接地電位にする

US10303253
"FIGS. 2A and 2B further illustrate a first side 116 of the actuation layer 106 (e.g., a rear side) being disposed on and electrically connected to the first electrode layer 104. Thus, the first side 116 of the actuation layer 106 may have the same electrical potential as the conductive material of the first electrode layer 104. In an embodiment, the first electrode layer 104 may be a ground electrode that is electrically connected to a ground potential, as depicted in FIGS. 2A and 2B. In such an embodiment, the entire first side 116 of the actuation layer, or at least a portion of the first side 116 in contact with the first electrode layer 104, may also be at the ground potential."

  図２Ａ及び図２Ｂは、作動層１０６の第１の側１１６（例えば、後側）が第１の電極層１０４上に配置されかつ電気的に接続されていることを更に示している。したがって、作動層１０６の第１の側１１６は、第１の電極層１０４の導電材料と同じ電位を有することができる。一実施形態では、第１の電極層１０４は、図２Ａ及び図２Ｂに示すように、接地電位に電気的に接続された接地電極とすることができる。そのような実施形態では、作動層の第１の側１１６全体又は第１の側１１６の、少なくとも第１の電極層１０４と接触している部分も接地電位にすることができる。

WO2017044886
"[0040] In one implementation, an arm segment includes an aesthetic cover arranged over a rigid beam connected on each end to an actuatable axis; and the aesthetic cover includes a ground plane electrode 160 arranged across (e.g., printed, deposited, or applied to) the interior surface of the aesthetic cover and one or more sense, ground, and/or control electrodes arranged across the exterior surface of the aesthetic cover. In this implementation, the controller 123 can drive the ground electrode to a reference electric ground potential, such as an alternating reference electric ground potential. Furthermore, in this implementation, a housing arranged over the base 110, the end effector 140, and other elements within the robotic arm 102 can include a ground plane electrode 160 under or adjacent sense, ground, or control electrodes; and one or more controllers within the system 100 can drive each ground plane electrode 160 to a common reference electric ground potential. "

一実装例では、アームセグメントは、各端部の上で作動軸に接続した硬質ビーム上に配置した美的カバーを具えており；この美的カバーは、美的カバーの内側表面に配置した（例えば、印刷、蒸着、又は貼付けた）接地平面電極１６０と、美的カバーの外側表面に配置した一またはそれ以上の検知、接地、及び／又は制御電極を具える。この実装例では、コントローラ１２３は接地電極を、交流基準接地電位などの基準接地電位にすることができる。さらに、この実装例では、ベース１１０上に配置したハウジング、エンドエフェクタ１４０、及びロボットアーム１０２内のその他の構成要素が、隣接する検知、設置、あるいは制御電極の下に接地平面電極１６０を具えており；システム１００内の一またはそれ以上のコントローラが各接地平面電極１６０を駆動して、共通の基準接地電位にすることができる。

WO2017015641
"[0061] With reference again to the forced-resonant switching sequence described in the previous example, a PWM input next indicates a change from S2 1 10 on (S1 108 off) to S1 108 on (S2 1 10 off), is desired. Where L1 130 is employed, via S5 136, to pull V(Vbridge) to ground, the previously described technique may be used for soft switching. For example, RSC 66 recognizes that S1 108 is to be turned on due to a PWM state change. Then, S5 136 is turned on for an amount of time based on the previous S1 108 turn-on transition, as modified by a previously detected timing error. The timing error is detected as follows."

前述した例で説明した強制共振スイッチング列を再び参照するに、次いでＰＷＭ入力はスイッチＳ２（１１０）のオン状態（スイッチＳ１（１０８）のオフ状態）からスイッチＳ１（１０８）のオン状態（スイッチＳ２（１１０）のオフ状態）への変化が望ましいことを示している。インダクタＬ１（１３０）を用い、スイッチＳ５（１３６）を介してＶ（Ｖブリッジ）を接地電位にする場合には、前述した技術をソフトスイッチングに対して用いることができる。例えば、ＲＳＣ６６は、ＰＷＭの状態変化によりスイッチＳ１（１０８）をターンオンさせる必要があることを認識する。次いで、スイッチＳ５（１３６）は、前のスイッチＳ１（１０８）のターンオン遷移に基づくある量の時間の間、前に検出されたタイミングエラーだけ修正されてターンオンされる。このタイミングエラーは以下のようにして検出される。

WO2013115945
"To extract positive ions, the plasma chamber 101 is maintained at a positive electric potential by an extraction power supply 121 while the processing chamber 104 may be at ground potential. A high voltage bushing 122 ensures electrical insulation between the plasma chamber 101 and processing chamber 104."

正イオンを抽出するために、抽出電源１２１によってプラズマチャンバを正電位に維持し、その間に処理チャンバ１０４は接地電位にすることができる。高電圧ブッシング１２２が、プラズマチャンバ１０１と処理チャンバ１０４との間の電気絶縁を保証する。

EP0979000
"[0015] In block 610 of FIGURE 4, scan derived pulses Hrt are rectified by diode D1 and charge capacitor C1 positively via a resistor R2 towards the positive supply. The junction of resistor R2 and capacitor C1 are joined to the base of a PNP transistor Q1 with the result that the positive charge developed across capacitor C1 turns the transistor off when deflection related pulses are present. The emitter of transistor Q1 is coupled to a positive voltage supply via a diode D2 which prevents base emitter zenner breakdown and ensures that transistor Q1 turns off when the pulse derived charge across capacitor C1 is approximately 1.4 volts or less. The collector of transistor Q1 is coupled to ground via series connected resistors R3 and R4. The junction of the resistors is coupled to the base of an NPN transistor Q2 which has the emitter grounded and the collector coupled via a resistor R7 to form an open collector output signal. Thus when pulses Hrt are present transistor Q1 is turned off, which in turn turns off transistor Q2 rendering output signal 615, scan loss interrupt, an open circuit. When scan related pulses are absent, for example as a consequence of a bus derived control function, circuit failure or X-ray protection, the positive charge developed across capacitor C1 is dissipated via the series combination of resistors R1 and R2 thus allowing capacitor C1 to charge towards ground potential. When the potential across capacitor C1 is nominally 1.4 volts transistor Q1 turns on with the collector terminal assuming the nominal potential at the cathode of diode D2. Thus this positive potential of about 7 volts at transistor Q1 collector is applied via the potential divider formed by resistors R3 and R4 to the base of transistor Q2, which turns on taking the collector and output signal 615 to nominal ground potential. Signal 615 is an interrupt signal which, when low, signals microcontroller 800 that scanning current is absent in the exemplary display or coil."

 図４のブロック６１０において、走査から取り出したパルスＨrtは、ダイオードＤ１によって整流されて、抵抗Ｒ２を介してキャパシタＣ１を正の電源に向かって正方向に充電する。抵抗Ｒ２とキャパシタＣ１の接続点はＰＮＰトランジスタＱ１のベースに結合され、その結果、偏向に関係するパルスが存在するとき、キャパシタＣ１に形成（供給、蓄積）された正の電荷がそのトランジスタＱ１をターンオフ（オフ状態に）する。トランジスタＱ１のエミッタはダイオードＤ２を介して正の電圧電源に結合されている。そのダイオードＤ２は、ベース－エミッタ間のツェナ降伏（ブレークダウン）を防止し、また、キャパシタＣ１両端間におけるパルスから生じた電荷が約１．４Ｖまたはそれより低い電圧であるときにトランジスタＱ１がターンオフ（オフ状態に）されることを保証する。トランジスタＱ１のコレクタは直列接続の抵抗Ｒ３およびＲ４を介して接地点に結合される。その抵抗間の接続点はＮＰＮトランジスタＱ２のベースに結合され、トランジスタＱ２のエミッタは接地され、またトランジスタＱ２のコレクタは抵抗Ｒ７を介して結合されて開放（オープン）コレクタ出力信号を形成する。従って、パルスＨrtが存在するときにトランジスタＱ１はターンオフされ、次いでそれによってトランジスタＱ２がターンオフされ、出力信号６１５、走査なし割込み（ＳＣＡＮ－ＬＯＳＳ  ＩＮＴＲ）、開放回路が形成される。例えば、バスから取り出された制御機能、回路誤動作（故障、障害、failure ）またはＸ線保護の結果として、走査関係のパルスが存在しないときには、キャパシタＣ１の両端間に形成された正の電荷が抵抗Ｒ１およびＲ２の直列接続を介して消散(dissipate) して、キャパシタＣ１が接地電位に向けて充電される。キャパシタＣ１の両端間の電位（電圧）が公称１．４Ｖのときに、トランジスタＱ１がターンオンして、コレクタ端子がダイオードＤ２の陰極における公称（正規）の電位になる。従って、トランジスタＱ１のコレクタにおける約７Ｖの正の電位が、抵抗Ｒ３およびＲ４によって形成される分圧器を介してトランジスタＱ２のベースに印加される。すると、トランジスタＱ２がターンオンして、そのコレクタおよび出力信号６１５を公称の接地電位にする。信号６１５は割込信号であり、その割込み信号は、低レベルのときに、典型例の表示装置またはコイル中に走査電流が存在しないことをマイクロコントローラ８００に信号を送って知らせるものである。

