端末装置、UE、LTE

”ＬＴＥでは、基地局装置をｅＮｏｄｅＢ（ｅｖｏｌｖｅｄ　ＮｏｄｅＢ）、端末装置をＵＥ（Ｕｓｅｒ　Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ）とも称する。ＬＴＥは、基地局装置がカバーするエリアをセル状に複数配置するセルラー通信システムである。”（WO2017119414A1）

"In the Universal Mobile Telecommunications System (UMTS) and 3GPP Long Term Evolution (LTE), user equipment (UE) is any device used directly by an end-user to communicate. It can be a hand-held telephone, a laptop computer equipped with a mobile broadband adapter, or any other device. It connects to the base station Node B/eNodeB as specified in the ETSI 125/136-series and 3GPP 25/36-series of specifications. It roughly corresponds to the mobile station (MS) in GSM systems." (User equipment, Wikipedia)


Wi-FiとLTEの違いとは？違いのわかる人になれるコラム！

In telecommunication, Long-Term Evolution (LTE) is a standard for wireless broadband communication for mobile devices and data terminals, based on the GSM/EDGE and UMTS/HSPA technologies. (LTE, Wikipedia)

が発生した場合

EP2948870
"[0176] During execution of certain vector instructions or other SIMD operations, an exception may occur. When an exception occurs on a SIMD operation, usually it is unknown which element of the vector register caused the exception. A software interrupt handler has to extract each element and re-do the calculation in scalar mode to determine which element or elements caused the exception. However, in accordance with one aspect, when the machine (e.g., processor) processes a program interrupt due to a vector operation, an element index is reported indicating, e.g., the lowest indexed element in the vector which caused the exception. The software interrupt handler can then immediately skip to the element in question and perform any required or desired actions."

特定のベクトル命令又は他のＳＩＭＤ操作の実行の際、例外が発生することがある。ＳＩＭＤ操作において例外が発生した場合、通常、ベクトル・レジスタのどの要素が例外を引き起こしたのかは未知である。どの要素が例外を引き起こしたのかを判断するために、ソフトウェア割り込みハンドラは、各要素を抽出し、スカラー・モードで計算をやり直さなければならない。しかしながら、一態様によれば、マシン（例えば、プロセッサ）がベクトル演算に起因するプログラム割り込みを処理するとき、例えば、例外を引き起こしたベクトル内の最小インデックス付き要素を示す要素インデックスが報告される。そして、ソフトウェア割り込みハンドラは、即座に当該要素にスキップし、いずれかの必要な又は所望のアクションを実施することができる。

US10065561
"Returning now to FIG. 3, the method includes outputting a combined synthetic sound including modulated and unmodulated sound portions, as indicated at 310. At 312, the method includes determining whether the first vehicle operating parameter has changed. If no change has occurred (or if a change that is under a threshold associated with a perceptible change in the operating parameter has occurred, e.g., “NO” at 312), the method includes maintaining the output of the combined synthetic sound (e.g., not changing the amount or type of modulation of the sound), as indicated at 314. If a change has occurred (or if a change that is over the above-described threshold has occurred, e.g., “YES” at 312), the method includes updating a modulation of the sound characteristic of the first frequency range while maintaining the sound characteristic of the second frequency range, as indicated at 316. By updating the modulation of the sound characteristics, the combined synthetic sound may continue to simulate the sounds experienced during associated changes of a combustion engine-driven vehicle while maintaining low frequency noise masking properties. The method 300 may continue updating the modulation of the sound characteristics until the sound generation system is interrupted (e.g., parameters of the sound generation are changed, instigating a restart of the method) or shut down (e.g., at vehicle shut down, and/or responsive to a user input)."

ここで図３に戻ると、方法は、３１０で示されるように、変調音部分及び無変調音部分を含む組合せ合成音を出力することを含む。３１２において、方法は、第１の車両動作パラメータが変化したどうかを判定することを含む。変化が発生しなかった場合（または、動作パラメータの認識できる変化と関連付けられた閾値より小さい変化が発生した場合、たとえば、３１２において「いいえ」）、方法は、３１４で示されるように、組合せ合成音の出力を維持する（たとえば、音の変調の量または種類を変えない）ことを含む。変化が発生した場合（または、上記の閾値以上の変化が発生した場合、たとえば、３１２において「はい」）、方法は、３１６で示されるように、第１の周波数範囲の音特性の変調を更新すること、同時に、第２の周波数範囲の音特性を維持することを含む。音特性の変調を更新することによって、組合せ合成音は、燃焼エンジン駆動車両の関連する変化の間に体験される音をシミュレートし続けてもよく、同時に、低周波数ノイズマスキング特性を維持する。音生成システムが中断する（たとえば、音生成のパラメータが変化し、方法の再始動を引き起こす）、または、停止する（たとえば、車両停止時、及び／またはユーザ入力に応答して）まで、方法３００は音特性の変調を更新し続けてもよい。

高密度化

WO2015187284
"Growth in data traffic driven by smart phone devices, tablets, etc. can strain the capacity of wireless networks. One approach, used by the wireless industry, to address the growth in data traffic has been network densification wherein small cells are used to increase reuse of licensed spectrum, which continues to be scarce and expensive. Additionally, network operators have also increasingly utilized unlicensed spectrum (e.g., WiFi spectrum) to cope with the increasing capacity demand. One industry trend facilitating greater cooperation across licensed and unlicensed radio networks is the adoption and deployment of integrated multi-radio small cells with co-located unlicensed (e.g., WiFi) and licensed radio spectrum interfaces."

