膜の加工

US2020243334
[0008] The present invention discloses a method for processing of semiconductor films with reduced evaporation or degradation.
【０００６】
  （発明の概要）
  本発明は、低減された蒸発または劣化を伴う半導体膜の加工のための方法を開示する。

The method includes: providing a protective covering on or above a surface of a semiconductor film, in order to prevent evaporation or degradation of the semiconductor film during processing; and
方法は、加工の間中、半導体膜の蒸発または劣化を防止するために、半導体膜の表面上にまたは上方に保護被覆を提供することと、

processing the semiconductor film and the protective covering under one or more conditions that would cause evaporation or degradation of the semiconductor film without the protective covering,
保護被覆なしでは半導体膜の蒸発または劣化を引き起こす１つまたは複数の条件の下で半導体膜および保護被覆を加工することとを含み、

wherein the semiconductor film is processed to improve or change a material or device characteristic of the semiconductor film;
半導体膜は、半導体膜の材料および素子特性を改良または変更するように加工され、

and wherein the protective covering is a chemically inert material in the conditions under which the semiconductor film is processed.
保護被覆は、半導体膜が加工される条件において化学的に不活性な材料である。

US11220735
The pressure selected in Block 2602 may be associated with a pre-determined adhesion of the film to the substrate,
ブロック２６０２で選択された圧力は、基板への膜の所定の接着に関連付けられてもよく、

the pre-determined adhesion allowing (1) processing of the film into a device while the film is adhered to the substrate; and (2) removal (e.g., peeling) of the device from the substrate.
所定の接着は、（１）膜が基板に接着されている間にデバイスへの膜の加工と、（２）基板からのデバイスの取り外し（例えば、剥離）とを可能にする。

US2020131661
[0008] Manu and Priya (2013) disclose the fabrication of a densely populated MWCNT-Cu film via electrochemical deposition.
【０００８】
  Ｍａｎｕ  ａｎｄ  Ｐｒｉｙａ（２０１３）は、電気化学析出を介する高密度のＭＷＣＮＴ－Ｃｕ膜の加工を開示している。

Various surface morphologies were demonstrated, from a stacked layer structure of Cu-MWCNT to vertical alignment of MWCNT.
Ｃｕ－ＭＷＣＮＴの積層構造からＭＷＣＮＴの垂直配向まで、多様な表面形態が実証されている。