US2009161409
"[0039] In an embodiment, the arrays can also have a separate ground line and row select line and thereby providing for another scheme of writing. To change electrical resistance of TFT 44 of a particular pixel, the data line 46 of the column in which the pixel lies is provided the voltage level to be memorized. All other data lines and gate lines of the array are made to float. The gate line 43 driving the TFT to be programmed is now set to a potential permitting the TFT to turn on and conduct, there by allowing the storage capacitor 50 to acquire the potential of 46. All other capacitors and data lines of the same row will acquire the potential of 43 due to capacitive coupling through the TFT terminals. Thus while TFT 44 experiences a gate-source bias which mutates its electrical resistance, all other TFTs do not. After the mutation to electrical resistance is complete, the data line 46 is set to ground, thereby allowing 44 to be set to ground, immediately followed by the gate line 43 being set to ground."

また、このメモリセルアレイでは各メモリセルのローセレクトラインとそのメモリセルの接地ラインが分かれているので、別の方法でデータを書き込むこともできる。この方法では、まず書込先メモリセル内ＴＦＴ例えばトランジスタ４４のソースドレイン間電気抵抗値を変化させるため、データ書込先カラムに係るデータライン４６にデータ相応の電圧を印加し、他のデータラインやゲートラインは浮かせておく。次いで、データ書込先ローに係るゲートライン４３を所要電位にすることで、トランジスタ４４をターンオン及び導通させる。トランジスタ４４の導通に伴いそのメモリセル４２内の電荷蓄積用コンデンサ５０にはライン４６から電圧が加わるが、セル４２と同じローに属する他のメモリセル内のコンデンサやそのセルの接続先データラインはセル内トランジスタの容量を介しライン４３につながり同電位になるだけである。従って、トランジスタ４４ではゲートバイアスを受けてそのソースドレイン間抵抗値が変化することとなるが、他セル内のトランジスタではそうならない。トランジスタ４４のソースドレイン間電気抵抗値を変化させた後は、ライン４６を接地電位に戻すことでそのトランジスタ４４を接地電位に接続した後、ライン４３を速やかに接地電位にする。

小型化の妨げ

WO2003028212
"[0003] In wireless communication devices (e.g., radio frequency (RF) devices and cellular communication devices), resonators are typically used for signal filtering and generation purposes. Currently, discrete crystals are often used to make the resonators. Such off-chip resonators are typically implemented at the board level and therefore impede the ultimate miniaturization of portable transceivers."

通常、無線通信デバイス（例えば無線周波数（ＲＦ）デバイスおよびセル方式通信装置）において、信号のフィルタリングと生成のために共振器が使用される。現在、共振器を製作するために、分離結晶がしばしば使用される。通常、このようなオフチップ共振器は基板レベルで実施され、従って、携帯用トランシーバの究極的な小型化の妨げとなる。

WO2011028324
"[0005] Another issue concerning pacemaker leads is the difficulty in designing a lead body with fluoropacity for visualization during and after implantation of the lead in a patient's body. Current technology places a radiopaque ring on the lead body for visualization of the lead in vivo. Radiopaque rings are not amenable to irregular lead body shapes and, again, the size of the radiopaque ring may prevent a substantial reduction in the overall lead body diameter."

ペースメーカーリードに関するさらに別の問題としては、植え込み中又は植え込み後の視覚化を目的としてリード本体にＸ線不透過性を有させるよう設計することが困難であるという問題がある。従来技術においては、リード本体にＸ線不透過性リングを配置することにより生体内における視覚化を可能にしている。しかし、Ｘ線不透過性リングは、リード本体の不規則な形状に適合しやすいものではなく、さらに、リード本体の小型化の妨げにもなるものである。

二重に

WO2017044790
"[00108] Comparing the visualized image 300 illustrated in FIG. 11A with the visualized image 815 illustrated in FIG. 11B, the portion of the visualized images at the focal depth is substantially the same. In other words, the far portion 305 of the image 300 shown in FIG. 11A is substantially the same as the far portion 305 of the image 815 shown in FIG. 11B. The mid portion 310 and the near portion 315 of the image 300 shown in FIG. 11A are different than the mid portion 310 and the near portion 315 of the image 815 shown in FIG. 11B. For example, the mid portion 310 and the near portion 315 of the image 300 shown in FIG. 11A are doubled and the mid portion 310 and the near portion 315 of the image 815 shown in FIG. 11B are tripled. The difference between the visualized image 300 shown in FIG. 11A and the rendered visualized image 815 shown in FIG. 1 IB is acceptable, because the human visual system can only see clearly at one depth of focus."

図１１Ａに示す視覚化された画像３００を図１１Ｂの視覚化された画像８１５と比較すると、視覚化された画像の焦点深度における部分は実質的に同じである。換言すれば、図１１Ａに示す画像３００の遠方部分３０５は、図１１Ｂに示される画像８１５の遠方部分３０５と実質的に同じである。図１１Ａに示す画像３００の中間部分３１０および近方部分３１５は、図１１Ｂに示される画像８１５の中間部分３１０および近方部分３１５とは異なる。例えば、図１１Ａに示す画像３００の中間部分３１０および近方部分３１５は二重にされ、図１１Ｂに示す画像８１５の中間部分３１０および近方部分３１５は三重にされる。図１１Ａに示される視覚化された画像３００と図１１Ｂに示すレンダリングされた視覚化された画像８１５との間の相違は許容可能であり、なぜならば、人間の視覚系は１つの焦点深度でしかはっきりと見ることができないためである。

US2008010407
"[0010] An example of a background function that can be performed on a parent entry in a table is invalidation. Without the invention, every child entry associated with the parent is invalidated as well. The process of invalidating these children might be cumbersome, such as exhaustively searching every entry of an array in the foreground (that is, deferring all new requests of the array until the invalidation is complete), or require special hardware (such as CAM arrays) that is expensive in complexity or chip area to accomplish, or require significant space and associated logic for structures like doubly-linked lists to maintain child entries associated with the same parent."

テーブル中の親のエントリで実行され得るバックグラウンド機能の例は無効化である。本発明がなければ、そのような親に関連する子のエントリが同様に無効化される。このように子を無効化するプロセスは面倒かもしれない。例えば、フォアグラウンド（即ち、無効化が完了するまでそのアレイの全ての新規なリクエストを遅らせる）でのアレイのエントリごとに徹底的にサーチするか、複雑さもしくは得ようとするチップ領域の点で高価な特別のハードウエア（CAMアレイなど）を必要とするか、あるいはその同じ親と関連する子のエントリを維持するように二重にリンクされたリストのような構造のための多くのスペースと関連ロジックとを必要とするなど、子を無効化するプロセスは面倒かもしれない。

EP3486780
"[0002] Aircraft have many redundant components to increase the reliability, integrity, or reliability and integrity of different aircraft systems. For example, components may be duplicated to increase the reliability of a system, increase the integrity of the system, or increase the reliability and the integrity of the system. This redundancy may be in the form of a duplicate system to improve system performance. For example, computer systems in aircraft may include information redundancy in addition to hardware redundancy. Inaccuracy in information can occur through various sources such as software issues, radiation, or other causes of sources."

航空機は、種々の航空機システムの信頼性、完全性、又は信頼性及び完全性を高めるために多くの冗長な構成要素を有する。例えば、システムの信頼性を高めるため、システムの完全性を高めるため、又はシステムの信頼性及び完全性を高めるために、構成要素が二重になっている場合がある。この冗長性は、システム性能を高めるために二重システムの形態を採り得る。例えば、航空機内のコンピュータシステムは、ハードウェアの冗長性に加えて情報の冗長性を含み得る。情報における誤りは、ソフトウェアの問題、放熱、又は他の原因などの様々な原因を介して生じ得る。

EP3062095
"[0012] The different advantageous embodiments recognize and take into account a number of different considerations. As used herein, "a number of items" means one or more items. For example, "a number of different considerations" means one or more considerations. The different illustrative embodiments recognize and take into account that out of tolerance conditions may result from undesirable drilling of a number of openings. For example, a hole with an undesirably large diameter may result in an out of tolerance condition. As another example, a double drilled opening may result in an out of tolerance condition. Yet further, an elongated opening may result in an out of tolerance condition. Further, the position of a fastener within an opening may result in an out of tolerance condition. For example, a fastener may not be centered within an opening."

