定在波

US2014121388
The piezoelectric element 710 is bonded to the carrier, constituting the roof of this flow chamber a small distance upstream of the sensor.
圧電素子７１０は、センサーのわずかな距離上流のこのフローチャンバーの屋根を構成する、キャリアへ結合される。

The piezoelectric or other vibrational element can be operated, for example in a quarter wave mode selected relative to the distance to the sensor surface,
圧電素子又は他の振動素子は、例えば、センサー表面に対する距離に対して選択される４分の１波長モードにおいて動作され得て、

so as to set up a standing wave and a pressure gradient to drive the sample units to the bottom of the stream,
サンプルユニットを流れの底部へ運ぶための圧力勾配及び定在波を設けるようにして、

a position（＊bottomの同格；底部、すなわち～な位置）that would be maintained as（＊際に）the laminar Hele-Shaw flow carries them under the chamber lid 713 and across the sensor surface 102. 
層流のヘレ－ショウ流れとして維持されるであろう位置が、チャンバー蓋７１３の下、且つセンサー表面１０２を横切ってそれらを運ぶ

US2021271060
[0004] Frequency gaps when using a standing wave illumination are shown in FIGS. 2A and 2B.
【０００５】
  定在波照明を用いた場合の周波数ギャップを図２Ａ、２Ｂに示す。

Referring to FIG. 2A, an example of the XZ OTF (kz, vertical, kx, lateral) is shown when using instant SIM illumination.
図２Ａを参照すると、インスタントＳＩＭ照明を使用する場合のＸＺ  ＯＴＦ（ｋｚ、縦方向、ｋｘ、横方向）の例が示されている。

The axial diffraction limit is given by the boundary of the solid white ellipse.
軸回折限界は白色楕円の境界によって与えられる。

Referring to FIG. 2B, the OTF when using standing-wave illumination, e.g. by first
図２Ｂを参照すると、定在波照明を使用する場合、例えば、まず、

photoactivating molecules with a standing wave having spatial frequency f and different phases (solving the aliasing problem),
空間周波数ｆ及び異なる位相を有する定在波で分子を光活性し（エイリアシング問題を解決し）、

imaging the photoactivating molecules using an instant SIM system,
インスタントＳＩＭシステムを用いて光活性化分子を画像化し、

and then deconvolving the resulting images. Now additional copies of the OTF exist, centered at +/−f in addition to the original OTF at the DC component (red dots). 
そして、結果の画像をデコンボリューションすることによる、ＯＴＦが示されている。

US9019595
[0077] The band gaps of the quantum wells material(s) and the barrier layer material(s) may be chosen so that the input/pump wavelength are absorbed only in the quantum well layers or also in the barrier layers.
【００４４】
[0044]  量子井戸材料及び障壁層材料のバンドギャップは、入力／励起波長が、量子井戸層の中だけで、又は、さらに障壁層においても吸収されるように選択されてもよい。

The quantum wells (if more than one) may be all of the same thickness or different thicknesses and/or compositions.
量子井戸は（複数ある場合）、全く同じ厚さでもよく又は異なる厚さ及び／又は組成でもよい。

Similarly the barrier layers may be all of the same thickness or different thicknesses and/or compositions.
同様に、障壁層は、全く同じ厚さでもよく又は異なる厚さ及び／又は組成でもよい。

Each quantum well may or may not be located at an anti-node of the standing wave in the resonator cavity.
それぞれの量子井戸は、共振器空洞の中で定在波の波腹に位置付けられてもよく又は位置付けられなくてもよい。