モノリシック集積

WO2019100055
[0067] FIGS. 2A illustrates a cross-sectional view of a monolithically-integrated neural interface (MINI) device 200A.
【００３２】
  図２Ａは、モノリシック集積型ニューラルインターフェース（ＭＩＮＩ）デバイスの断面図である。

The MINI device 200A includes a frontplane layer 207 and a backplane layer 21 1 , collectively referred sometimes as the chip 203.
本ＭＩＮＩデバイス２００Ａは、フロントプレーン層２０７及びバックプレーン層２１１を含み、これらはまとめてチップ２０３と呼ばれることもある。

The frontplane layer 207 and backplane layer 21 1 are generally monolithically integrated to form chip 203 into a single MINI device 200A. 
フロントプレーン層２０７及びバックプレーン層２１１は、一般にモノリシック集積され、それによりチップ２０３を単一のＭＩＮＩデバイス２００Ａに形成する。

ゼロにする

US10863600
[0050] In operation, the first LED driver circuit 506 calibrates output current ILED 527 in relation to a reference current source IREF 563 .
【００４１】
  動作中、第１のＬＥＤドライバ回路５０６は、基準電流源Ｉ_ＲＥＦ５６３に対して出力電流Ｉ_ＬＥＤ５２７を校正する。

The set signal USET 559 controls the reference current source IREF 563 to generate the bias voltage VBIAS 558 .
設定信号Ｕ_ＳＥＴ５５９は、基準電流源Ｉ_ＲＥＦ５６３を制御して、バイアス電圧Ｖ_ＢＩＡＳ５５８を生成する。

In order to regulate the output current ILED 527 of the first LED string, first operational amplifier 574 regulates the drain to source voltage of the transistor 571 to a second transistor 565 .
第１のＬＥＤストリングの出力電流Ｉ_ＬＥＤ５２７を調節するために、第１の演算増幅器５７４は、第２のトランジスタ５６５に対してトランジスタ５７１のドレイン・ソース電圧を調節する。

The first operational amplifier 574 receives reference voltage VREF 560 at the non-inverting input and the source voltage of the first cascode circuit 568 at the inverting input via first trim resistor RTRIM 575 .
第１の演算増幅器５７４は、非反転入力において基準電圧Ｖ_ＲＥＦ５６０を受信し、第１のトリミング抵抗器Ｒ_ＴＲＩＭ５７５を介して反転入力において第１のカスコード回路５６８のソース電圧を受信する。

The first operational amplifier 574 operates in a closed loop to make the voltage difference between the non-inverting and inverting inputs zero by increasing or decreasing its output voltage.
第１の演算増幅器５７４は、その出力電圧を高くするか、または低くすることにより、非反転入力と反転入力との間の電圧差をゼロにするように、閉ループにおいて動作する。

The output of the operational amplifier controls the gate of transistor 570 .
演算増幅器の出力は、トランジスタ５７０のゲートを制御する。

US2015327291
 Based on the training symbols, STA 1 may then determine the MIMO channels to AP 0 's K virtual antennas.
トレーニングシンボルに基づいて、ＳＴＡ１はその後、ＡＰ０のＫ本の仮想アンテナへのＭＩＭＯチャネルを決定してもよい。

The STA 1 may then compute a RX BF matrix (e.g., RX BF matrix 621 ) to spatially null interference (e.g., interference 712 ) from AP 0 .
その後、ＳＴＡ１は、ＡＰ０からの干渉（例えば、干渉７１２）を空間的にゼロにするためのＲＸ  ＢＦマトリックス（例えば、ＲＸ  ＢＦマトリックス６２１）を計算してもよい。

EP3274987
[0002] Engine harmonic sound levels in the cabin of a motor vehicle can be canceled or enhanced.
【０００２】
  自動車両の車内におけるエンジン倍音レベルは、相殺され得、または増強され得る。

Cancellation is aimed to reduce certain harmonics to zero. Enhancement bolsters certain harmonics so as to create a desired engine sound.
相殺は、特定の高調波をゼロにすることを目標とするものである。増強は、所望のエンジン音を生成するように特定の高調波を増強するものである。

