NANDフラッシュメモリーがついに300層に、記録面密度も前年比55％増

NANDフラッシュメモリーがついに300層に、記録面密度も前年比55％増

半導体回路技術のオリンピックとも呼ばれる国際学会「2023 International Solid-State Circuits Conference（ISSCC 2023）」（米国サンフランシスコ、2023年2月19日～23日）で、NANDフラッシュメモリーの技術が大きく前進する。ISSCCの極東委員会が2022年11月17日に東京で開催した事前会見で明らかにした。