WO2012067848
"[0005] In an embodiment, a display pipe includes one or more translation units corresponding to images that the display pipe is reading for display. Each translation unit may be configured to prefetch translations ahead of the image data fetches, which may prevent translation misses in the display pipe (at least in most cases). The translation units may maintain translations in first-in, first-out (FIFO) fashion, and the display pipe fetch hardware may inform the translation unit when a given translation or translations is no longer needed. The translation unit may invalidate the identified translations and prefetch additional translations for virtual pages that are contiguous with the most recently prefetched virtual page."
或る実施形態では、ディスプレイパイプは、ディスプレイパイプが表示のために読み出そうとしている画像に対応する１つ又はそれ以上の翻訳ユニットを含んでいる。それぞれの翻訳ユニットは、画像データのフェッチに先んじて翻訳をプリフェッチするように構成されており、ディスプレイパイプでの翻訳ミスが（少なくとも大抵の場合は）防止される。翻訳ユニットは、翻訳を先入れ先出し（ＦＩＦＯ）式に維持しており、ディスプレイパイプフェッチハードウェアは、所与の単数又は複数の翻訳がもはや要らなくなったら翻訳ユニットに通知する。翻訳ユニットは識別された翻訳を無効にし、直近にプリフェッチされた仮想ページに連なる仮想ページについての追加の翻訳をプリフェッチすることになる。
EP3503391
"[0022] FIG. 1 illustrates a synchronizable ring oscillator 100 according to example implementations of the present disclosure. In some examples, the ring oscillator includes a plurality of logic gates connected in a ring configuration, e.g., the logic gates 101-104, as shown. In the ring configuration, an output of each except a last of the plurality of logic gates is used as an input for a next one of the plurality of logic gates. For example, as shown, the output of the logic gate 101 is used as an input for the logic gate 102, and the output of the logic gate 102 is used as an input for the logic gate 103. Also, in the ring configuration, the output of the last of the plurality of logic gates is fed back to and used as an input for a first of the plurality of logic gates. For example, the output of the last logic gate 104 in the series is fed back to and used as an input for the first logic gate 101 in the series."
図１は、本開示の例示的な実装による、同期可能なリング発振器１００を示している。幾つかの実施例では、リング発振器は、図示したような論理ゲート１０１～１０４などのリング構成で接続された複数の論理ゲートを含む。リング構成では、複数の論理ゲートの最後の１つを除いて、それぞれの出力が複数の論理ゲートの次の１つへの入力として使用される。例えば、図示したように、論理ゲート１０１の出力は、論理ゲート１０２への入力として使用され、論理ゲート１０２の出力は論理ゲート１０３への入力として使用される。また、リング構成では、複数の論理ゲートの最後の１つの出力はフィードバックされ、複数の論理ゲートの最初の１つへの入力として使用される。例えば、直列に連なる最後の論理ゲート１０４の出力はフィードバックされ、直列に連なる第１の論理ゲート１０１への入力として使用される。
US2019100319
"[0034] FIG. 4 illustrates using the ice protection system 200 according to various aspects on a gas turbine engine 400. The gas turbine engine includes a nacelle 402 mounted on a pylon 404. The pylon 404 could connect the nacelle 402 to a wing or fuselage of an aircraft, for example. The nacelle 402 includes a leading edge or lipskin 406. The leading edge or lipskin 406 includes the porous panel 238 including a plurality of orifices or outlets 410, through which the coolant comprising ice protection fluid can weep out. The ice protection fluid weeping out of the orifices 410 can travel in the direction of arrow I toward an inward-facing downstream surface 408 of the nacelle 402 or in the direction of arrow J toward an outward-facing downstream surface 411 of the nacelle 402. The inward-facing downstream surface 408 of the nacelle 402 includes an aperture 412. The aperture 412 could be arranged as a continuous aperture or as a series of spaced-apart apertures. Ice protection fluid traveling toward the aperture 412 can be drawn into the aperture 412 in the direction of arrow K and water carried by the ice protection fluid can continue into the engine 400 in the direction of arrow M. The outward-facing downstream surface 411 of the nacelle 402 includes an aperture 414. The aperture 414 could be arranged as a continuous aperture or as a series of spaced-apart apertures. Ice protection fluid traveling toward the aperture 414 can be drawn into the aperture 414 in the direction of arrow L and water carried by the ice protection fluid can continue aft in the direction of arrow N."