スマートフォンデバイスやタブレット等によるデータトラフィックの増大は、無線ネットワークの容量に負担をかける可能性がある。データトラフィックの増大に対処するために無線通信産業によって使用されるアプローチのうちの1つは、これまではネットワークの高密度化であり、そのネットワークの高密度化においては、絶えず不足しかつ高価でありつづけるライセンス付与されたスペクトラムの再利用を増加させるために複数のスモールセルが用いられる。さらに、ネットワークオペレータは、増大する容量需要に対処するため、（WiFiスペクトラム等の）免許不要のスペクトラムを漸増的に利用してきた。

WO2015138081
"[0025] In scenario (2) an opportunistic networking embodiment uses the LTE licensed band together with another Radio Access Technology (RAT) used in high frequency spectrum, such as millimeter wave (mmWave). The option to opportunistically use the mm Wave channel cannot always be guaranteed, due to the potentially high path-loss and restrictive beam forming requirements to achieve reasonable link/channel quality. A design than includes support opportunistic networking and use of mm Wave (when channel condition is favorable) can be beneficial to ensure the basic quality of service (QoS), which can improve user experience. Cell densification can trigger interest in applying the mm Wave spectrum at densely populated areas in order to provide local coverage without causing excessive inter- cell interference. Use of a highly directional antenna array and beam forming with mm Wave communication can provide additional coverage and capacity improvements. In some embodiments, the mm Wave bands can be regarded as an additional secondary carrier and SCell in order to improve the existing LTE system performance."

シナリオ（２）では、オポチュニスティックネットワーキングの実施形態は、ＬＴＥライセンスバンドを、ミリメートル波（ミリ波）等の高周波数スペクトルにおいて利用されている他の無線アクセス技術（ＲＡＴ）と共に利用する。ミリ波チャネルをオポチュニスティックに利用するという選択肢は、伝搬損失が高い可能性があり、且つ、妥当なリンク／チャネル品質を達成するためのビームフォーミング要件が限定されるので、常に保証できるものではない。オポチュニスティックネットワーキングをサポートし、ミリ波を利用する（チャネル状態が好適な場合）設計は、基本的なサービス品質（ＱｏＳ）を保証するという利点があるとしてよく、ユーザ体感を改善し得る。セルの高密度化は、セル間に過大な干渉を発生させることなくローカルカバレッジを提供するべく、ミリ波スペクトルの高人口密度エリアへの適用に関心が向けられる契機となり得る。指向性の高いアンテナアレイおよびビームフォーミングをミリ波通信と共に利用することで、カバレッジが追加され得ると共に、キャパシティが改善され得る。一部の実施形態において、ミリ波帯域は、既存のＬＴＥシステム性能を改善することを目的として追加されるセカンダリキャリアおよびＳＣｅｌｌと見なされるとしてよい。

WO2017001956
"In some applications, different neuron sub-assemblages may be selectively interconnectable, e.g. in cascade, whereby neuron outputs in one population provide input signals to neurons in another. Applications may also be envisaged where neurons in one or different populations are interconnected. Any single neuron may then receive input signals from multiple other neurons in the assemblage. Neurons may be interconnected via synapse circuits for example. Various memristor-based synapse circuits are known in the art. In general, combining embodiments of the invention with memristor-based synapses will contribute to decreasing the number of active elements and increasing the density of massively-parallel computing systems."

用途によっては、異なるニューロン部分集合体を、例えばカスケード状に選択的に相互接続可能とすることもでき、それによって１つの集団におけるニューロン出力が、別の集団のニューロンに入力信号を供給してもよい。１つまたは異なる集団内のニューロンが相互接続された用途も考えられる。その場合、任意の単一のニューロンが、集合体内の複数の他のニューロンから入力信号を受け取ることができる。ニューロンは、例えばシナプス回路を介して相互接続されてもよい。当技術分野では、様々なメモリスタ方式のシナプス回路が知られている。一般に、本発明の実施形態をメモリスタ方式のシナプスと組み合わせることによって、能動素子の数の削減と、大規模並列コンピューティング・システムの高密度化がもたらされる。

US6806563
"Circuitry within chips is noisy, i.e. there are high frequency transients incident to switching of transistors in the chip. This is especially true for modern day CMOS technology. The problem is compounded because of high density of the circuitry. Also, some CMOS designs operate from a low power supply voltage, so moderate voltage transients in the power or ground plane can temporarily cause an improper digital value. In some cases, the noise from the chip can also affect circuitry on the printed circuit board."

