂部に真空準位がある従来のエネルギー準位図において、材料のＬＵＭＯエネルギー準位は、同じ材料のＨＯＭＯエネルギー準位よりも高い。
A "higher" HOMO or LUMO energy level appears closer to the top of such a diagram than a "lower" HOMO or LUMO energy level.
「より高い」ＨＯＭＯ又はＬＵＭＯエネルギー準位は、「より低い」ＨＯＭＯ又はＬＵＭＯエネルギー準位よりもそのような図の頂部に近いように思われる。
US2022181571(UNIVERSAL DISPLAY CORP [US])
[0078] In other embodiments, the hole transporting material may be aligned for good hole injection into the EML, but a blocking layer can be included to further retard hole injection.
【００７８】
他の実施形態では、正孔輸送材料は、ＥＭＬへの良好な正孔注入のためにアラインすることができるが、ブロッキング層は、正孔注入を更に遅延させるために含有させることができる。
In some embodiments, the blocking layer may have a HOMO level deeper than that of the shallowest HOMO level material in the EML.
いくつかの実施形態では、ブロッキング層は、ＥＭＬのうちの最も浅いＨＯＭＯ準位の材料のＨＯＭＯ準位よりも深いＨＯＭＯ準位を有することができる。