種々の有用な実施形態は、いくつかの異なる検討事項を認識し、かつ考慮している。本書で使用する場合、「いくつかのアイテム」とは一又は複数のアイテムを意味する。例えば、「いくつかの異なる検討事項」は、一又は複数の検討事項を意味する。種々の例示的実施形態では、幾つかの開口部の望ましくない穴あけ加工から、許容誤差外の条件が生じうることを認識し、考慮している。例えば、孔の直径が所望以上に大きいことで、許容誤差外の条件が生じうる。別の例として、開口部を二重に穴あけ加工することにより、許容誤差外の条件が生じうる。又更に、開口部が細長いことで、許容誤差外の条件が生じうる。更に、開口部内のファスナの位置により、許容誤差外の条件が生じうる。例えば、ファスナが、開口部内の中央に配置されない場合がある。

EP2005521
"[0015] For a planar mesh to be formed into a doubly-curved surface shape, a certain variable strain should be imposed upon the mesh. The stiffer the mesh, the higher the resulting mesh strain variability."

平面的なメッシュを二重に湾曲した表面形状にするために、特定の可変歪みがメッシュにかけられるべきである。メッシュが硬くなればなるほど、結果として生じるメッシュの歪みのばらつきが激しくなる。

WO2016043897
"[0003] Several cameras may be mounted to a vehicle to capture all of the surroundings of the vehicle (i.e., the full 360 degrees). Such vehicle-mounted camera systems may utilize wide-angle cameras such as those having fisheye lenses (i.e., fisheye cameras) in order to minimize the number of cameras necessary to capture the vehicle surroundings. However, overlapping areas of neighboring cameras may result in different projections of a single real- world point, which may cause image ambiguity, duplicity, and/or invisible objects. For example, pedestrians walking in the overlapping area may be displayed twice or, worse, not at all. Because such vehicle-mounted camera systems provide the driver with a sense that she is able to see everything surrounding the vehicle, the danger associated with invisible objects (i.e., objects not being displayed) is amplified."

いくつかのカメラを車両に搭載して、車両の周囲のすべてを取得することができる（すなわち、３６０度全体）。このような車載カメラシステムは、車両の周囲を取得するのに必要なカメラの数を最小にするために、魚眼レンズなどを有する広角カメラ（すなわち、魚眼カメラ）を使用することがある。しかしながら、隣接するカメラの重なり合った領域は、画像のあいまい性、二重性、及び／又は不可視オブジェクトを生じる単一の実世界点（ａ  ｓｉｎｇｌｅ  ｒｅａｌ－ｗｏｒｌｄ  ｐｏｉｎｔ）のさまざまな投影をもたらすことがある。例えば、重なり合った領域を歩いている歩行者が二重に表示されたり、悪くすると、表示されなかったりする可能性がある。このような車載カメラシステムは、運転者に車両周囲のすべてを見ることができるという感覚を運転者に与えるので、不可視オブジェクト（すなわち、表示されていないオブジェクト）に関連する危険が増幅される。

EP1356956
""super single tire" refers to a tire which replaces dual mounted tires on a specific axle; they are low aspect ratio tires and have a section width exceeding the section width of one of the previously dual mounted tires but inferior to the dual assembly width;
"tread width (TW)" means the arc length of the tread surface in the axial direction, that is, in a plane passing through the axis of rotation of the tire."

【００３１】“スーパーシングルタイヤ”とは、ある車軸に二重に装着されるタイヤ（デュアルマウンテッドタイヤ、ダブルタイヤともいう）に代わるタイヤを指し、低アスペクト比のタイヤであり、従来のデュアルマウンテッドタイヤのうちの１つの断面幅よりも大きいが、二重になるように組み立てられた状態のデュアルマウンテッドタイヤよりは小さい断面幅を有している。
【００３２】“トレッド幅（ＴＷ）”とは、軸線方向のトレッド表面、すなわちタイヤの回転軸を通る平面内の円弧の長さである。

要求の妨げ

US10370027
"The prior art is that the trailing axle is steered via a hydraulic cylinder. The oil is pumped via a pump, which is driven via the internal combustion engine, into one or the other cylinder chamber, depending on how the valves are controlled. Therefore, in particular during straight-ahead travel, in which the vehicle remains for a long time, the hydraulic pump would be driven continuously although this is not necessary. In this operating state, the hydraulics generate losses, which are not countered by any added value. This is contrary to the requirement for a lower fuel consumption of the vehicle."

従来技術では、ＮＬＡが油圧シリンダを介して操縦されている。オイルは内燃エンジンを介して駆動されるポンプを介して、どのように弁が切り替えられるかに依存して、一方のまたは他方のシリンダ室に入れられる。したがって、車両が長時間直進走行状態にある際に、必要でないにも拘わらず、油圧ポンプは常に作動させられる。この運転状態において油圧装置は、対する付加価値が何もない損失を発生させる。これは車両の低い燃料需要に基づく要求の妨げになる。

少ない損失で

WO2006078496
"[0017] To illustrate, Figure 3 is a diagram illustrating the relationship of output power with respect to input power for various reverse bias voltage values in an embodiment of a variable optical power limiter according to embodiments of the present invention. In particular, Figure 3 illustrates light transmission curves according to embodiments of the present invention. As shown, the output power level of optical beam 114 output from optical waveguide 103 depends at lower input power levels on the input power level of the optical beam 113. At low input power levels for optical beam 113, the silicon of semiconductor material 105 is transparent for infrared (IR) light because the band gap of silicon is greater than the photon energy of optical beam 113. Therefore, this optical power limiter 101 transmits substantially all of the IR light of output optical abeam 114 with very low loss. As can be observed in Figure 3, the output power level at low input power levels depends linearly on the input power level."

説明するように、図３は、本発明の実施例に従う可変の光学パワーリミッタの実施例における様々な逆バイアス電圧値の入力パワーに対する、出力パワーの関係を説明する図である。特に、図３は、本発明の実施例に従う光の伝送曲線を説明する。示したように、光学導波路１０３からの光学ビーム１１４の出力のその出力パワーレベルは、より低い入力パワーレベルにおいてその光学ビーム１１３のその入力パワーレベルに依存する。光学ビーム１１３のための低い入力パワーレベルにおいて、半導体物質１０５のそのシリコンは、シリコンのバンドギャップが光学ビーム１１３の光子エネルギーより大きいので、赤外（ＩＲ）光に対し透明である。そのため、この光学パワーリミッタ１０１は、出力光学ビーム１１４の実質的に全ての赤外光をとても少ない損失で伝送する。図３において観察できるように、低い入力パワーレベルにおけるその出力のパワーレベルはその入力のパワーレベルにリニアに依存する。

EP2407298
"[0046] The Q factor of a welder is a function of the quality of its springs, coils, lamination carriers, drive and the actual upper tooling. While springs, coils, lamination carriers and drives have fairly good repeatability and tight tolerances (since they are standard components shared among the machines), the upper tooling is unique to every part being welded. Therefore, the quality of the tooling design and manufacturing can have a significant effect on the overall welder performance. A typical value of the Q factor for a vibration welder is between 100 and 160. The higher value indicates a better built system that runs more efficiently with fewer losses and is more reliable. This value is measured and stored in the machine controller during the factory testing. As the machine ages, the Q is monitored and compared to the original value. Its decrease can serve as an early warning of the tool or machine deterioration. It is also valuable for troubleshooting purposes. A user may set limits around the Q value to warn of such occurrences. If a user changes the tool, a new Q value is calculated. This feature can also be used as a quantative measure of the tool quality, once the new tool is tested."

  [0046]  溶接装置のＱファクタは、そのばね、コイル、積層担体(lamination carrier)、駆動および実際の上部工具(upper tooling)の品質の関数である。ばね、コイル、積層担体、およびドライブは、かなり正確な再現性および厳格な許容度を有するが（何故なら、これらは機械間で共有されている標準的な構成部品であるからである）、上部工具は溶接される部品毎に唯一である。したがって、工具の設計および製造の品質は、溶接装置全体の性能に大きな影響を及ぼす可能性がある。振動溶接装置のＱファクタに典型的な値は、１００および１６０の間である。この値が大きい程、構築されるシステムは優れており、少ない損失で効率的に動作し、信頼性も高い。この値は、工場検査の間に測定され機械コントローラに格納される。機械は経年変化するので、Ｑを監視し元の値と比較する。その減少は、工具および機械劣化の早期警告として役立つことができる。また、これはトラブルシューティングの目的にも有益である。ユーザは、このような発生を警告するために、Ｑ値付近に制限を設定することができる。ユーザが工具を交換する場合、新たなＱ値を計算する。また、一旦新たな工具を検査したなら、この機構は、工具の品質の定量的尺度としても用いることができる。

US2017264169
"[0006] A diffuser is arranged between the fan and the cooler which is designed to widen the flow with low losses in order to enable a more uniform flow onto the cooler."