チップ内の回路はノイズに満ちている。すなわち、チップ内のトランジスタのスイッチングに対する高周波変動事故が存在する。このことは現代のＣＭＯＳ技術にとって特に当てはまる。この問題は回路の高密度化によって複雑になっている。また、一部のＣＭＯＳ構成は低電源電圧で動作するから、電力プレーンまたは接地プレーンのわずかな電圧変動によってディジタル値が一時的に不適当なものになる可能性がある。さらに、ある場合には、チップが出すノイズが印刷回路板上の回路に影響することもありうる。

WO2004070773
"As technology scales for increased circuit density and performance, the need to reduce power consumption increases in significance as designers strive to utilize the advancing silicon capabilities. The consumer product market further drives the need to minimize chip power consumption."

回路の高密度化度および高性能化のための技術が進むにつれて、電力消費を抑える必要性が著しく高まり、設計者は進歩するシリコンの能力を利用しようと努めている。消費者製品の市場によって、チップの電力消費を最小限に抑える要望が更に強くなっている。

フライヤ

Automatic Double flyer motor rotor coil winding machine

に連なる

WO2012067848
"[0005] In an embodiment, a display pipe includes one or more translation units corresponding to images that the display pipe is reading for display. Each translation unit may be configured to prefetch translations ahead of the image data fetches, which may prevent translation misses in the display pipe (at least in most cases). The translation units may maintain translations in first-in, first-out (FIFO) fashion, and the display pipe fetch hardware may inform the translation unit when a given translation or translations is no longer needed. The translation unit may invalidate the identified translations and prefetch additional translations for virtual pages that are contiguous with the most recently prefetched virtual page."

或る実施形態では、ディスプレイパイプは、ディスプレイパイプが表示のために読み出そうとしている画像に対応する１つ又はそれ以上の翻訳ユニットを含んでいる。それぞれの翻訳ユニットは、画像データのフェッチに先んじて翻訳をプリフェッチするように構成されており、ディスプレイパイプでの翻訳ミスが（少なくとも大抵の場合は）防止される。翻訳ユニットは、翻訳を先入れ先出し（ＦＩＦＯ）式に維持しており、ディスプレイパイプフェッチハードウェアは、所与の単数又は複数の翻訳がもはや要らなくなったら翻訳ユニットに通知する。翻訳ユニットは識別された翻訳を無効にし、直近にプリフェッチされた仮想ページに連なる仮想ページについての追加の翻訳をプリフェッチすることになる。

EP3503391
"[0022] FIG. 1 illustrates a synchronizable ring oscillator 100 according to example implementations of the present disclosure. In some examples, the ring oscillator includes a plurality of logic gates connected in a ring configuration, e.g., the logic gates 101-104, as shown. In the ring configuration, an output of each except a last of the plurality of logic gates is used as an input for a next one of the plurality of logic gates. For example, as shown, the output of the logic gate 101 is used as an input for the logic gate 102, and the output of the logic gate 102 is used as an input for the logic gate 103. Also, in the ring configuration, the output of the last of the plurality of logic gates is fed back to and used as an input for a first of the plurality of logic gates. For example, the output of the last logic gate 104 in the series is fed back to and used as an input for the first logic gate 101 in the series."

図１は、本開示の例示的な実装による、同期可能なリング発振器１００を示している。幾つかの実施例では、リング発振器は、図示したような論理ゲート１０１～１０４などのリング構成で接続された複数の論理ゲートを含む。リング構成では、複数の論理ゲートの最後の１つを除いて、それぞれの出力が複数の論理ゲートの次の１つへの入力として使用される。例えば、図示したように、論理ゲート１０１の出力は、論理ゲート１０２への入力として使用され、論理ゲート１０２の出力は論理ゲート１０３への入力として使用される。また、リング構成では、複数の論理ゲートの最後の１つの出力はフィードバックされ、複数の論理ゲートの最初の１つへの入力として使用される。例えば、直列に連なる最後の論理ゲート１０４の出力はフィードバックされ、直列に連なる第１の論理ゲート１０１への入力として使用される。

US2019100319
"[0034] FIG. 4 illustrates using the ice protection system 200 according to various aspects on a gas turbine engine 400. The gas turbine engine includes a nacelle 402 mounted on a pylon 404. The pylon 404 could connect the nacelle 402 to a wing or fuselage of an aircraft, for example. The nacelle 402 includes a leading edge or lipskin 406. The leading edge or lipskin 406 includes the porous panel 238 including a plurality of orifices or outlets 410, through which the coolant comprising ice protection fluid can weep out. The ice protection fluid weeping out of the orifices 410 can travel in the direction of arrow I toward an inward-facing downstream surface 408 of the nacelle 402 or in the direction of arrow J toward an outward-facing downstream surface 411 of the nacelle 402. The inward-facing downstream surface 408 of the nacelle 402 includes an aperture 412. The aperture 412 could be arranged as a continuous aperture or as a series of spaced-apart apertures. Ice protection fluid traveling toward the aperture 412 can be drawn into the aperture 412 in the direction of arrow K and water carried by the ice protection fluid can continue into the engine 400 in the direction of arrow M. The outward-facing downstream surface 411 of the nacelle 402 includes an aperture 414. The aperture 414 could be arranged as a continuous aperture or as a series of spaced-apart apertures. Ice protection fluid traveling toward the aperture 414 can be drawn into the aperture 414 in the direction of arrow L and water carried by the ice protection fluid can continue aft in the direction of arrow N."

