から見たインピーダンス、見込んだ

WO2013136396
[0086] A coil assembly 113 is positioned above the top window structure 107. The coil assembly 113 is connected to a radiofrequency (RF) generator 115 through an impedance matching circuit 117.
【００８６】
  コイルアセンブリ１１３が、上部窓構造１０７の上方に配置されている。コイルアセンブリ１１３は、インピーダンス整合回路１１７を通して高周波（ＲＦ）発生器１１５に接続されている。

The coil assembly 113 is configured to transmit RF power through the top window structure 107 to the plasma processing region 109 when RF power is transmitted to the coil assembly 113 from the RF generator 115 by way of the impedance matching circuit 117.
コイルアセンブリ１１３は、ＲＦ電力がインピーダンス整合回路１１７を通してＲＦ発生器１１５からコイルアセンブリ１１３へ伝達された時に、上部窓構造１０７を通してプラズマ処理領域１０９へＲＦ電力を伝達するよう構成されている。

The impedance matching circuit 117 includes an arrangement of capacitors and inductors configured to ensure that an impedance seen by the RF generator 115 at the input of the impedance matching circuit 117
インピーダンス整合回路１１７は、インピーダンス整合回路１１７の入力におけるＲＦ発生器１１５から見たインピーダンスが、

is sufficiently close to an output impedance for which the RF generator 115 is designed to operate (usually 50 Ohm),
ＲＦ発生器１１５が動作するよう設計された出力インピーダンス（通常、５０オーム）に十分近いことを保証するよう構成されたキャパシタおよびインダクタの配列を備えており、

so that RF power generated and transmitted by the RF generator 115 will be transmitted into the plasma processing region 109 in an efficient manner, e.g., without unacceptable or undesirable reflection.
その結果、ＲＦ発生器１１５によって生成および伝送されるＲＦ電力は、例えば、許容不能または望ましくない反射なしに、効率的にプラズマ処理領域１０９に伝送される。

US9093967
The second terminal 116 b is connected to an output matching segment 120 , which in turn is connected to the output 114 .
第２の端子１１６ｂは、出力整合セグメント１２０に接続され、出力整合セグメント１２０は、出力１１４に接続されている。

The input matching segment 118 , and output matching segment 120 match the impedance (typically at 50 Ohms) as seen by the second transceiver 14 , and the second antenna 20 , respectively.
入力整合セグメント１１８、および出力整合セグメント１２０は、それぞれ、第２のトランシーバ１４，および第２のアンテナ２０から見たインピーダンス（典型的には５０オーム）に整合されている。

US9608480
[0066] The signal output by the filter circuit 726 may be provided to a transmit circuit 750 comprising a coil 715 .
【００５０】
  フィルタ回路726によって出力された信号は、コイル714を備える送信回路750に提供され得る。

The transmit circuit 750 may include a series resonant circuit having a capacitance corresponding to capacitor 720 and inductance (e.g., that may be due to the inductance or capacitance of the coil or to an additional capacitor component) that may resonate at a frequency of the filtered signal provided by the driver circuit 724 .
送信回路750は、ドライバ回路724によって提供されたフィルタリングされた信号の周波数で共振し得る、キャパシタ720に対応するキャパシタンス、およびインダクタンス(たとえば、コイルのインダクタンスまたはキャパシタンス、あるいは追加のキャパシタコンポーネントに起因する場合がある)を有する直列共振回路を含み得る。

The load of the transmit circuit 750 may be represented by the variable impedance 722 which may include a resistive component and a reactive component.
送信回路750の負荷は、抵抗成分と反応性成分を含み得る、可変インピーダンス722によって表され得る。

The value of the impedance 722 as seen by the transmit circuit 750 may be a function of one or more wireless power receivers that are positioned to receive power from the transmit circuit 750 .
送信回路750から見たインピーダンス722の値は、送信回路750から電力を受信するように配置された、1つまたは複数のワイヤレス電力受信機の機能であってもよい。

The transmit circuit 750 may be configured to stably operate within a predetermined range of loading conditions as will be described with reference to FIG. 9 below.
送信回路750は、以下で図9を参照して説明するように、負荷条件のあらかじめ定められた範囲内で安定的に動作するように構成され得る。

EP3735119(JP)
[0027] In designing the λ/4 electromagnetic wave absorber, the sheet resistance of the resistive layer is determined so that an impedance estimated on the front side of the resistive layer using a transmission theory is equal to a characteristic impedance.
【００２６】
  λ／４型電磁波吸収体の設計において、伝送理論を用いて抵抗層の前面から見込んだインピーダンスが特性インピーダンスと等しくなるように、抵抗層のシート抵抗が定められる。

The sheet resistance required for the resistive layer may vary depending on the assumed degree of incidence angle of the electromagnetic waves to be incident on the λ/4 electromagnetic wave absorber.
抵抗層に求められるシート抵抗は、λ／４型電磁波吸収体に入射する電磁波の想定される入射角度によって変動しうる。

US2018006581(JP)
[0063] As an example, FIG. 7A and FIG. 7B illustrate a frequency characteristics of the absolute value of the impedance that is estimated from the output of the AC power supply in the wireless power transmitting device illustrated in FIG. 1. 
【００３１】
  例として、図１の無線電力伝送装置における交流電源出力から見込んだインピーダンスの絶対値の周波数特性を図７に示す。

FIG. 7A illustrates a frequency characteristics in a case where k=0.1 and Q=30, and FIG. 7B illustrates a frequency characteristics in a case where k=0.3 and Q=100.
図７（Ａ）はｋ＝０．１、Ｑ＝３０とした場合の周波数特性、図７（Ｂ）はｋ＝０．３、Ｑ＝１００とした場合の周波数特性を示す。

As seen from the graphs, in the configuration illustrated in FIG. 1, the impedances take their local minimum values at about the fundamental component. Therefore, it can be said that the fundamental component is selectively allowed to pass.
このように、図１の構成では基本波成分付近でインピーダンスは極小値をとっており、基本波成分を選択的に通過させていると言える。