送風機と冷却器との間には、ディフューザが配置されており、ディフューザは、少ない損失で流れを拡散し、冷却器に対して均等な流れが供給可能になるように構成されている。

WO2015065836
"The test can clearly show how each various types and extents of compaction impact how the rheology modifier changes viscosity over time. By significantly reducing the rate of hydration of the rheology modifiers in the system, the system can be processed with significantly less losses."

試験は、様々な種類及び圧密の程度のそれぞれが、レオロジー改質剤がどのように経時的に粘度を変化させるかに対して、どのように影響を及ぼすかを明らかに示すことができる。システム内のレオロジー改質剤の水和速度を著しく低減することによって、システムは、著しく少ない損失で処理され得る。

WO2013101376
"The primary function of transformers is to raise or lower the alternating voltage in a substation according to requirements in order to transmit electricity at a low loss over long distances via transmission and distribution lines. During this process the transformer becomes hot, and this heat must be dissipated by means of a liquid coolant."

変圧器の主要な機能は、長距離にわたって送電線及び配電線を介して少ない損失で電気を送るために、変電所において要求に従って交流電圧を上下させることである。このプロセス中、変圧器が熱くなるので、この熱を冷却液によって放散させなければならない。

に設ける

WO2012074783
"The latter of the two embodiments mentioned above— that is, the embodiment where the second distance is greater than distance 155, or, in other words, where surface 111 of die 110 extends below plane 150— may be accomplished by increasing the thickness of the die, in a manner such as that shown in FIG. 2. Alternatively, it may be accomplished with a die having a thickness similar to that shown in FIG. 1 by manipulating the thicknesses of the various package substrate layers and/or by manipulating the level at which such a (relatively thin) die is located within the package substrate. This latter embodiment, though it has a larger z-height than does the embodiment of FIG. 1 , offers a potential advantage in terms of thermal management capabilities, as will be further discussed below."

上述した２つの実施形態のうち、後者の実施形態（つまり、第２の距離が距離１５５より長い実施形態であって、言い換えると、ダイ１１０の表面１１１が平面１５０の下に延びている実施形態）は、図２に示すように、ダイの厚みを大きくすることで、達成することができる。または、様々なパッケージ基板の厚みを操作すること、および、（比較的薄い）ダイをパッケージ基板に設けるレベルを操作すること、の片方または両方により、図１に示すものに類似した厚みを有するダイを利用しても、達成することができる。この後者の実施形態では、ｚ高が図１の実施形態より大きいが、後で説明するように、このほうが熱管理機能面では有利な場合もある。

WO2014149286
"[0012] The polymer layer 90 includes a silicon-containing antireflective coating (SiARC) material. As used herein, an antireflective coating material refers to a material that reduces reflection of ultraviolet light at a wavelength selected from the range of ultraviolet radiation, i.e., the wavelength range from 10 nm to 400 nm. The polymer layer 90 can be a monitor substrate for monitoring the thickness of an antireflective coating (ARC) layer to be applied or previously applied on a product substrate, i.e., a substrate including patterned structures for manufacturing semiconductor devices thereupon. The thickness of the polymer layer 90 can be from 10 nm to 100 nm, although lesser and greater thicknesses can also be employed."

 ポリマー層９０はケイ素含有反射防止膜（ＳｉＡＲＣ）材料を含む。ここで用いられる「反射防止膜材料」は、紫外線放射の範囲、即ち、１０ｎｍ～４００ｎｍの波長範囲から選択される波長の紫外線の反射を低減する材料をいう。ポリマー層９０は、製品基板、即ち上に半導体デバイスを製造するためのパターン構造を含む基板に設けるか、予め設けられた反射防止膜（ＡＲＣ）層の厚さをモニタリングするためのモニタ基板とすることができる。ポリマー層９０の厚さは１０ｎｍ～１００ｎｍとすることができるが、それより厚いか薄い厚さを用いることもできる。

EP0987336
"[0069] The channels 27 may be provided in the substrate such that they are all parallel. Alternatively, the channels may not all be parallel. For example, the substrate could include some channels that are perpendicular to others."

溝２７は、それらがすべて平行になるように基板に設けることができる。代替方法として、溝はすべてが平行でなくてもよい。例えば、基板は相互に垂直な幾つかの溝を含むことができる。

WO2018180703
"[0006] In another embodiment, a method of forming a power module is provided. The method includes providing a first conductive substrate on a first substrate, arranging a first plurality of power semiconductor switches on the first conductive substrate, and electrically coupling the first conductive substrate to a first terminal and to at least one second conductive substrate. The method also includes providing a third conductive substrate on a second substrate, arranging a second plurality of power semiconductor switches on the third conductive substrate, and electrically coupling the third conductive substrate to the second conductive substrate and to at least one fourth conductive substrate. The method further includes electrically coupling the fourth conductive substrate to a second terminal."

別の実施形態では、パワーモジュールを形成する方法が提供される。方法は、第１の導電性基板を第１の基板に設けることと、第１の複数のパワー半導体スイッチを第１の導電性基板に配置することと、第１の導電性基板を第１の端子および少なくとも１つの第２の導電性基板に電気結合することとを含む。方法はまた、第３の導電性基板を第２の基板に設けることと、第２の複数のパワー半導体スイッチを第３の導電性基板に配置することと、第３の導電性基板を第２の導電性基板および少なくとも１つの第４の導電性基板に電気結合することとを含む。方法は、第４の導電性基板を第２の端子に電気結合することをさらに含む。

WO2009152477
"[000171] FIGs. 48-54 illustrate yet another embodiment of the dry powder inhaler. FIG. 48 depicts an inhaler 900 in an open configuration which is structurally configured similarly as inhaler 300 shown in FIGs. 12-15B. Inhaler 900 comprises mouthpiece 930 and housing subassembly 920 which are attached to one another by a hinge so that mouthpiece 930 pivots relative to the housing subassembly 920. Mouthpiece 930 further comprises integrally formed side panels 932 wider than housing 920, which engage with housing protrusions 905 to attain the closed configuration of inhaler 900. Mouthpiece 930 further comprises air inlet 910, air outlet 935; air flow conduit 940 extending from air inlet 910 to air outlet 935 for contacting a user's lips or mouth, and aperture 955 on the floor or bottom surface which communicates with airflow conduit 940 of the inhaler. FIG. 49 illustrates inhaler 900 in an exploded view, showing the component parts of the inhaler, including the mouthpiece 930 and housing subassembly 920. As depicted in FIG. 49, the mouthpiece is configured as a single component and further comprises a bar, cylinder or tube 911 configured with teeth or gear 913 for articulating with housing 920 so that movement of mouthpiece 930 relative to housing 920 in an angular direction attains closure of the device. An air channel 912 can be provided to the housing which can direct an air flow towards mouthpiece air inlet 910. Air channel 912 is configured so that in use, a user's finger placed over the channel cannot limit or obstruct airflow into air conduit 940."

図４８～５４は、乾燥粉末吸入器のさらに別の実施形態を示す。図４８は、図１２～１５Ｂに示される吸入器３００と同様の構造に構成された、開放形態にある吸入器９００を示す。吸入器９００は、マウスピース９３０がハウジングサブアセンブリ９２０に対して枢動するように、ヒンジによって互いに取り付けられた、マウスピース９３０およびハウジングサブアセンブリ９２０を備える。マウスピース９３０はさらに、ハウジング９２０よりも幅広く、ハウジングの突出部９０５と係合して吸入器９００の閉止形態に到達する、一体的に形成されたサイドパネル９３２を備える。マウスピース９３０はさらに、空気入口９１０と、空気出口９３５と、空気入口９１０からユーザの唇または口に接触する空気出口９３５まで延在するフロー導管９４０と、吸入器の気流導管９４０と連通する床部または底面上のアパーチャ９５５とを備える。図４９は、マウスピース９３０およびハウジングサブアセンブリ９２０を含む、吸入器の構成部品を示す吸入器９００の分解組立図を示す。図４９に示されるように、マウスピースは単一の構成要素として構成され、さらに、ハウジング９２０に対するマウスピース９３０の角方向での移動によってデバイスの閉止に到達するように、ハウジング９２０と関節接合する歯もしくは歯車９１３を備えて構成されたバー、シリンダ、またはチューブ９１１を備える。気流をマウスピースの空気入口９１０に向かって方向付けることができる、空気チャネル９１２をハウジングに設けることができる。空気チャネル９１２は、使用の際、チャネルの上に位置するユーザの指が空気路９４０に入る気流を制限または妨害することがないように構成される。

US10275032
"In another embodiment hereof, touchpad 214 can be provided in a separate housing that is connected to a port of computer 210 via a cable or via wireless transmission and which receives force information from and sends position information to computer 210. For example, Universal Serial Bus (USB), Firewire, or a standard serial bus can connect such a touchpad to computer 210. In such an embodiment, computer 210 can be any desktop or stationary computer or device and need not be a portable device."