In some cases, however, engines can operate such that at times the harmonics should be increased and at other times the harmonics should be decreased.
しかしながら、場合によっては、エンジンは、時には高調波を増加させ、時には高調波を減少させるように動作することができる。

One example is a displacement on demand (DoD) engine where not all of the cylinders are fired at all times.
一例には、すべてのシリンダが常に点火されるとは限らない、可変気筒(DoD)エンジンがある。

The harmonic sounds from DoD engines can change, in some cases dramatically, as the active cylinder configuration changes. This can detract from the experience of people in the vehicle.
DoDエンジンからの倍音は、アクティブなシリンダの構成が変化するとき、場合によっては劇的に変化することがある。これは車両内の人々の体験を損なう可能性がある。

としたとき

WO2016168443
31. A method of carrying out combustion in a furnace, comprising
【請求項６】
  炉内で燃焼を行う方法であって、

(i) passing fuel gas which is syngas from a thermo-chemical regenerator at a velocity less than 50 feet per second into a duct having an outlet that is connected to the interior of the furnace,
（ｉ）熱化学的再生器からの合成ガスである燃料ガスを、前記炉の内部に接続された出口を有するダクトへと５０フィート／秒未満の速度で送ることと、

(ii) injecting at least one stream of motive gas having a velocity of at least 100 feet per second from a nozzle in the duct having an internal diameter D into the syngas in the duct at an upstream distance L from the interior wall of the furnace
（ｉｉ）前記炉の内壁から上流側に距離Ｌの位置において、前記ダクト内にある内径Ｄのノズルから、前記ダクト内の前記合成ガスへと、少なくとも速度１００フィート／秒の原動ガスの少なくとも１つの流れを噴射することであって、

wherein the mass flow rate of the motive gas injected into the fuel gas is less than 60 % of the mass flow rate of the fuel gas into which the motive gas is injected,
前記燃料ガスに噴射される前記原動ガスの質量流量は、前記原動ガスが噴射される前記燃料ガスの質量流量の６０％未満であり、

(iii) under conditions such that the value of (L/D) x (N/R) is from 4 to 25, wherein N is the number of streams of motive gas injected into the syngas in the duct
（ｉｉｉ）前記原動ガスの少なくとも１つの流れを噴射することは、Ｎを、前記ダクトにおいて前記合成ガスへと噴射される原動ガス流の数とし、

and R is the ratio of the total mass flow rate of syngas passed into the duct to the total mass flow rate of the stream, or all of the streams, of motive gas injected into the duct,
Ｒを、前記ダクトに送られる合成ガスの総質量流量の、前記ダクトへと噴射される原動ガスの流れ、又は全ての流れの総質量流量に対する比としたときに、（Ｌ／Ｄ）×（Ｎ／Ｒ）の値が４～２５となる条件下で行われることにより、

thereby entraining the syngas into the motive gas stream in the duct
前記ダクトにおいて、前記合成ガスが前記原動ガス流へと取り込まれると共に、

and forming in the duct at least one mixed stream comprising a mixture of the syngas and the motive gas and having a velocity greater than 50 feet per second,
 前記合成ガスと前記原動ガスの混合物を含み、５０フィート／秒を超える速度の少なくとも１つの混合流が、前記ダクト内で形成される、ことと、

(iv) passing said mixed stream at a velocity of greater than 50 feet per second from said duct into said furnace, and
 （ｉｖ）前記ダクトから前記炉へと５０フィート／秒を超える速度で前記混合流を送ることと、

(v) combusting the mixed stream with one or more oxidant streams injected into said furnace.
（ｖ）前記混合流を、前記炉内へと噴射される１つ以上の酸化剤流で燃焼させることと、を含む、方法。

WO2018204356
1. A method for temperature measurement in an array of magnetoresistive sensors, the method comprising:
【請求項１】
  磁気抵抗センサのアレイの温度測定のための方法であって、

providing an array of magnetoresistive sensors,
磁気抵抗センサのアレイを提供するステップであって、

 

wherein the array of magnetoresistive sensors includes at least one reference magnetoresistive sensor;
前記磁気抵抗センサのアレイは、少なくとも１つの基準磁気抵抗センサを含み、