 図４は、ガスタービンエンジン４００上で様々な態様による防除氷システム２００を使用することを示している。ガスタービンエンジンは、パイロン４０４上に取り付けられたナセル４０２を含む。例えば、パイロン４０４は、ナセル４０２を航空機の主翼又は胴体に連結することができる。ナセル４０２は、前縁又はリップスキン４０６を含む。前縁又はリップスキン４０６は、そこを通って防除氷流体を含む冷却剤が染み出し得るところの、複数のオリフィス又はアウトレット４１０を含む、浸透性パネル２３８を含む。オリフィス４１０から染み出した防除氷流体は、ナセル４０２の内向きに面した下流表面４０８に向けて矢印Ｉの方向へ移動するか、又はナセル４０２の外向きに面した下流表面４１１に向けて矢印Ｊの方向へ移動することができる。ナセル４０２の内向きに面した下流表面４０８は、開孔４１２を含む。開孔４１２は、連続的な開孔として又は間隔が空けられた一連の開孔として配置され得る。開孔４１２に向けて移動する防除氷流体は、矢印Ｋの方向に開孔４１２の中へ引き込まれ、防除氷流体によって運ばれる水が、矢印Ｍの方向にエンジン４００の中へ連なる可能性が高い。ナセル４０２の外向きに面した下流表面４１１は、開孔４１４を含む。開孔４１４は、連続的な開孔として又は間隔が空けられた一連の開孔として配置され得る。開孔４１４に向けて移動する防除氷流体は、矢印Ｌの方向に開孔４１４の中へ引き込まれ、防除氷流体によって運ばれる水が、矢印Ｎの方向へ後ろに連なる可能性が高い。

US10203022
"Each face tooth 32 may have a third driving face 68 extending from the proximal end 60 to the distal end 62 of the face tooth. Third driving face 68 may be planar, composed of more than one plane, or may be composed of one or more surfaces with curvature."

各対面歯３２は、対面歯の近位端６０から遠位端６２に連なる第３駆動面６８を有する。第３駆動面６８は、平面であってもよいし、複数の面で構成されていてもよいし、曲率を有する１つ又は複数の表面で構成されていてもよい。

真空に排気する

WO2018166618
"[0088] According to some embodiments, which can be combined with other embodiments described herein, the apparatus 500 can include a supply passage, e.g., a supply line. The supply passage can be configured for supplying the evaporation source 1000, e.g., with electrical connections and/or media such as fluids (e.g., water) and/or gases. The supply passage may be configured for guiding one or more lines and/or cables therethrough, such as water supply lines, gas supply lines and/or electric cables. In some implementations, the supply passage has an atmospheric environment, i.e. the supply passage can be configured to maintain atmospheric pressure therein even when a surrounding such as the processing vacuum chamber 110 and/or the maintenance vacuum chamber 120 is evacuated to a technical vacuum. As an example, the supply passage can include at least a part of the connection device 520."

本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態によれば、装置５００は、供給通路、例えば、供給ラインを含み得る。供給通路は、例えば、電気的な接続並びに／又は流体（例えば、水）及び／若しくはガスなどの媒体を、蒸発源１０００に供給するように構成され得る。供給通路は、そこを通る、水供給ライン、ガス供給ライン、及び／又は電気ケーブルなどの、１以上のライン及び／又はケーブルを誘導するように構成され得る。ある実施態様では、供給通路が、雰囲気環境を有する。すなわち、供給通路は、処理真空チャンバ１１０及び／又は保守真空チャンバ１２０などの取り囲んでいるものが、技術的真空に排気されたときでさえ、内部の雰囲気圧を維持するように構成され得る。一実施例として、供給通路は、連結デバイス５２０の少なくとも一部分を含むことができる。

EP2983679
[0489] Example 50 is representative. In a 20 mL vial containing a magnetic stir bar in the glove box, MTC-BnCl (608.8 mg, 2.04 mmol, 30 equiv.), MTC-VitE (40.0 mg, 68 micromoles, 1.0 equiv.) and TU (25.2 mg, 68 micromoles, 1.0 equiv.) were dissolved in dichloromethane (3 mL). To this solution, BnOH (7.0 microliters, 68 micromoles, 1.0 equiv.) followed by DBU (10.2 microliters, 68 micromoles, 1.0 equiv.) were added to initiate polymerization. The reaction mixture was allowed to stir at room temperature for 20 min and quenched by the addition of excess ( ̃20 mg) of benzoic acid. The mixture was then precipitated into ice-cold methanol (50 mL) and centrifuged at −5° C. for 30 minutes. The resultant semi-transparent oil was dried under vacuum until a foamy white solid was obtained. GPC analysis of the intermediate was carried out and the polymer was used without further purification. The polymer was subsequently dissolved in acetonitrile, transferred to a Teflon-plug sealable tube and chilled to 0° C. Trimethylamine was added to start the quaternization process. The reaction mixture was stirred at room temperature for 18 hours in the sealed tube. Precipitation of an oily material was observed during the course of reaction. The mixture was evacuated to dryness under vacuum and freeze-dried to finally yield a white crisp-foamy solid. The final polymer is characterized by 1H NMR to determine the final composition and purity.