 本明細書の別の実施形態において、タッチパッド２１４は、ケーブル又は無線伝送を介してコンピューター２１０のポートに接続され、コンピューター２１０から力情報を受信し、コンピューター２１０に位置情報を送信する、別個のハウジングに設けることができる。例えば、ユニバーサルシリアルバス（ＵＳＢ）、ファイヤーワイヤ、又は標準的なシリアルバスにより、そのようなタッチパッドをコンピューター２１０に接続することができる。そのような一実施形態において、コンピューター２１０は、任意のデスクトップコンピューター若しくはデバイス又は据え置き型コンピューター若しくはデバイスとすることができ、ポータブルデバイスである必要はない。

「物体を別の物体に物理的に設ける（取り付ける、一部とする、含ませる）」の意味で、provided toで良いのか？
送る、与えるの意味でのprovide toなら違和感は感じないが。

一体成型

EP3305349
"[0109] In some embodiments, the extension and the reservoir may be formed as an integrally molded unit. Alternatively or additionally, the extension may be molded separately from the reservoir and/or attached thereto. Optionally, the fluid path may include a needle, which is optionally bent. The needle is optionally insert molded into a molded component of the extension and/or the reservoir. For example, the molded component may be made of Daikyo Resin CZ (Crystal Zenith) or other Cyclic Olefin Polymer (COP) or any moldable material suitable to use with drug product."

いくつかの実施形態では、延伸部および貯蔵部は、一体成型ユニットとして形成されてよい。それに代えてまたはそれに加えて、延伸部は貯蔵部とは別々に成形されてよく、かつ／または、貯蔵部に取り付けられてよい。任意で、流体路は針を含んでよく、当該針は任意で曲げてよい。当該針は、任意で、延伸部および／または貯蔵部の成型部品内にインサート成形されてよい。例えば、成型部品は、Ｄａｉｋｙｏ  Ｒｅｓｉｎ  ＣＺ  （Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｚｅｎｉｔｈ）または他の環状オレフィンポリマー（ＣＯＰ）または薬剤製品とともに用いるのに適した任意の成形用材料から作られてよい。

一括成形

EP2825331
"The present invention contemplates fabrication of articles singly or in batches. Figure 10 illustrates two single piece blow-molding processes, while Figure 11 diagram of a large scale or batch molding process.
本発明は、単一又は群での物品の製造を意図する。図１０は２つの単一片のブロー成形工程を示し、一方で図１１は大規模又は一括成形工程の略図を示す。

It is possible to have a wafer type mold that has hundreds of cavities. One must first create a BMG sheet sufficiently large to cover the wafer and then blow mold.
数百の空洞を有するウエハータイプの金型を有することが可能である。最初にウエハーを覆う十分に大きいバルク金属ガラス（ＢＭＧ）のシートを作って、ブロー成形する必要がある。

The BMG sheet may be formed by a rolling process as discussed hereinabove with respect to ribbons, the sheet having much longer and wider dimensions. This allows the fabrication of hundreds of articles at once, which is required for large-scale commercialization."
バルク金属ガラス（ＢＭＧ）のシートは、薄帯に関して上述したようにして、圧延工程によって形成されることができ、シートはそれよりも非常に長くて幅広い寸法を有する。これは、大規模商業化に必要とされる、一度に数百の物品の製造を可能にする。

WO2004093189
"Compliant pad 110 may be any suitable shape within the parameters described herein. In an embodiment of the invention, it is a precisely formed shape, such as a molded shape.
コンプライアントパッド１１０は、本願に記載する限定条件の範囲内で、任意の適切な形状とすることができる。本発明の一実施例においては、コンプライアントパッドは成形形材のような精密に形成された形状よりなる。

In alternative embodiments, pad 110 may be a less well-defined shape, such as a relatively amorphous dollop.
他のいくつかの実施例においては、パッド１１０は、比較的無定形のドロップ（ｄｏｌｌｏｐ；半流動塊）のような輪郭があまりはっきりしていない形状のものもある。

The morphology of the pad may be imparted to a relatively rigid metallic tip and beam that are deposited over the pad surface.
パッドの形状・構造は、パッド表面に付着させた比較的硬質の金属の先端部およびビームに付与することができる。

To ensure a high degree of uniformity across densely populated spring contact arrays, each pad may be formed using a parallel process that minimizes variability between pads.
高密集状のスプリングコンタクトアレイ全体にわたって高い一様性を確保するために、各パッドは、パッド間のばらつきが最小限に抑えられる並行プロセスを用いて形成することが可能である。

Parallel formation, such as molding en masse, provides the further benefit of requiring less time than individual dollop formation."
一括成形のような並行形成によれば、個々にドロップを形成するよりも所要時間が短くなるという別の利点もある。

US10196472(JP)
"A set of molds for integrated molding is equipped. The set of molds is provided with a single cavity in which 196 cavities with dimensions of 3 mm×3 mm×1 mm are disposed in matrix of 14 lines and 14 rows. In a state a copper lead frame is set in the set of molds, the molding material is transfer-molded. Transfer-molding conditions are follows: the mold temperature is 170° C., the transfer pressure is 8 MPa, and the curing time is 90 sec. The single obtained molded body is cut by a dicing saw to cut out 196 light-reflecting bodies."
３ｍｍ×３ｍｍ×１ｍｍの寸法の１９６個の空洞が連なって１４行１４列のマトリックス状に配置されることで一つの空洞を構成している一括成形用金型を用意した。この一括成形用金型内に銅製のリードフレームをセットした状態で、成形材料をトランスファ成形した。トランスファ成形条件は、金型温度１７０℃、トランスファ圧力８ＭＰａ、硬化時間９０秒とした。これにより得られた成形体をダイシングソーで切断することで、一つの成形体から１９６個の光反射体を切り出した。

EP3007319(JP)
"[0083] By shaping collectively, it becomes possible to reduce a process, a facility, and a time for working. Therefore, the stator core 2 can be assembled with low cost, and assembly performance is also improved. In addition, the degree of contact between the slot accommodated portions 12 increases, and positional deviation can be suppressed."
また、一括成形により、作業工程、設備、時間の短縮が可能となるため、固定子コア２を安価に組み立てることができ、かつ、組立性も向上する。また、スロット収納部１２の密着度が増し、位置ずれを抑制することができるため

US2015077839(JP)
"[0054] Next, description will be given to the molding of a lens array with reference to FIGS. 5 to 8. In the case where a lens array including a plurality of optical surfaces is collectively molded by press-molding between the molding dies, any one of the following two methods may be employed."
次に、レンズアレイの成形について、図５～図８を用いて説明する。複数の光学面を有するレンズアレイを金型間のプレス成形で一括成形する場合、次のいずれの方法も取り得る。

再生

EP3005073
"[0095] The audio codec 276 converts the synchronized audio data from a digital format into an analog format to generate audio signals and the audio signals are played back by the speakers 260 to generate sound. The video decoder 255 decodes, e.g., changes from a digital form to an analog form, etc., the synchronized video data to generate analog video signals. The microcontroller 268 executes the rendering program 286 to display a game on the display screen 266 based on the analog video signals that are generated by the video decoder 255. In some embodiments, the game displayed on the display screen 266 is displayed synchronous with the playback of the audio signals."

