の変化量を

EP4340829(RIVUS PHARMACEUTICALS INC [US])
[0059] Figure 17 illustrates the mean change from baseline FAS population in a repeated measure analysis for InBody body weight.
【図１７】ＩｎＢｏｄｙ体重の反復測定分析における、ベースラインＦＡＳ集団からの平均の変化量を示す。

WO2021247329(APPLE INC [US])
 In some embodiments, in accordance with a determination that the changes in the field-of-view of the one or more cameras are above a threshold (e.g., non-zero threshold) (a threshold that is indicative of the amount of changes in the field-of-view amount to a change in a scene),
いくつかの実施形態では、１つ以上のカメラの視野の変化が閾値（例えば、非ゼロ閾値）を上回るとの判定に従って（視野の変化量を示す閾値は、シーンの変化に匹敵する）、

the computer system continues to display the exposure compensation indicator that includes the first exposure compensation value. 
コンピュータシステムは、第１の露出補償値を含む露出補償インジケータを表示し続ける。

US2024166984(JANSSEN BIOTECH INC [US])
The Regression (R2) value, coefficient of variation was recorded for each PLS model.
各ＰＬＳモデルについて、回帰（Ｒ２）値、変動係数を記録した。

This R2 value is used to determine the amount of variation of the Y variable which the model predictors (X variables) can explain.
このＲ２値は、モデル予測子（Ｘ変数）が説明し得るＹ変数の変化量を決定するために使用される。

The closer an R2 value is to 1, the greater a model explained the Y variable. 
Ｒ２値が１に近いほど、モデルがＹ変数をより適切に説明したことになる。

US2024094426(GEN ELECTRIC [US])
 Alternatively, or additionally, the detection apparatus
代替的または追加的に、検出装置は、

may compare an amount of change for each detection voltage with a delta threshold and determine that no foreign object is present when the amount of change is below the delta threshold.
各検出電圧の変化量をデルタ閾値と比較し、変化量がデルタ閾値を下回る場合に異物が存在しないと決定してもよい。

US11680186(FUJIFILM ELECTRONIC MAT USA INC [US])
[0045] In one or more embodiments,
【００４８】
  一つ又は複数の実施形態では、

the planarization efficiency (i.e., the change in silicon oxide step height divided by the amount of silicon oxide removed during the polish, multiplied by 100) is

at least about 14% (e.g., at least about 20%, at least about 30%, at least about 38%, at least about 40%, at least about 46%, at least about 50%, at least about 60%, at least about 70%, or at least about 74%) and at most about 100% (e.g., at most about 99.9%, at most about 99%, at most about 95%, at most about 90%, at most about 80%, at most about 70%, or at most about 60%)

when polishing a patterned wafer using a polishing composition according to the present disclosure. 
本開示に係る研磨組成物を用いてパターン形成ウェハを研磨する場合、

平坦化効率（つまり、シリコン酸化物ステップ高さの変化量を研磨の間に除去されたシリコン酸化物量で除した商を１００倍したもの）は

約１４％以上（例えば、約２０％以上、３０％以上、３８％以上、４０％以上、４６％以上、５０％以上、６０％以上、７０％以上、又は７４％以上）であって、約１００％以下（例えば、約９９．９％以下、約９９％以下、約９５％以下、約９０％以下、約８０％以下、約７０％以下、又は約６０％以下）である。

US11464880(RAYTHEON CO [US])
Since humans emit small amount of thermal radiation, a PIR motion sensor is used to detect changes in received radiation levels by providing an electrical signal to the controller 108 indicating an amount of change in radiation.
人間は、少量の熱放射線を放出しているため、PIRモーションセンサを用いて、放射線の変化量を示す電気信号を制御器108に供給することにより、受信放射線レベルの変化が検出される。

Additional sensors for detection motion and/or a changing distance to an object are included in embodiments disclosed herein.
動きを検出し、および／または物体までの距離の変化を検出する追加のセンサは、本願に含まれる。