[0300] 実施例５０は例示的なものである。グローブボックス中で、マグネチック攪拌バーを含む２０ｍLのバイアル中に、ＭＴＣ−ＢｎＣｌ（６０８．８ｍｇ、２．０４ｍｍｏｌ、３０当量）、ＭＴＣ−ＶｉｔＥ（４０．０ｍｇ、６８マイクロモル、１．０当量）およびＴＵ（２５．２ｍｇ、６８マイクロモル、１．０当量）を、ジクロロメタン（３ｍＬ）に溶解した。この溶液に、ＢｎＯＨ（７．０マイクロリットル、６９マイクロモル、１．０当量）、続いてＤＢＵ（１０．２マイクロリットル、６８マイクロモル、１．０当量）を加え、重合を開始させた。反応混合物を室温で２０分撹拌し、過剰（〜２０ｍｇ）の安息香酸を添加してクエンチした。混合物をその後氷冷メタノール（５０ｍＬ）内で析出させ、−５°Cで３０分遠心分離を行った。得られた半透明の油状物を、真空下で乾燥させ、フォーム状の白色固体を得た。中間体のＧＰＣ分析を行い、ポリマーをさらに生成をすることなく使用した。ポリマーを続いてアセトニトリルに溶解し、テフロン（登録商標）−プラグ密封可能チューブに移し、０°Cに冷却した。トリメチルアミンを添加して４級化プロセスを開始した。反応混合物を密封したチューブ内で室温下、１８時間撹拌した。反応途中で、油状物質の析出が観測された。この混合物を乾燥するまで真空に排気し、フリーズ−ドライを行い、最終的に白色のぱりぱりしたフォーム状の個体を得た。最終的なポリマーを、<１>ＨＮＭＲで特徴づけ、最終組成および純度を決定した。

EP2008144644
"Each of the process operations is generally performed under vacuum in a specialized process chamber. Because of the need for extreme cleanliness and the delicate nature of each process, batch processing of semiconductor substrates has generally been replaced by individual substrate processing. This allows more control of the processing of each substrate, but limits the overall throughput of the system, because, for each process step, the process chamber must be vented, the substrate loaded, the chamber sealed and pumped to vacuum. After processing, the steps are reversed."

プロセス操作はそれぞれ一般に真空状態の専用プロセスチャンバの中で行われる。各プロセスとも極めて高い清浄度を必要とし、かつ微妙な特性を有するために、半導体の基板処理は一般に、バッチ式から個別での基板処理に取り替えられてきた。個別処理では、各基板の処理をより詳細に制御することができるが、プロセス工程毎に、プロセスチャンバを通気し、基板を装着し、チャンバを封止して真空に排気しなければならないため、システム全体のスループットが制限される。処理後にはこれらの手順を逆行する。

US10062589
"The current process of replacing the damaged consumable part requires a trained service technician to perform a series of steps. The technician needs to bring the cluster tool assembly offline, pump/purge the cluster tool assembly to avoid exposure to toxic residuals, open the cluster tool, remove the damaged consumable part and replace the damaged consumable part with a new consumable part. Once the damaged part is replaced, the technician must then clean the cluster tool, pump the cluster tool assembly to vacuum and condition the cluster tool assembly for wafer processing. In some instances, the conditioning may involve qualifying the cluster tool assembly by running test process on the semiconductor wafer, taking cross-sections of the semiconductor wafer and analyzing the cross-sections to ensure the quality of the process operation. Replacing a damaged consumable part is a very involved and time-consuming process requiring the cluster tool assembly to be off-line for a considerable amount of time, thereby impacting the profit margin for a semiconductor manufacturer."

損傷された消耗部品を交換する現行のプロセスは、一連の手順を実施するために熟練の保守技術員を必要とする。技術員は、クラスタツールアセンブリをオフラインにし、毒性残留物への暴露を回避するためにクラスタツールアセンブリをポンプで排気し／パージし、クラスタツールを開き、損傷された消耗部品を取り出して、新しい消耗部品と交換する必要がある。損傷された部品が交換されたら、技術員は、クラスタツールを洗浄し、クラスタツールアセンブリをポンプで真空に排気し、クラスタツールアセンブリをウエハ処理に備えて調節しなければならない。場合によっては、この調節は、プロセス動作の質を保証するために、半導体ウエハに対してテストプロセスを実行し、半導体ウエハの断面を捉えて解析することによってクラスタツールアセンブリを適格化することを伴うだろう。損傷された消耗部品の交換は、クラスタツールアセンブリをかなり長い時間にわたってオフラインにすることを要する非常に複雑でなおかつ時間のかかかるプロセスであり、これは、半導体メーカの利ざやに影響を及ぼす恐れがある。

WO2016118862
"[0038] Then, a bulk crystal of GaN was grown in supercritical ammonia using a high- pressure reactor. The chamber within the high-pressure reactor was divided into a lower part and an upper part with baffle plates. Approximately 15 g of poly crystalline GaN is used as a nutrient and approximately 3.1 g of sodium is used as a mineralizer. Mineralizer and the seed crystal were placed in the lower part of the high-pressure reactor and the nutrient was placed in the upper part of the high-pressure reactor. Then, the high-pressure reactor was sealed, pumped to a vacuum and filled with anhydrous liquid ammonia. The volumetric ammonia fill factor was approximately 53%. The high-pressure reactor was heated at about 510~520°C to allow crystal growth of GaN on the seed. After sufficient amount of time, the ammonia was released and the high-pressure reactor was cooled. The resultant bulk GaN crystal has a thickness of approximately 5 mm."