図４は、ガスタービンエンジン４００上で様々な態様による防除氷システム２００を使用することを示している。ガスタービンエンジンは、パイロン４０４上に取り付けられたナセル４０２を含む。例えば、パイロン４０４は、ナセル４０２を航空機の主翼又は胴体に連結することができる。ナセル４０２は、前縁又はリップスキン４０６を含む。前縁又はリップスキン４０６は、そこを通って防除氷流体を含む冷却剤が染み出し得るところの、複数のオリフィス又はアウトレット４１０を含む、浸透性パネル２３８を含む。オリフィス４１０から染み出した防除氷流体は、ナセル４０２の内向きに面した下流表面４０８に向けて矢印Ｉの方向へ移動するか、又はナセル４０２の外向きに面した下流表面４１１に向けて矢印Ｊの方向へ移動することができる。ナセル４０２の内向きに面した下流表面４０８は、開孔４１２を含む。開孔４１２は、連続的な開孔として又は間隔が空けられた一連の開孔として配置され得る。開孔４１２に向けて移動する防除氷流体は、矢印Ｋの方向に開孔４１２の中へ引き込まれ、防除氷流体によって運ばれる水が、矢印Ｍの方向にエンジン４００の中へ連なる可能性が高い。ナセル４０２の外向きに面した下流表面４１１は、開孔４１４を含む。開孔４１４は、連続的な開孔として又は間隔が空けられた一連の開孔として配置され得る。開孔４１４に向けて移動する防除氷流体は、矢印Ｌの方向に開孔４１４の中へ引き込まれ、防除氷流体によって運ばれる水が、矢印Ｎの方向へ後ろに連なる可能性が高い。
US10203022
"Each face tooth 32 may have a third driving face 68 extending from the proximal end 60 to the distal end 62 of the face tooth. Third driving face 68 may be planar, composed of more than one plane, or may be composed of one or more surfaces with curvature."
各対面歯３２は、対面歯の近位端６０から遠位端６２に連なる第３駆動面６８を有する。第３駆動面６８は、平面であってもよいし、複数の面で構成されていてもよいし、曲率を有する１つ又は複数の表面で構成されていてもよい。
WO2018166618
"[0088] According to some embodiments, which can be combined with other embodiments described herein, the apparatus 500 can include a supply passage, e.g., a supply line. The supply passage can be configured for supplying the evaporation source 1000, e.g., with electrical connections and/or media such as fluids (e.g., water) and/or gases. The supply passage may be configured for guiding one or more lines and/or cables therethrough, such as water supply lines, gas supply lines and/or electric cables. In some implementations, the supply passage has an atmospheric environment, i.e. the supply passage can be configured to maintain atmospheric pressure therein even when a surrounding such as the processing vacuum chamber 110 and/or the maintenance vacuum chamber 120 is evacuated to a technical vacuum. As an example, the supply passage can include at least a part of the connection device 520."
本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態によれば、装置５００は、供給通路、例えば、供給ラインを含み得る。供給通路は、例えば、電気的な接続並びに／又は流体（例えば、水）及び／若しくはガスなどの媒体を、蒸発源１０００に供給するように構成され得る。供給通路は、そこを通る、水供給ライン、ガス供給ライン、及び／又は電気ケーブルなどの、１以上のライン及び／又はケーブルを誘導するように構成され得る。ある実施態様では、供給通路が、雰囲気環境を有する。すなわち、供給通路は、処理真空チャンバ１１０及び／又は保守真空チャンバ１２０などの取り囲んでいるものが、技術的真空に排気されたときでさえ、内部の雰囲気圧を維持するように構成され得る。一実施例として、供給通路は、連結デバイス５２０の少なくとも一部分を含むことができる。
EP2983679
[0489] Example 50 is representative. In a 20 mL vial containing a magnetic stir bar in the glove box, MTC-BnCl (608.8 mg, 2.04 mmol, 30 equiv.), MTC-VitE (40.0 mg, 68 micromoles, 1.0 equiv.) and TU (25.2 mg, 68 micromoles, 1.0 equiv.) were dissolved in dichloromethane (3 mL). To this solution, BnOH (7.0 microliters, 68 micromoles, 1.0 equiv.) followed by DBU (10.2 microliters, 68 micromoles, 1.0 equiv.) were added to initiate polymerization. The reaction mixture was allowed to stir at room temperature for 20 min and quenched by the addition of excess ( ̃20 mg) of benzoic acid. The mixture was then precipitated into ice-cold methanol (50 mL) and centrifuged at −5° C. for 30 minutes. The resultant semi-transparent oil was dried under vacuum until a foamy white solid was obtained. GPC analysis of the intermediate was carried out and the polymer was used without further purification. The polymer was subsequently dissolved in acetonitrile, transferred to a Teflon-plug sealable tube and chilled to 0° C. Trimethylamine was added to start the quaternization process. The reaction mixture was stirred at room temperature for 18 hours in the sealed tube. Precipitation of an oily material was observed during the course of reaction. The mixture was evacuated to dryness under vacuum and freeze-dried to finally yield a white crisp-foamy solid. The final polymer is characterized by 1H NMR to determine the final composition and purity.