 

wherein Ro is a zero field resistivity at a reference temperature T₀, wherein T is temperature, wherein a is a material parameter of the magnetoresistive sensors,
Ｒ０を、基準温度Ｔ０でのゼロ電界抵抗、Ｔを温度、αを前記磁気抵抗センサの材料パラメータとしたとき、

 

and wherein the magnetoresistive sensors have a zero field resistivity R given by R = R₀(l + a(T-T₀));
前記磁気抵抗センサのゼロ磁場抵抗率Ｒは、Ｒ＝Ｒ０（１＋α（Ｔ－Ｔ０））である、該ステップと、

 

measuring zero field resistivity of the at least one reference magnetoresistive sensor at two or more known temperatures to determine a ;
２つ以上の既知の温度で少なくとも１つの基準磁気抵抗センサのゼロ磁場抵抗率を測定し、αを決定するステップと、

 

measuring zero field resistivity of one or more magnetoresistive sensors of the array of magnetoresistive sensors to determine corresponding temperatures T of the one or more magnetoresistive sensors from measured R and known .
前記磁気抵抗センサのアレイの１つ以上の磁気抵抗センサのゼロ磁場抵抗を測定して、測定されたＲと既知のαから前記１つ以上の磁気抵抗センサのそれぞれの対応する温度Ｔを決定するステップとを含むことを特徴とする方法。

 

US2017249778
4 . The computer-implemented method of claim 3,
【請求項４】
  請求項３に記載の、コンピュータによって実施される方法であって、

 

wherein the remaining subsets* of the N+2 subsets of triangles
 三角形の前記Ｎ＋２個の部分集合のうちの残りの部分集合Ｌ^*は、

 

comprise triangles t i of the set such that

∀ t i ∈ ℒ ,  P  ( t i ∈ ℒ ⋆ ) =  ( t i )  0 ,

wherein A(t i ) is the surface area of the triangle t i and S o is the threshold
Ａ（ｔ_i）を三角形ｔ_iの表面積、Ｓ_oを閾値としたとき、

【数１】

となるような前記集合の三角形ｔ_iを含む
  ことを特徴とする方法。

 

US1019195653
1. A device for fabricating a frusto-conical structure from segments of planar stock, the frusto-conical structure having a virtual peak located at a point where a taper of the frusto-conical structure would decrease to zero if the frusto-conical structure were not truncated, the device comprising:
【請求項１】
  平坦なストックから円錐台構造を形成するための装置であって、前記円錐台構造が、前記円錐台構造の先端部が仮に切り取られていなかったとしたときに前記円錐台構造のテーパーがゼロまで減少するポイントに位置する仮想的頂点を有するものにおいて、

a source of a stock in planar form having a first edge and a second edge;
第１の縁部及び第２の縁部を有する平坦なストックの源と、

a curving device operable to impart a controllable curvature to the stock without imparting in-plane deformation;
前記ストックに対し、面内変形を与えることなく、調節可能な湾曲を与えるように構成された湾曲装置と、

a feed system operable to transport the stock from the source to the curving device in a feed direction,
 前記ストックを前記源から前記湾曲装置へ給送方向に搬送するように構成された給送システムであって、

the feed system varying an in-feed position of the stock so that the stock exits the curving device with the first edge at a position adjacent to the second edge of a prior portion of the stock curved by the curving device;
 前記湾曲装置によりまだ変形されていない前記ストックの部分が、前記円錐台構造の前記仮想的頂点を中心として、前記ストックの前記部分の平面において実質的に回転運動をさせられるように、前記ストックの給送位置を変化させる給送システムと、

a joiner operable to join the first edge to the second edge at the position; and
前記第２の縁部に隣接する位置において前記第１の縁部を前記第２の縁部に結合する結合器と、

a control system in communication with the curving device, the feed system, and the joiner to form planar stock from the source into the frusto-conical structure,
前記湾曲装置、前記給送システム、及び前記結合器の動作を制御し、前記源からの平坦なストックを前記円錐台構造となるように形成する制御システムと

  を含む装置。

 

US2017078553
2 . The method of determining according to claim 1, characterized in that the duration of exposure (T exp ) is defined by:
【請求項２】
  前記露出時間（Ｔ_exp）は、

T exp = du * Z f *  v -⟩ 

with Z the distance measured between said drone and the ground,

du the quantity of blurring,

f the focal length, and

∥v∥ the horizontal speed of displacement of said drone.