次いで、ＧａＮのバルク結晶が、高圧反応器を使用して、超臨界アンモニア中で成長させられた。高圧反応器内のチャンバは、バッフル板を用いて、下側部分と上側部分とに分割された。約１５ｇの多結晶性ＧａＮが、栄養剤として使用され、約３．１ｇのナトリウムが、鉱化剤として使用された。鉱化剤およびシード結晶は、高圧反応器の下側部分に設置され、栄養剤が、高圧反応器の上側部分に設置された。次いで、高圧反応器は、密閉され、真空に排気され、無水液体アンモニアで充填された。体積アンモニア充填係数は、約５３％であった。高圧反応器は、約５１０～５２０℃で加熱され、シード上のＧａＮの結晶成長を可能にした。十分な時間量後、アンモニアは、解放され、高圧反応器は、冷却された。得られたバルクＧａＮ結晶は、厚さ約５ｍｍを有していた。

WO2015158384
"[0014] Furthermore, in the following description, a load lock chamber should be understood as a chamber for a vacuum processing system. According to embodiments described herein, a load lock chamber may provide a transition chamber from atmospheric conditions to low pressure or vacuum. For instance, the load lock chamber according to embodiments described herein may have a substrate inlet for receiving a substrate being delivered in atmospheric conditions, and a substrate outlet, which is adapted for being connected to a vacuum chamber, such as a processing chamber. The load lock chamber according to embodiments described herein may be evacuatable to vacuum, and may include respective equipment, such as vacuum pumps. Further, the load lock chamber according to embodiments described herein may have a substrate transport system for transporting the substrate within the load lock chamber and/or to a vacuum (e.g. processing) chamber. The load lock chamber can have a vacuum sealable valve at the substrate inlet and at the substrate outlet. According to different embodiments, which can be combined with other embodiments described herein, a vacuum sealable valve can be provided from the group consisting of a gate valve, a slit valve, and a slot valve."

 ［００１４］さらに、以下の記載では、ロードロックチャンバは、真空処理システムのためのチャンバとして理解するべきである。本明細書に記載された実施形態によれば、ロードロックチャンバは、大気条件から低圧力又は真空への移行チャンバを設け得る。例えば、本明細書に記載された実施形態に係るロードロックチャンバは、大気条件内で供給されている基板を受け入れるための基板入口、及び処理チャンバなどの真空チャンバに接続されるように適合されている基板出口を有し得る。本明細書に記載された実施形態に係るロードロックチャンバは、真空に排気可能であり得、真空ポンプなどの個別の装置を含み得る。さらに、本明細書に記載された実施形態に係るロードロックチャンバは、ロードロックチャンバ及び／又は真空（例えば、処理）チャンバの中で基板を搬送するための基板搬送システムを有し得る。ロードロックチャンバは、基板入口及び基板出口において真空密封可能バルブを有し得る。本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる異なる実施形態によれば、真空密封可能バルブは、ゲートバルブ、スリットバルブ、及びスロットバルブからなる群から提供され得る。

吸着

suction-attach

suction-attract

adsorb

attract by suction

clamp

attach

secure

Let them make their own histories with their own hands

There was a newspaper opinion piece some time ago ("A republic under siege from the top," The New York Times, October 19-20, 2019 ) about the core values of the U.S. being imperiled not by outside forces but from within, i.e., by none other than the president of the country.

The writer of the opinion, a retired U.S. Navy admiral, says that a lot of members of that nation's military and intelligence communities are dissatisfied, upset, or otherwise opposed to the way President Trump is handling American domestic and foreign policies.  They say Trump is harming the principles and values for which countless American soliders fought wars in the past and are fighting wars now abroad: that America embodies freedom and equality, that America has been the nation that other countries looked to for help in their own fights against tyranny and oppression, and that America has generously fought wars on their behalf to help them gain liberty, freedom, and democracy.  But now those values that make the U.S. great are being corroded by the whimsical decisions made by the commander in chief, who likes to chat with and stand alongside despots and tyrants, but who don't believe in the political and military institutions of his own nation as well as its media.

The above opinion is well understandable, and sounds just and righteous: America being a nation of immigrants, a champion of the good and the right that has evolved since its founding a few hundred years ago to lead the world and spread the gospel of democracy, peace and prosperity.  It all sounds nice.

But hasn't it also been the cause of some of the conflicts and wars that plague the world now, particularly in the Middle East?  Wasn't it that kind of interventionism that made Iraq disintegrate into chaos, creating a political and power vacuum in that area and inviting anyone with ambitions to try to fill that vacuum, giving rise to the ISIS and other extremist groups?  Saddam may have been a despot who oppresessed and killed a huge number of people, but at least he was leading the country in a certain direction and successful in maintaining a modicum of coherency and a sort of stability there, wasn't he?

