US2021359160
[0020] IR photon detectors may use very high-quality semiconductors from this process to achieve performance needed for low-noise and high-sensitivity imagery.
【００２０】
ＩＲ光子検出器は、このプロセスからの非常に高品質の半導体を使用して、低ノイズおよび高感度結像に対して必要とされる性能を達成することができる。
This process using semiconductor stacks matched to a silicon substrate may integrate an IR detector array with the silicon electronics for conditioning and reading out the detector photocurrent.
シリコン基板に整合される半導体積層体を使用するこのプロセスは、ＩＲ検出器アレイを、検出器光電流を調整し読み出すためのシリコンエレクトロニクスと集積することができる。
EP2449856
An exemplary semiconductor stack comprising an RSC capable of simultaneously emitting light having a spectrum that includes two peak wavelengths, similar to the spectrum shown in FIG. 3b, is set forth below in Table 2.
【００３５】
図３ｂに示すスペクトルに類似の、２つのピーク波長を含むスペクトルを有する同時発光が可能なＲＳＣを含んだ、代表的な半導体積層体を、下記の表２に示す。
The stack includes one green- emitting (555 nm) quantum well, producing a green spectral peak, and one red-emitting (620 nm) quantum well, producing a red spectral peak.
この積層体には、緑色スペクトルピークを生成する緑色発光（５５５ｎｍ）量子井戸１つと、赤色スペクトルピークを生成する赤色発光（６２０ｎｍ）量子井戸１つが含まれる。