オーディオコーデック２７６は同期された音声データをデジタル形式からアナログ形式へと転換して音声信号を生成し、スピーカ２６０によって音声信号が再生されて音声が生成される。ビデオデコーダ２５５は、たとえばデジタル形式からアナログ形式に変更するなどして同期されたビデオデータをデコードし、アナログビデオ信号を生成する。マイクロコントローラ２６８はビデオデコーダ２５５により生成されたアナログビデオ信号に基づいてレンダリングプログラム２８６を実行し、表示画面２６６上にゲームを表示する。いくつかの実施形態では、表示画面２６６上に表示されたゲームは、音声信号の再生と同期させて表示される。

WO2017112434
"[0005] To reduce the difference between the first audio signal and the second audio signal (and to reduce the number of bits used to encode the side-channel), the first audio signal and the second audio signal may be temporally aligned. For example, a frame of the second audio signal may be time-shifted to temporally align the frame of the second audio signal with a corresponding frame of the first audio signal. Because the distance between the sound source and the microphones may change, a shift amount (e.g., an amount of samples that the second audio signal is shifted) may change from frame to frame. If the shift values between two frames are different, a discontinuity may be introduced at the boundary between the two frames. For example, due to the difference in shift values, one or more samples may be skipped or repeated from one frame to the next. Discontinuities at frame boundaries of the audio signals may result in audible clicks or other audio artifacts during playback of the audio signals."

  [0005]第１の音声信号と第２の音声信号との間の差を減少させるために、（およびサイドチャネルを符号化するために使用されるビットの数を減少させるために）、第１の音声信号および第２の音声信号は、時間的にアラインされ得る。例えば、第２の音声信号のフレームは、第２の音声信号のフレームを第１の音声信号の対応するフレームと時間的にアラインするためにタイムシフトされ得る。音源とマイクロフォンとの間の差が、変化し得るため、シフト量（例えば、第２の音声信号がシフトされるサンプルの量）は、フレームごとに変化し得る。２つのフレーム間でのシフト値が異なる場合、不連続性が、２つのフレーム間の境界において、導入され得る。例えば、シフト値における差に起因して、１つまたは複数のサンプルは、あるフレームから次に繰り返され得るか、またはスキップされ得る。音声信号のフレーム境界における不連続性は、音声信号の再生の間に、聞こえるカチッという音または他の音声アーティファクトをもたらし得る。

EP3136543
"[0015] The exemplary hand held electronic device, illustrated in FIG. 1 , additionally includes a speaker 106 and a microphone 108 in support of voice communications. The speaker 106 may additionally support the reproduction of an audio signal, which could be a stand-alone signal, such as for use in the playing of music, or can be part of a multimedia presentation, such as for use in the playing of a movie, which might have at least an audio as well as a visual component. The speaker may also include the capability to also produce a vibratory effect. However, in some instances, the purposeful production of vibrational effects may be associated with a separate element, not shown, which is internal to the device. Generally, the speaker is located toward the top of the device, which corresponds to an orientation consistent with the respective portion of the device facing in an upward direction during usage in support of a voice communication. In such an instance, the speaker 106 might be intended to align with the ear of the user, and the microphone 108 might be intended to align with the mouth of the user. Also located near the top of the device, in the illustrated embodiment, is a front facing camera 110."

また、図１に示す例示的な手持ち電子機器は、音声通信を支援するスピーカ１０６およびマイク１０８をさらに具備する。スピーカ１０６は、音声信号の再生に別途対応していてもよく、楽曲の再生に用いられるような独立した信号または少なくとも音声成分および視覚成分を有し得る映画の再生に用いられるようなマルチメディア提示の一部が可能である。また、スピーカは、振動効果を生じる機能も含み得る。ただし、いくつかの例において、振動効果の意図した生成は、機器内部の別個の要素（図示せず）と関連付けられていてもよい。一般的に、スピーカは、機器の頂部近くに位置付けられ、音声通信を支援する使用に際して上方を向く機器の各部に一致した配向に対応する。このような例において、スピーカ１０６は、ユーザの耳との合致を意図していてもよく、マイク１０８は、ユーザの口との合致を意図していてもよい。また、図示の実施形態においては、機器の頂部近くに前面カメラ１１０も位置付けられている。

WO2015121641
"This invention relates to an electrostatic transducer and is particularly but not exclusively concerned with a loudspeaker suitable for reproducing audio signals."

本発明は、静電型トランスデューサに関し、特に音声信号の再生に適したスピーカに関するが、これに限定されない。

WO2015177787
"1. A method of using an earphone output speaker as a microphone for a phone call between a plurality of participants, comprising: 

playing a received voice signal to at least one electro-acoustic output transducer of at least one earphone, wherein said received voice signal is a voice of a remote participant recorded from a remote client terminal;

 

instructing an audio processing integrated circuit of a local client terminal to record a voice signal from same said at least one electro-acoustic output transducer, wherein said voice signal is a voice of a local participant using said local client terminal;

 

calculating a transmission voice signal based on a function combining said recorded voice signal, said received voice signal, and filtration coefficients, using a processing unit of said local client terminal; and

 

sending said transmission voice signal through an output interface of said local client terminal, thereby enabling acoustic voice playing of said transmission voice signal on said remote client terminal at a remote location for a phone call communication."

 リモートのクライアント端末から記録されたリモートの参加者の音声である受け取られた音声信号を、少なくとも1つのイヤホンの少なくとも1つの電気音響出力変換器に再生する工程;
  ローカルのクライアント端末のオーディオ処理集積回路に対し、前記ローカルのクライアント端末を使用しているローカルの参加者の音声である音声信号を同じ前記少なくとも1つの電気音響出力変換器から記録するよう命令する工程;
  前記ローカルのクライアント端末の処理ユニットを使用して、前記記録された音声信号、前記受け取られた音声信号、およびフィルトレーション係数を組み合わせる関数に基づいて、伝送音声信号を計算する工程;ならびに
  前記ローカルのクライアント端末の出力インタフェースを通して前記伝送音声信号を送り、それによって、通話コミュニケーションのために遠隔地での前記リモートのクライアント端末上での前記伝送音声信号の音響音声の再生を可能にする工程
を含む、複数の参加者の間での通話のためのマイクロホンとしてイヤホン出力スピーカを使用する方法。

EP2728436
"5. The apparatus of claim 4, in which the plurality of speakers comprise separate speakers configured to provide stereophonic sound reproduction, and wherein each the power source of the circuitry board, a power source of the mobile electronics device is a battery."

  前記複数のスピーカがステレオ音声の再生を提供するように構成された別々のスピーカを含み、前記回路基板の各前記電源、前記モバイル電子装置の電源がバッテリである、請求項４に記載の機器。

音像定位

WO2013149670
"There are several spatial cues or parameters that may be used for synthesizing multichannel audio signals. First, the inter-channel level difference (ILD) indicates a difference between the levels of audio signals on two channels to be compared. Second, the inter- channel time difference (ITD) indicates the difference in arrival time of sound between the ears of a human listener. The ITD value is important for the localization of sound, as it provides a cue to identify the direction or angle of incidence of the sound source relative to the ears of the listener. Third, the inter-channel phase difference (IPD) specifies the relative phase difference between the two channels to be compared. A subband IPD value may be used as an estimate of the subband ITD value. Finally, inter-channel coherence (ICC) is defined as the normalized inter-channel cross-correlation after a phase alignment according to the ITD or IPD. The ICC value may be used to estimate the width of a sound source. "

マルチチャネルオーディオ信号を合成するために使用され得るいくつかの空間キューまたはパラメータがある。第1に、チャネル間レベル差(ILD)が、比較されるべき2つのチャネル上のオーディオ信号のレベル間の差を示す。第2に、チャネル間時間差(ITD)が、人間の聴取者の両耳の間の音の到達時間の差を示す。ITD値は、聴取者の両耳に対する音源の入射方向または入射角を特定するための手がかりを提供するので、音像定位のために重要である。第3に、チャネル間位相差(IPD)が、比較されるべき2つのチャネル間の相対位相差を指定する。サブバンドIPD値は、サブバンドITD値の推定値として使用され得る。最後に、チャネル間コヒーレンス(ICC)が、ITDまたはIPDに応じた位相調整後の正規化されたチャネル間の相互相関として定義される。ICC値は、音源の幅を推定するために使用され得る。

WO2013142653
"The creation of the coupled HRTF sets makes use of the Duplex Theory of Sound Localization, proposed by Lord Rayleigh. The Duplex Theory asserts that time-delay differences in HRTFs provide important cues for human listeners at lower frequencies (up to a frequency in the range from about 1000 Hz to about 1500Hz), and that amplitude differences provide important cues for human listeners at higher frequencies. The Duplex Theory does not imply that the phase or delay properties of HRTFs at higher frequencies are totally unimportant, but simply says that they are of relatively lower importance, with amplitude differences being more important at high frequencies."