Trump seems to be saying: Let other nations fight their own wars among themselves, and let's see what happens; if they come up with a great leader, that would be nice.  If it turns out to be a tyrant, that would also be fine as long as he or she is capable of stabilizing their own land, one way or another.  If the results are nothing but chaos, that's none of our own business, we just won't do "business" with them, that's all.

Part of me likes the idea.  It seems to me that that's exactly how most of the nations of the world today that are enjoying certain degrees of freedom and prosperity have gone through during their nation-building periods: civil wars, wars between clans, lords, or generals trying to enlarge their spheres of influence and resources.  If we could go back in time and see how our own countries have come to what they are today, we would see horrific and atrocious scene after scene where peoples deemed enemies are murdered mercilessly just because of their living locations, religion, language, how they look, and so on.  The soldiers and their generals or leaders would have surely been called mass murderers and denounced, and their actions something that must be stopped and worthy of outside military intervention to "stabilize" the area.  But such righteous and humane actions by the outsiders, I believe, could never be sufficient to bring lasting peace and prosperity in the region because the external "help" would always be half-hearted and artificial, something brought upon the people living there and not something the locals would have earned through the pain of nation-building process.  

If I was an American, I may well be still supporting Trump.

ウィルスバスタークラウドvsノートン

ウィルスバスタークラウドを数年使ってましたがやたらとブンブン音を立てて動作が遅い。特にクロームとの相性が良くない印象。タスクマネージャー見るとトレンドマイクロのアンチマルウェアなんとかというのがやたらとメモリーか何かを喰っている。とうとう我慢も限界に達したので、試しにノートンにしてみました。

結果、サクサク動いて気持ちいいです。まあまだ1週間だし、しばらく使うとどうなるのか分かりませんが。

後記11月27日

一か月後。元の木阿弥。

留置、管腔

US6515016
"Within other aspects of the present invention, methods are provided for expanding the lumen of a body passageway, comprising inserting a stent into the passageway, the stent having a generally tubular structure, the surface of the structure being coated with (or otherwise adapted to release) an anti-microtubule composition (or, an anti-microtubule factor alone), such that the passageway is expanded. A variety of embodiments are described below wherein the lumen of a body passageway is expanded in order to eliminate a biliary, gastrointestinal, esophageal, tracheal/bronchial, urethral or vascular obstruction. "

[0074] 本発明の他の局面において、身体通路の管腔を拡張するための方法であって、上記通路を拡張するように上記通路にステントを挿入する工程を包含し、ここで上記ステントが一般に管状構造を有し、上記構造の表面が、抗微小管組成物（または、抗微小管剤単独）で被覆（またはそうでなければ放出するように適合され）ている、方法が提供される。種々の実施態様が以下に記載され、ここで身体通路の管腔は、胆管の、胃腸管の、食道の、気管/気管支の、尿道の、または血管の障害を排除するために拡張されている。

"A variety of implants, surgical devices or stents, may be coated with or otherwise constructed to contain and/or release any of the anti-microtubule agents provided herein. Representative examples include cardiovascular devices (e.g., implantable venous catheters, venous ports, tunneled venous catheters, chronic infusion lines or ports, including hepatic artery infusion catheters, pacemaker wires, implantable defibrillators); neurologic/neurosurgical devices (e.g., ventricular peritoneal shunts, ventricular atrial shunts, nerve stimulator devices, dural patches and implants to prevent epidural fibrosis post-laminectomy, devices for continuous subarachnoid infusions); gastrointestinal devices (e.g., chronic indwelling catheters, feeding tubes, portosystemic shunts, shunts for ascites, peritoneal implants for drug delivery, peritoneal dialysis catheters, implantable meshes for hernias, suspensions or solid implants to prevent surgical adhesions, including meshes); genitourinary devices (e.g., uterine implants, including intrauterine devices (IUDs) and devices to prevent endometrial hyperplasia, fallopian tubal implants, including reversible sterilization devices, fallopian tubal stents, artificial sphincters and periurethral implants for incontinence, ureteric stents, chronic indwelling catheters, bladder augmentations, or wraps or splints for vasovasostomy); phthalmologic implants (e.g., multino implants and other implants for neovascular glaucoma, drug eluting contact lenses for pterygiums, splints for failed dacrocystalrhinostomy, drug eluting contact lenses for corneal neovascularity, implants for diabetic retinopathy, drug eluting contact lenses for high risk corneal transplants); otolaryngology devices (e.g., ossicular implants, Eustachian tube splints or stents for glue ear or chronic otitis as an alternative to transtempanic drains); plastic surgery implants (e.g., prevention of fibrous contracture in response to gel- or saline-containing breast implants in the subpectoral or subglandular approaches or post-mastectomy, or chin implants), and orthopedic implants (e.g., cemented orthopedic prostheses). "

