韓国サムスン電子は、スマホなどの記憶媒体に
使うメモリー以外の半導体事業を強化する
長期方針を発表している。
今年から2030年までの12年間に、設備投資と
研究開発費を合わせて約13兆円を投資する。
次世代の高速通信規格｢5G｣の時代の到来に
備えてメモリー以外の半導体需要が増える
ことに対応する方針。
サムスンの韓国内の半導体生産の拠点となる
平澤半導体キャンパスでは、現在、2階建ての
第1工場1階で3Ｄ(立体)のNAND型フラッシュ
メモリーを、2階でDRAMを生産している。
サムスン電子は、2018年7月に10ナノメー
トル(10nm：10億分の10ｍ)の微細な精度を
備えたDRAM半導体の開発に成功。
これにより、従来のデーター処理を50％
高めることが可能になり、競合するSKハイ
ニックス、米マイクロンなどを最小1年以上
リードする技術と評価を得た。
この技術を用いた世界最新生産設備が平沢
第二工場に設置され、2020年3月稼働予定。
現在、一般的に流通している半導体の生産では
線幅193nmが主流になっているが、次世代の
半導体生産を目指した競争が激化している。
しかし、現状より遥かに微細な線幅の3nmや
10nmの半導体生産には、先般規制が強化された
3品目の日本製の資材が欠かせない。
サムスンの電子の新鋭工場も、これらの資材が
順調に入手できなければ量産できないのだ。
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