諸結合HRTF集合の生成は、レイリー卿によって提案された「音像定位の二元説」を利用する。二元説によれば、低周波（約1000Hzないし約1500Hzの範囲の周波数まで）では人間の聴取者にとってHRTFの時間遅延の差が重要な手がかりを与え、より高い周波数では人間の聴取者にとって振幅差が重要な手がかりを与える。二元説は、より高い周波数でHRTFの位相または遅延属性が全く重要でないというわけではなく、単に、高周波では振幅差がより重要であり、位相または遅延属性は相対的に重要性が低いことをいうものである。

通話相手

WO2011100113
"At step 406, data associated with a user's communication to other parties is stored. In an exemplary embodiment, this data is stored locally on a user's UE, as the UE would likely have ready access to this information. This data includes relevant information such as phone calls received by the user, phone calls dialed by the user, or data otherwise associated with missed calls on a user's UE. In addition, data associated with the duration of phone calls received and phone calls dialed is also stored. Furthermore, information about the parties involved in the call as well as the number (i.e. work, home, cellular, etc.) utilized for that call will also be stored. In addition to information regarding phone calls, the data stored could also keep track of SMS texts, e-mails, instant messages, as well as to the presentation of recently accessed and/or (recently consumed) files, such as text files, spreadsheets, presentations, media files, mp3 songs, etc."

ステップ４０６において、ユーザと相手との通信に関連するデータが格納される。例示的な一実施形態において、ＵＥがこの情報に容易にアクセスできる可能性が高いため、このデータはユーザのＵＥにローカルに格納される。このデータは、ユーザによる着信通話、ユーザによる発信通話又はユーザのＵＥにおける不在着信に関連するデータ等の関連情報を含む。更に、着信通話及び発信通話の長さに関連するデータが格納される。更に、通話相手に関する情報及び当該通話に利用された番号（すなわち、職場、自宅、携帯電話等）が更に格納される。通話に関する情報に加えて、格納されるデータはＳＭＳテキスト、電子メール、インスタントメッセージ、並びにテキストファイル、スプレッドシート、プレゼンテーション、メディアファイル、ｍｐ３の歌等の最近アクセスされた且つ／又は（最近消費した）ファイルを更に記録している。

WO2006022811
"In a first implementation, when the mobile phone user wishes to make a PTT connection, he presses and holds the PTT key 220. While holding the PTT key, he speaks the name of a contact or the name of a group that he wishes to establish a PTT connection 230. The mobile phone uses voice recognition processing to recognize the name of the contact or group 240. Upon recognition, the mobile phone will attempt to associate the recognized contact or group name with an entry in the mobile phone's memory (or SIM card) 245. The mobile phone will then display the contact name or group as it is listed in the mobile phone's memory (or SIM card) 250. The user will then decide whether to speak an additional contact name or group 260. If he does decide to add more contacts to the PTT connection, the mobile phone will repeat steps 240 and 250 until the user is finished. The user signals that he is finished by releasing the PTT key 270. This causes the mobile phone to initiate the establishment of a PTT connection 280 with everyone identified on the mobile phone's display."

第一の実施例においては、携帯電話ユーザがＰＴＴ接続を行おうとするとき、ＰＴＴキーを押して、そのまま押し続ける２２０。ＰＴＴキーを押しながら、ＰＴＴ接続を確立しようとする通話相手の名前、あるいはグループの名前を伝える２３０。携帯電話は、通話相手、もしくはグループの名前を認識する音声認識処理を使用する２４０。上記認識が行われると、携帯電話は、認識された通話相手あるいはグループの名前を携帯電話のメモリ（あるいはＳＩＭカード）内のエントリと関連付けることになる２４５。携帯電話は、携帯電話のメモリ（あるいはＳＩＭカード）の配列通りに通話相手の名前あるいはグループを表示する２５０。ユーザは、さらに別の通話相手の名前あるいはグループを話すかどうかを判断する２６０。ユーザが、別の通話相手をＰＴＴ接続に追加すると決めた場合、携帯電話は、ユーザーが止めるまでステップ２４０と２５０を繰り返すことになる。ユーザは、ＰＴＴキーを解放して終了することを信号で知らせる２７０。その結果、携帯電話のディスプレイ上で確認されたすべての人に対してＰＴＴ接続の確立２８０を開始する。

攻撃パケット

WO2016040485
"[00096] The system provides reliable identification of the virtual machine using the VMID which is embedded into the GRH.SDID of each packet by the HCA of the compute nodes. Thus, the identity of the attacker VM is known to the management stack 210 from the GRH- SGID associated with the attack packets. The management stack can take one or more of actions to stop the attack. For example the management stack can revoke the offending VMs access to the database access partition 204, thus preventing the VM from sending any further packets to the database nodes, Additionally, for example, the management stack can take actions to terminate operation of the VM depending upon the configuration of the management stack, or action taken by the system administrator. In this way the DoS packets can either be prevented from reaching the database nodes or the source of the DoS packets can be deactivated thereby achieving DoS protection functionality without a standard packet filtering firewall appliance."

システムは、コンピュートノードのＨＣＡによって各パケットのＧＲＨ．ＳＤＩＤに埋込まれているＶＭＩＤを用いて、仮想マシンの高信頼性の識別を提供する。したがって、攻撃者ＶＭのアイデンティティは、攻撃パケットに関連付けられているＧＲＨ－ＳＧＩＤから管理スタック２１０に知られている。管理スタックは、攻撃を停止する動作の１つ以上を取り得る。たとえば、管理スタックは、攻撃を仕掛けているＶＭのデータベースアクセスパーティション２０４へのアクセスを取消すことによって、当該ＶＭがさらなるパケットをデータベースノードに送信することを防止し得る。加えて、たとえば、管理スタックは、管理スタックの構成、またはシステムアドミニストレータが取る動作に依存して、ＶＭのオペレーションを終了する動作を取り得る。このように、ＤｏＳパケットがデータベースノードに到達することを防止することができるか、またはＤｏＳパケットのソースを非アクティブにすることによって、標準的なパケットフィルタリングファイアウォールアプライアンスを用いずにＤｏＳ保護機能を達成することができる。

素子分離領域

US2019098802
"[0047] The IC device 1600 may include one or more device layers 1604 disposed on the substrate 1602. The device layer 1604 may include features of one or more transistors 1640 (e.g., metal oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs)) formed on the substrate 1602. The device layer 1604 may include, for example, one or more source and/or drain (S/D) regions 1620, a gate 1622 to control current flow in the transistors 1640 between the S/D regions 1620, and one or more S/D contacts 1624 to route electrical signals to/from the S/D regions 1620. The transistors 1640 may include additional features not depicted for the sake of clarity, such as device isolation regions, gate contacts, and the like. The transistors 1640 are not limited to the type and configuration depicted in FIG. 8 and may include a wide variety of other types and configurations such as, for example, planar transistors, non-planar transistors, or a combination of both. Non-planar transistors may include FinFET transistors, such as double-gate transistors or tri-gate transistors, and wrap-around or all-around gate transistors, such as nanoribbon and nanowire transistors."

ＩＣデバイス１６００は、基板１６０２上に配置された１つ以上のデバイス層１６０４を含み得る。デバイス層１６０４は、基板１６０２上に形成された１つ以上のトランジスタ１６４０（例えば、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ））の機構を含み得る。デバイス層１６０４は、例えば、１つ以上のソース及び／又はドレイン（Ｓ
／Ｄ）領域１６２０と、Ｓ／Ｄ領域１６２０間のトランジスタ１６４０内の電流の流れを制御するためのゲート１６２２と、Ｓ／Ｄ領域１６２０へ／から電気信号をルーティングするための１つ以上のＳ／Ｄコンタクト１６２４とを含み得る。トランジスタ１６４０は、例えば素子分離領域、ゲートコンタクト、及びこれらに類するものなど、明瞭さのために図示していない更なる機構を含み得る。トランジスタ１６４０は、図８に示したタイプ及び構成に限定されず、例えばプレーナトランジスタ、非プレーナトランジスタ、又はこれら双方の組み合わせなど、多様なその他のタイプ及び構成を含み得る。非プレーナトランジスタは、例えばダブルゲートトランジスタ又はトライゲートトランジスタなどの、ＦｉｎＦＥＴトランジスタ、並びに、例えばナノリボン及びナノワイヤトランジスタなどの、ラップアラウンド又はオールアラウンドゲートトランジスタを含み得る。

US10049882
"Referring to FIG. 6, which is a layout view of a DRAM cell region, gates 230 extend across active regions 210 of a substrate along a horizontal direction, and global bit lines (GBLs) 240 extend across the active regions 210 along a vertical direction. A part of the substrate other than the active regions 210 is an isolation region 220."