前記ドローンと地面との間の測定された距離をＺ、前記ぼかし量をｄｕ、前記焦点距離をｆ、前記ドローンの水平変位速度を||ｖ||としたときに、
【数１】

により規定される
ことを特徴とする請求項１に記載の決定方法。

 

WO2017044231
6. The flow-propelled rotary knife system of claim 5, wherein opposite ends of the at least one blade
【請求項６】
  前記少なくとも一つのブレードの反対の端部は、

 

are secured to diametrically opposite portions of the blade holder at a pitch angle defined by the formula: Pitch Angle = Arc Tan (2 x Pi x Radius/Pitch Length),

 

where Radius is a radial distance from the center of the central aperture of the blade holder, and Pitch Length is a distance the product travels during one full rotation of the blade.

半径を前記ブレードホルダの前記中央開口の中心からの半径方向の距離とし、ピッチ寸法を前記ブレードの一回転の間に前記生産物が移動する距離としたときに、

 

下記式で定義されるピッチ角で前記ブレードホルダの直径方向に対向する部分に固定されることを特徴とする請求項５に記載の流れ駆動型回転ナイフシステム。
  ピッチ角  ＝  ＡｒｃＴａｎ（２×Ｐｉ×半径／ピッチ寸法）

 

WO2017034694

1. A golf club head comprising:

a body portion having a toe portion, a heel portion, a top portion, a sole portion, a rear portion,
【請求項１】
  トウ部と、ヒール部と、トップ部と、ソール部と、リア部と、

a front portion having a face portion with a face portion thickness extending between a front surface and a back surface,
フロント面とバック面の間のフェース部厚さを有するフェース部を持つフロント部と、

and an interior cavity, the body portion being associated with a body portion volume; and
内部キャビティとを有するボディ部であり、ボディ部体積と関連している、前記ボディ部と、

an elastic polymer material in the interior cavity, the elastic polymer material being associated with an elastic polymer material volume,
前記内部キャビティ内の弾性ポリマー材料であり、弾性ポリマー材料体積と関連している、前記弾性ポリマー材料と、
を備えたゴルフクラブヘッドであって、

wherein the elastic polymer material volume
前記弾性ポリマー材料体積は、

is related to the body portion volume by the equation 0.2 ⟨ V e /V b ⟨ 0.5, where V e is the elastic polymer material volume in units of3 3in , and V¾ is the body portion volume in units of in .
Ｖ_eを立方インチ単位の前記弾性ポリマー材料体積とし、Ｖ_bを立方インチ単位の前記ボディ部体積としたとき、

前記ボディ部体積に対して０．２≦Ｖ_e／Ｖ_b≦０．５の関係を有することを特徴とするゴルフクラブヘッド。

１つ下

WO2019027478
[0096] FIGS. 8A-D is a series of elevation views of several exemplary embodiments of an optical assembly 50 showing various locations with gradient degrees of alteration on the exterior surface 62 of the insertable optical element 14. 
【００８２】
  図８Ａ～Ｄは、挿入可能な光学素子１４の外面６２の処理の程度に勾配を有する様々な箇所を示す光学アセンブリ５０のいくつかの好ましい実施形態の一組の立面図である。

[0097] The first view (uppermost, FIG. 8A) of the series of views shows an unaltered optical span 100 of the insertable optical element 14 that is without any radial dispersion (i.e., the insertable optical element 14 has not been treated or altered to provide radial emission of light from the body of the insertable optical element 14).【００８３】
  一組の図の最初の図（最も上の図８Ａ）は、挿入可能光学素子１４の径方向分散を伴わない（即ち、挿入可能光学素子１４は、挿入可能光学素子１４の本体からの光の径方向放射を提供するための処理や変更がなされていない）未処理光学スパン１００を示している。