[0300] 実施例５０は例示的なものである。グローブボックス中で、マグネチック攪拌バーを含む２０ｍLのバイアル中に、ＭＴＣ−ＢｎＣｌ（６０８．８ｍｇ、２．０４ｍｍｏｌ、３０当量）、ＭＴＣ−ＶｉｔＥ（４０．０ｍｇ、６８マイクロモル、１．０当量）およびＴＵ（２５．２ｍｇ、６８マイクロモル、１．０当量）を、ジクロロメタン（３ｍＬ）に溶解した。この溶液に、ＢｎＯＨ（７．０マイクロリットル、６９マイクロモル、１．０当量）、続いてＤＢＵ（１０．２マイクロリットル、６８マイクロモル、１．０当量）を加え、重合を開始させた。反応混合物を室温で２０分撹拌し、過剰（〜２０ｍｇ）の安息香酸を添加してクエンチした。混合物をその後氷冷メタノール（５０ｍＬ）内で析出させ、−５°Cで３０分遠心分離を行った。得られた半透明の油状物を、真空下で乾燥させ、フォーム状の白色固体を得た。中間体のＧＰＣ分析を行い、ポリマーをさらに生成をすることなく使用した。ポリマーを続いてアセトニトリルに溶解し、テフロン（登録商標）−プラグ密封可能チューブに移し、０°Cに冷却した。トリメチルアミンを添加して４級化プロセスを開始した。反応混合物を密封したチューブ内で室温下、１８時間撹拌した。反応途中で、油状物質の析出が観測された。この混合物を乾燥するまで真空に排気し、フリーズ−ドライを行い、最終的に白色のぱりぱりしたフォーム状の個体を得た。最終的なポリマーを、<１>ＨＮＭＲで特徴づけ、最終組成および純度を決定した。
EP2008144644
"Each of the process operations is generally performed under vacuum in a specialized process chamber. Because of the need for extreme cleanliness and the delicate nature of each process, batch processing of semiconductor substrates has generally been replaced by individual substrate processing. This allows more control of the processing of each substrate, but limits the overall throughput of the system, because, for each process step, the process chamber must be vented, the substrate loaded, the chamber sealed and pumped to vacuum. After processing, the steps are reversed."
プロセス操作はそれぞれ一般に真空状態の専用プロセスチャンバの中で行われる。各プロセスとも極めて高い清浄度を必要とし、かつ微妙な特性を有するために、半導体の基板処理は一般に、バッチ式から個別での基板処理に取り替えられてきた。個別処理では、各基板の処理をより詳細に制御することができるが、プロセス工程毎に、プロセスチャンバを通気し、基板を装着し、チャンバを封止して真空に排気しなければならないため、システム全体のスループットが制限される。処理後にはこれらの手順を逆行する。
US10062589
"The current process of replacing the damaged consumable part requires a trained service technician to perform a series of steps. The technician needs to bring the cluster tool assembly offline, pump/purge the cluster tool assembly to avoid exposure to toxic residuals, open the cluster tool, remove the damaged consumable part and replace the damaged consumable part with a new consumable part. Once the damaged part is replaced, the technician must then clean the cluster tool, pump the cluster tool assembly to vacuum and condition the cluster tool assembly for wafer processing. In some instances, the conditioning may involve qualifying the cluster tool assembly by running test process on the semiconductor wafer, taking cross-sections of the semiconductor wafer and analyzing the cross-sections to ensure the quality of the process operation. Replacing a damaged consumable part is a very involved and time-consuming process requiring the cluster tool assembly to be off-line for a considerable amount of time, thereby impacting the profit margin for a semiconductor manufacturer."