種々のインプラント、外科用デバイスまたはステントが、本明細書中に提供される任意の抗微小管剤でコートされるか、またはそうでなければそれを含有し、そして/または放出するように構築され得る。代表的な例には、心血管デバイス（例えば、移植可能な静脈カテーテル、静脈ポート、トンネル化静脈カテーテル、長期注入ラインまたはポート（肝動脈注入カテーテルを含む）、ペースメーカーワイヤ、移植可能な細動除去器）；神経学的/神経外科的デバイス（例えば、心室腹膜分路、心室心房分路、神経刺激デバイス、椎弓切除後硬膜外線維症を防止するためのデュアルパッチおよびインプラント、連続的くも膜下注入のためのデバイス）；胃腸デバイス（例えば、長期留置カテーテル、栄養管、門脈体静脈分路、腹水のための分路、薬物送達のための腹膜移植物、腹膜透析カテーテル、ヘルニアのための移植可能メッシュ、外科的接着（メッシュを含む）を防止するための懸濁液または固体インプラント）；尿生殖器デバイス（例えば、子宮インプラント（子宮内デバイス(IUD）および子宮内膜肥厚を予防するデバイスを含む）、ファロピウス管インプラント（可逆性滅菌デバイスを含む）、ファロピウス管ステント、人工括約筋、尿失禁のための尿道周囲インプラント、子宮ステント、長期留置カテーテル、膀胱増大、または精管吻合のためのラップ（wrap）または副子）；眼科インプラント（例えば、血管新生緑内障のためのマルチノ（multino）インプラントおよび他のインプラント、翼状片のための薬物溶出コンタクトレンズ、失敗した涙嚢鼻腔吻合術のための副子、角膜新血管形成のための薬物溶出コンタクトレンズ、糖尿病性網膜症のためのインプラント、高リスク角膜移植のための薬物溶出コンタクトレンズ）；耳鼻咽喉科デバイス（例えば、耳小骨インプラント、トランステンパニック（transtempanic）排出の代わりとしての膠状耳もしくは慢性耳炎のためのEusrachian管副子もしくはステント）；形成外科インプラント（例えば、胸下もしくは腺下アプローチもしくは乳房切除術後におけるゲルまたは生理食塩水含有乳房インプラント、または顎インプラントに応答する繊維質の痙縮の予防）、ならびに整形外科インプラント（例えば、セメント化整形外科プロステーシス）が含まれる。

US2014130850
"[0008] When deploying a stent or other tissue anchor between adjacent body lumens, organs, or other structures, it is typically necessary to penetrate both a wall of the first body lumen through which access is established and a wall of a second body lumen which is the target for the procedure. When initially forming such access penetrations, there is a significant risk of leakage from either or both of the access body lumen and the target body lumen into the surrounding space including, but not limited to the peritoneal cavity. In some procedures, such as those involving bariatric, transgastric, or transduodenal bile duct access, loss of body fluid into surrounding tissues and body cavities can present a substantial risk to the patient. The risk can be exacerbated when it is necessary to not only penetrate the luminal walls to gain initial access, usually with a needle, but to subsequently enlarge or dilate the initial penetration. "

隣接した体管腔、器官、又はその他の構造物の間にステント又はその他の組織アンカーを留置する場合、典型的には、到達路が確保された第１の体管腔の壁と、手技の標的である第２の体管腔の壁との両方を貫通することが必要である。最初にそのような到達用の貫通部を形成する場合、到達側の体管腔及び標的側の体管腔のいずれか又は両方から周囲の空間へ、例えば、限定するものではないが腹膜腔への、漏出という重大なリスクがある。いくつかの手技、例えば減量的（ｂａｒｉａｔｒｉｃ）、経胃的、又は経十二指腸的な胆管への到達を伴う手技などにおいて、周囲の組織及び体腔の中への体液の損失は患者に多大なリスクを与える可能性がある。リスクは、最初に到達するために通常は針を用いて管腔壁を貫通するだけでなく、続いて当初の貫通部を拡大又は拡張することが必要な場合に、悪化する可能性がある。

WO2016201383
"[0153] At block 1910, the method 1900 may including advancing a sheath 180 over the cannula 105 and into the body lumen 305, as described with reference to FIGS.7A-7D. In some examples, the sheath 180 serves as a stent delivery catheter for antegrade treatment of the body lumen 305 through the pierced access hole. Alternatively, a separate stent delivery catheter may be advanced through the sheath 180 once it is placed within the body lumen 305. In yet other examples, the sheath 180 and cannula 105 are completely withdrawn, leaving the guide wire 155 within the body lumen 305, and a separate stent delivery catheter is advanced over the guide wire 155 and into the body lumen 305."

ブロック１９１０において、方法１９００は、図７Ａ～図７Ｄを参照して説明されたように、シース１８０をカニューレ１０５の上に沿って体腔３０５内へ前進させることを含んでもよい。いくつかの例では、シース１８０は、穿孔されたアクセス孔を通した体腔３
０５の順行性治療のためのステント送達カテーテルの役割を果たす。代替的に、それが体腔３０５内に留置されると、別個のステント送達カテーテルがシース１８０を通して前進させられてもよい。更に他の例では、シース１８０及びカニューレ１０５は、ガイドワイヤ１５５を体腔３０５内に残して、完全に後退させられ、別個のステント送達カテーテルがガイドワイヤ１５５の上に沿って体腔３０５内へ前進させられる。

演出効果

impactful, impressive, theatrical, dramatic