[0098] The second view (next view down, FIG. 8B) of the series of views
【００８４】
  一組の図の二番目の図（一つ下の図８Ｂ）は、

shows an exemplary radial transmission equivalency over a radial emission portion 103 (i.e., radial emission portion 103, as depicted, has a gradient modification such that the emitted EMR has substantially uniform intensity and power over the length of the radial emission portion 103) that provides radially dispersed light from a segment-modified optical span 102.
径方向に分散した光をセグメント修飾光学スパン１０２から供給する径方向放射部１０３の好ましい径方向伝搬均等性（即ち、図示された径方向放射部１０３は、放射されたＥＭＲが径方向放射部１０３の全長に渡り実質的に均一な強度及びパワーを有するよう、勾配付修飾(gradient modification)を有する）を示す。

WO2019018474
[0034] Referring back to FIG. 3, if the stats device is defined as a DSD 110 (step 318),
【００３４】
  再び図３を参照すると、統計デバイスがＤＳＤ１１０として規定されるならば（ステップ３１８）、

DSD analytics agent 122 receives data reported from downstream member devices a tier below (step 320), such as D-MSD 112.
ＤＳＤ分析エージェント１２２は、Ｄ－ＭＳＤ１１２のような一つ下の層のダウンストリーム・メンバ・デバイスから報告されるデータを受信する（ステップ３２０）。

DSD analytics agent 122 then aggregates reported data from D-MSD devices 112 belonging to the same ACL rule (step 322).
そして、ＤＳＤ分析エージェント１２２は、同じＡＣＬルールに属するＤ－ＭＳＤデバイス１１２からの報告データを集約する（ステップ３２２）。

EP1314198
Note additionally, that if the lines shown in solid outline are printed on the first layer of the semiconductor wafer with the lines shown solid on the second layer,
【００５５】
  さらに、もし実線の輪郭で示された線群が半導体ウェーハの第１レイヤ上に印刷され、実線で示された線群が第２レイヤ上にあるなら、

then on the third layer another set of lines (shown here in solid outline) are printed over, and covering, the lines of the first layer.
第３レイヤ上に他のセットの線群（ここでは実線の輪郭で示される）が第１レイヤの線群上を覆うように印刷されることもあることに注意されたい。

Then the lines of the second layer are used in conjunction with lines on the third layer.
このとき、第２レイヤの線群は第３レイヤの線群と関連して用いられる。

Thus, each set of lines on a layer of the semiconductor wafer (except for those on the first and last layers)
よって半導体ウェーハのレイヤ上のそれぞれの線群のセット（第１および最後のレイヤ上のそれらを除く）は、

are used in conjunction with the lines on two layers of the semiconductor wafer, the one below and the one above.
半導体ウェーハの２つのレイヤ上、つまり一つ上および一つ下のレイヤ上の線群と関連して用いられる。

This implementation works best if the first layer cannot be detected optically when below the third layer.
この実現例は、もし第１レイヤが第３レイヤの下であって光学的に検出できないなら最もよく機能する。

Alternatively, if there is sufficient space on the semiconductor wafer surface, the grating pairs for each pair of adjacent layers on the wafer
あるいは、もし半導体ウェーハ表面上にじゅうぶんなスペースがあるなら、ウェーハ上の隣接するレイヤのそれぞれのペアのグレーティングペアは、

could be in a different location on the wafer to minimize any"bleed through"interference from a third layer on the measurement for the top two layers of interest.
ウェーハ上の異なる場所に位置させることで、関心のある２つのトップレイヤの測定に対する、第３レイヤからの「染みだし」干渉を最小化することができる。

WO2015175317
[00162] Drive signals generated by processor(s) 1602 are transmitted to the horizontal traces via digital-to-analog converter 1604, de-multiplexer 1606, and busses 1-4 and A-D.
【０１６２】
  プロセッサ１６０２によって生成される複数の駆動信号は、デジタル／アナログコンバータ１６０４、デマルチプレクサ１６０６、並びに、複数のバス１－４およびＡ－Ｄにより複数の水平配線へ送信される。

Each horizontal trace is designated by the pair of busses to which it is connected,
各水平配線は、それが接続されている複数のバスのペアによって指定される。

i.e., the top horizontal trace in FIG. 16 is trace 1A, the next trace down is trace 2B, and so on.
すなわち、図１６における最上部の水平配線が配線１Ａであり、次に一つ下の配線が配線２Ｂである、等。