損傷された消耗部品を交換する現行のプロセスは、一連の手順を実施するために熟練の保守技術員を必要とする。技術員は、クラスタツールアセンブリをオフラインにし、毒性残留物への暴露を回避するためにクラスタツールアセンブリをポンプで排気し／パージし、クラスタツールを開き、損傷された消耗部品を取り出して、新しい消耗部品と交換する必要がある。損傷された部品が交換されたら、技術員は、クラスタツールを洗浄し、クラスタツールアセンブリをポンプで真空に排気し、クラスタツールアセンブリをウエハ処理に備えて調節しなければならない。場合によっては、この調節は、プロセス動作の質を保証するために、半導体ウエハに対してテストプロセスを実行し、半導体ウエハの断面を捉えて解析することによってクラスタツールアセンブリを適格化することを伴うだろう。損傷された消耗部品の交換は、クラスタツールアセンブリをかなり長い時間にわたってオフラインにすることを要する非常に複雑でなおかつ時間のかかかるプロセスであり、これは、半導体メーカの利ざやに影響を及ぼす恐れがある。
WO2016118862
"[0038] Then, a bulk crystal of GaN was grown in supercritical ammonia using a high- pressure reactor. The chamber within the high-pressure reactor was divided into a lower part and an upper part with baffle plates. Approximately 15 g of poly crystalline GaN is used as a nutrient and approximately 3.1 g of sodium is used as a mineralizer. Mineralizer and the seed crystal were placed in the lower part of the high-pressure reactor and the nutrient was placed in the upper part of the high-pressure reactor. Then, the high-pressure reactor was sealed, pumped to a vacuum and filled with anhydrous liquid ammonia. The volumetric ammonia fill factor was approximately 53%. The high-pressure reactor was heated at about 510~520°C to allow crystal growth of GaN on the seed. After sufficient amount of time, the ammonia was released and the high-pressure reactor was cooled. The resultant bulk GaN crystal has a thickness of approximately 5 mm."
次いで、ＧａＮのバルク結晶が、高圧反応器を使用して、超臨界アンモニア中で成長させられた。高圧反応器内のチャンバは、バッフル板を用いて、下側部分と上側部分とに分割された。約１５ｇの多結晶性ＧａＮが、栄養剤として使用され、約３．１ｇのナトリウムが、鉱化剤として使用された。鉱化剤およびシード結晶は、高圧反応器の下側部分に設置され、栄養剤が、高圧反応器の上側部分に設置された。次いで、高圧反応器は、密閉され、真空に排気され、無水液体アンモニアで充填された。体積アンモニア充填係数は、約５３％であった。高圧反応器は、約５１０～５２０℃で加熱され、シード上のＧａＮの結晶成長を可能にした。十分な時間量後、アンモニアは、解放され、高圧反応器は、冷却された。得られたバルクＧａＮ結晶は、厚さ約５ｍｍを有していた。
WO2015158384
"[0014] Furthermore, in the following description, a load lock chamber should be understood as a chamber for a vacuum processing system. According to embodiments described herein, a load lock chamber may provide a transition chamber from atmospheric conditions to low pressure or vacuum. For instance, the load lock chamber according to embodiments described herein may have a substrate inlet for receiving a substrate being delivered in atmospheric conditions, and a substrate outlet, which is adapted for being connected to a vacuum chamber, such as a processing chamber. The load lock chamber according to embodiments described herein may be evacuatable to vacuum, and may include respective equipment, such as vacuum pumps. Further, the load lock chamber according to embodiments described herein may have a substrate transport system for transporting the substrate within the load lock chamber and/or to a vacuum (e.g. processing) chamber. The load lock chamber can have a vacuum sealable valve at the substrate inlet and at the substrate outlet. According to different embodiments, which can be combined with other embodiments described herein, a vacuum sealable valve can be provided from the group consisting of a gate valve, a slit valve, and a slot valve."
［００１４］さらに、以下の記載では、ロードロックチャンバは、真空処理システムのためのチャンバとして理解するべきである。本明細書に記載された実施形態によれば、ロードロックチャンバは、大気条件から低圧力又は真空への移行チャンバを設け得る。例えば、本明細書に記載された実施形態に係るロードロックチャンバは、大気条件内で供給されている基板を受け入れるための基板入口、及び処理チャンバなどの真空チャンバに接続されるように適合されている基板出口を有し得る。本明細書に記載された実施形態に係るロードロックチャンバは、真空に排気可能であり得、真空ポンプなどの個別の装置を含み得る。さらに、本明細書に記載された実施形態に係るロードロックチャンバは、ロードロックチャンバ及び／又は真空（例えば、処理）チャンバの中で基板を搬送するための基板搬送システムを有し得る。ロードロックチャンバは、基板入口及び基板出口において真空密封可能バルブを有し得る。本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる異なる実施形態によれば、真空密封可能バルブは、ゲートバルブ、スリットバルブ、及びスロットバルブからなる群から提供され得る。