図６を参照すると、ＤＲＡＭセル領域のレイアウト図が図示されている。基板の活性領域２１０をゲート２３０が横方向に通り過ぎ、ＧＢＬ（ｇｌｏｂａｌ  ｂｉｔ  ｌｉｎｅ、２４０）が縦方向に通り過ぎる。基板の活性領域２１０以外の部分は素子分離領域２２０である。

US10388346(JP)
"FIG. 12 is a typical cross-sectional view taken along a line segment A-A in FIG. 11. For purpose of explanation, a given Z direction perpendicular to the X direction and to the Y direction will be referred to as “upward” direction and the reverse direction as “downward” direction. An element isolation region 309 is formed over a semiconductor substrate 310. Typically, an interlayer dielectric film 301 is formed over the element isolation region 309. Wiring layers 305 and 308 are formed in the lowermost layer of the interlayer dielectric film 301. The wiring layer 305 is connected through a via contact 304 with a wiring layer 303 above. The wiring layer 308 is connected through a via contact 307 with a bottom electrode 306. The storage element 282 is formed between the bottom electrode 306 and the wiring layer 303. The wiring layer 303 is connected through a via contact 302 with the bit line BL2. In this structure, one end of the storage element 282 is connected through the wiring layer 303 and the via contact 302 with the bit line BL2."

図１２は、図１１における線分Ａ－Ａに沿った断面図の一例である。説明の便宜上、Ｘ方向およびＹ方向に垂直なＺ方向において所定の方向を「上」の方向とし、その逆方向を「下」の方向とする。半導体基板３１０の上に素子分離領域３０９が形成され、その上に層間絶縁膜３０１などが形成される。層間絶縁膜３０１において、最も下層に配線層３０５および３０８が形成される。その配線層３０５は、ビアコンタクト３０４を介して、その上方の配線層３０３と接続される。また、配線層３０８は、ビアコンタクト３０７を介して下部電極３０６と接続され、その下部電極３０６と配線層３０３との間に記憶素子２８２が形成される。配線層３０３は、ビアコンタクト３０２を介してビット線ＢＬ２に接続される。このように、記憶素子２８２の一端は、配線層３０３およびビアコンタクト３０２を介してビット線ＢＬ２に接続される。

US2018102426(JP)
"[0086] As illustrated in FIG. 14, in a plan view of semiconductor layer stacked body 105, semiconductor device 5 includes first active region 109 having a transistor function, second active region 113 spaced apart from first active region 109 via element isolation region 110, and third active region 535 spaced apart from first active region 109 via element isolation region 110."

図１４に示すように、半導体装置５は、半導体層積層体１０５を平面視した場合において、トランジスタ機能を有する第１の活性領域１０９と、第１の活性領域１０９と素子分離領域１１０を介して離間した第２の活性領域１１３と、第１の活性領域１０９と素子分離領域１１０を介して離間した第３の活性領域５３５とを含む。

人検出、不在時

WO2013074207
"The media asset 500 includes an asset ID 510, source file metadata 515, and references to various files. These files include an original imported media file 530, any transcoded versions of the media, file (e.g., a high resolution version 535 and a low resolution version 540), and any analysis data about the media file (e.g., a person detection data file 545 that identifies images in the source video with people in them, a color correction file 550 that stores automatic color balancing data, a shake correction file 555 that identifies and corrects camera shake in the video, audio correction files* etc.),"

[0071] メディアアセット５００は、アセットＩＤ ５１０、ソースファイルメタデータ５１５、及び様々なファイルへの参照を含む。これらのファイルには、オリジナルのインポートメディアファイル５３０、メディアファイルのトランスコードバージョン（例えば、高解像度バージョン５３５及び低解像度バージョン５４０）、及びメディアファイルに関する任意の解析データ（例えば、ソースビデオ内の画像の中に人がいる画像を特定する人検出データファイル５４５、自動カラーバランシングデータを記憶する色補正ファイル５５０、ビデオ内のカメラ手振れを特定し修正する手振れ補正ファイル５５５、オーディオ補正ファイルなど）が挙げられる。

WO2014047501
"[0063] Further included and illustrated in the exemplary smart-home environment 100 of FIG. 1 are service robots 162 each configured to carry out, in an autonomous manner, any of a variety of household tasks. For some embodiments, the service robots 162 can be respectively configured to perform floor sweeping, floor washing, etc. in a manner similar to that of known commercially available devices such as the ROOMBA(TM) and SCOOBA(TM) products sold by iRobot, Inc. of Bedford, Massachusetts. Tasks such as floor sweeping and floor washing can be considered as "away" or "while-away" tasks for purposes of the instant description, as it is generally more desirable for these tasks to be performed when the occupants are not present. For other embodiments, one or more of the service robots 162 are configured to perform tasks such as playing music for an occupant, serving as a localized thermostat for an occupant, serving as a localized air monitor/purifier for an occupant, serving as a localized baby monitor, serving as a localized hazard detector for an occupant, and so forth, it being generally more desirable for such tasks to be carried out in the immediate presence of the human occupant. For purposes of the instant description, such tasks can be considered as "human-facing" or "human-centric" tasks."


[0049] さらに、自律的な態様でさまざまな家事のいずれかを各々が行なうよう構成されるサービスロボット１６２が図１の例示的なスマートホーム環境１００に含まれるとともに説明される。いくつかの実施形態の場合、サービスロボット１６２は、マサチューセッツ州（Massachusetts）ベッドフォード（Bedford）のｉＲｏｂｏｔ社によって販売されるＲＯＯＭＢＡ（商標）およびＳＣＯＯＢＡ（商標）製品のような公知の商業的に利用可能なデバイスに類似する態様で床清掃、床洗いなどを行なうようにそれぞれ構成され得る。床掃除および床洗いのような作業は、短い説明の目的のために、「留守（away）（＊不在）」または「留守中（while-away）（＊不在時）」の作業として考えられる。なぜならば、これらの作業は一般に、居住者がいないときに実行されることが望ましいからである。他の実施形態の場合、サービスロボット１６２の１つ以上は、居住者のために音楽を再生すること、居住者のためのローカライズされたサーモスタットとして機能すること、居住者のためのローカライズされた空気モニタ／清浄器として機能すること、ローカライズされた赤ん坊モニタとして機能すること、および、居住者のためのローカライズされたハザード検出器として機能することなどといった作業を実行するように構成される。このような作業は一般に、人間の居住者が直接的に存在する状態で行なわれることがより望ましい。短い説明目的のために、このような作業は、「人間に向いた（human-facing）」ことまたは「人間中心（human-centric）」の作業と考えられ得る。

伝送データを送信する

EP3471426(JP)
"[0020] The transmission-side system 10 performs processing for transmitting transmission data conforming to the predetermined standard. The transmission-side system 10 is configured by a DASH server 101, a signaling server 102, an application server 103, and a broadcast server 104."

送信側システム１０は、所定の規格に準拠した伝送データを送信するための処理を行う。送信側システム１０は、DASHサーバ１０１、シグナリングサーバ１０２、アプリケーションサーバ１０３、及び放送サーバ１０４から構成される。

US2019013944(JP)
"[0073] Further, by associating the radio field intensity output value and the encryption arithmetic process for the identification ID, it is possible to change the encryption arithmetic process each time transmission data is transmitted, thereby improving confidentiality of transmission data."

また、電波強度出力値と識別ＩＤの暗号化の演算処理とを対応づけることで、伝送データを送信する毎に暗号化の演算処理を変更することができ、伝送データの秘匿性を向上させることができる。

MMT (MPEG Media Transport): メディアトランスポート、伝送

WO2015142748
"[0034] TA 120 is adapted according to the concepts herein to provide enhanced delivery of fragments or sequences of fragments of desired content (e.g., the aforementioned content fragments as may be used in providing video streaming, file download, web-based applications, general web pages, etc.). TA 120 of embodiments is adapted to allow a generic or legacy UA (i.e., a UA which has not been predesigned to interact with the TA) that only supports a standard interface, such as a HTTP 1.1 interface implementing standardized TCP transmission protocols, for making fragment requests to nevertheless benefit from using the TA executing those requests."

TA 120は、所望のコンテンツのフラグメントまたはフラグメントのシーケンス(たとえば、ビデオストリーミング、ファイルダウンロード、ウェブベースのアプリケーション、全般的なウェブページなどを提供する際に使用され得る前述のコンテンツフラグメント)の向上された配信を提供するために、本明細書の概念に従って適合される。諸実施形態のTA 120は、フラグメント要求を行うために、標準化されたTCP伝送プロトコルを実施するHTTP 1.1インターフェースなどの標準インターフェースのみをサポートする包括的UAまたはレガシUA (すなわち、TAと相互作用するように事前に設計されてはいないUA)が、これらの要求を実行するTAを使用することからそれでも利益を得ることを可能にするように適合される。