WO2015041937
[0023] In operation, a-bit CDAC 314 converts most significant 'a' bits into an analog output value (V_appl), whose initial value is set to a value corresponding to the middle of the input full-scale range.
【００２１】
  [0023]  動作中、ａビットＣＤＡＣ３１４は、「ａ」個の最上位ビットを、アナログ出力値（Ｖ_ａｐｐ１）へと変換し、ここで、その初期値は、入力されたフルスケール範囲の中間に対応する値に設定される。

The first comparator 316 compares the input voltage (Vi_n) with the converted analog output value (V_appl) of the a-bit CDAC 314.
第１の比較器３１６は、入力電圧（Ｖ_ｉｎ）を、ａビットＣＤＡＣ３１４の変換後のアナログ出力値（Ｖ_ａｐｐ１）と比較する。

The first comparator 316 outputs or feeds back the result of the comparison to the a-bit register 312 as the next bit down from the MSB in the conversion sequence. 
第１の比較器３１６は、変換シーケンス中のＭＳＢの一つ下のビットとして、比較の結果をａビットレジスタ３１２に出力又はフィードバックする。

大局構造

WO2006114760
The description above is a generalized view of the CA system 900.
【０１２４】
  前述の説明は、CAシステム９００の一般化された見方である。

In digital video broadcasting, only the encryption algorithm, the odd/even control word structure, the global structure of ECMs and EMMs and their referencing are defined.
ディジタル・ビデオ・ブロードキャストでは、暗号化アルゴリズム、奇数／偶数の制御語の構造、ECM及びEMMの大局構造並びにそれらの参照のみを規定する。

The detailed structure of the CA system 900 and the way the payloads of ECMs and EMMs are encoded and used are provider specific.
CAシステム９００の詳細な構造、ECM及びEMMのペイロードが暗号化され、用いられるやり方はプロバイダ特有である。

Also the smartcard is provider specific. However, from experience it is known that many providers follow essentially the structure of the generalized view of Fig. 9. 
更に、スマートカードはプロバイダ特有である。しかし、経験から、図９の一般化された見方の構造に多くのプロバイダが事実上従うことが分かっている。

 

大局構造：global structure, "人的資本/Human Intelligenceと脳模倣型人工知能/Neuromorphic AI: インテリジェンスという視点から", p.29

収納式

US2020392787
[0036] According to one improvement, the abutment means are retractable. The device can therefore be freed completely.
【００３０】
  改善された装置では、ストッパーは収納式である。このように、装置を完全にリリースできる。

WO2019035050
[0095] The retractable side brushes 300-1 and 300-2 are configured to move inwards in a direction towards the body 304 when the robotic cleaning apparatus 298 engages (e.g., contacts) an obstacle.
【００６３】
[0095]  収納式サイドブラシ３００－１及び３００－２は、ロボット掃除装置２９８が障害物と係合する（例えば、接触する）時、本体３０４に向かって内向きに動くように構成される。

For example, the retractable side brushes 300-1 and 300-2 can be configured to retract within the body 304 a sufficient distance such that the hubs 306-1 and 306-2 do not extend substantially beyond the displaceable bumper 302.
例えば、収納式サイドブラシ３００－１及び３００－２は、ハブ３０６－１及び３０６－２が実質的に変位可能なバンパ３０２を越えて延びないように、本体３０４内に十分な距離だけ引っ込むように構成され得る。

As such, the retractable side brushes 300-1 and 300-2 do not substantially interfere with the performance of the displaceable bumper 302.
そのため、収納式サイドブラシ３００－１及び３００－２は、変位可能なバンパ３０２の動作と実質的に干渉しない。

WO2017083278
[0025] While the illustrated example shows two horizontally translating door panels, the teachings of this disclosure may be applied to other types and/or configurations of doors.
【００１４】
  [0025]図示例は、２つの水平並進ドアパネルを示すが、本開示の教示は、その他のドアのタイプ及び／又は構成に適用することができる。

For example, the teachings of this disclosure may be applied to doors with only one panel or doors with more than two panels.
例えば、本開示の教示は、１枚のパネルのみを有するドア又は２枚以上のパネルを有するドアに適用することができる。

Further, the teachings of this disclosure may be applied to vertically translating doors (e.g., rollup doors, overhead storage doors, etc.), pivoting doors, and/or any other type of door.
さらに、本開示の教示は、垂直並進ドア（例えば、ロールアップドア、頭上収納式ドアなど）、旋回ドア、及び／又は他の任意のタイプのドアに適用することができる。

Further still, the teachings of this disclosure may be applied to flexible doors (e.g., made of fabric) or rigid doors (e.g., made of fiberglass, rigid foam, metal, etc.).
さらにまた、本開示の教示は、可撓性ドア（例えば、布製）又は剛性ドア（例えば、ファイバーグラス製、剛性フォーム製、金属製など）に適用することができる。

However, for purposes of explanation, the teachings of this disclosure will be described with reference to the example door 100 of FIGS. 1 and 2.
しかしながら、説明の目的で、本開示の教示を、図１及び図２の例示的なドア１００を参照して説明する。

US10143279
[0002] The invention relates to luggage bags that comprise a handle for towing, and more specifically relates to luggage bags with a retractable handle and hubless wheels.
【０００２】
  本発明は牽引用ハンドルを含むキャリーバッグに関し、より具体的には収納式ハンドルとハブ無しホイールとを備えたキャリーバッグに関する。

US2012306492
[0042] As described hereinabove, the telescoping inner wall member 220 includes a plurality of concentric tubes.
【００４１】
  本明細書の上で記載したように、テレスコープ式内側壁部材２２０は複数の同心性チューブを含む。

It may be noted that use of collapsible steel and/or plastic cups, collapsible telescopes,
内側壁部材２２０として、押込み収納式鋼鉄製及び／またはプラスチック製カップ、押込み収納式テレスコープ、

collapsible antennae, or combinations thereof as the inner wall member 220 is also envisaged.
押込み収納式アンテナ、あるいはこれらの組み合わせを用いることも想定されることに留意されたい。

少なくとも～以上

at leastだけで良いような気もしましたが。

US8749610
FIG. 9 is a flowchart of a method 900 for un-muting an unassociated node 115 of a synchronous communication conference according to some embodiments of the present disclosure. The method 900 begins by the communication module 208 receiving an un-mute request (also referred to as a join request) from a first conferencing node 115 to join a private conference between conferencing node users belonging to a connected group (e.g., an interconnected group of users in a social network). In some embodiments, the (first) synchronous communication data stream being received by the first conferencing node 115 was muted by an iteration of one of the preceding methods 300-800. In some embodiments, the first conferencing node 115 is participating in a synchronous communication conference with at least two or more second conferencing nodes 115 associated with the connected group of users, as described above with reference to methods 600-800. 

US10250949
For unicast HTTP streams that are published by a server, this can be alleviated by always having at least three or more segments available for download. However, for broadcast content to HTTP unicast, the video content is received at the client converter via UDP at the compressed media bitrate, and the client converter needs to buffer enough data (e.g., thirty-seconds in this example) before the media player can start playback of the video content.

US7541398
The aggregator 35 generates the actual lexicon 42, as further described below with reference to FIG. 7. The aggregator 35 retrieves and analyses the word sets 39 and associated frequencies of occurrence 40 to identify statistically significant and non-standard forms of capitalization. For example, in one embodiment, one form of non-standard capitalization occurs when an individual letter other than the first letter is capitalized. In one embodiment, a capitalization variation is deemed statistically significant if, for instance, at least four or more occurrences are found in the text corpus 38, although other forms of statistical and metrics of significance are feasible, as will be appreciated by one skilled in the art. In addition, the aggregator 35 can apply rules 31 that formalize the conventions and practices found in the application of ordinary grammar and, for example, editorial guidelines. The aggregator 35 can apply the implicit rules 41 as a form of filter 43 to moderate the content of the lexicon 42.

リサーフ領域

US8624302
[0056] FIG. 4A is an illustration of a field effect transistor (FET) having floating coupled capacitor (FCC) regions, formed according to the method described above with reference to FIG. 3, and pn junctions in the active drift region.
【００４５】
  図４Ａは、図３に関して上述されている方法に従って形成された浮遊容量結合（ＦＣＣ）領域、及び活性ドリフト領域内ｐｎ接合を有する電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を示している。

The FET includes a source 405 , a gate 410 , a drain 415 ,
このＦＥＴは、ソース４０５、ゲート４１０、ドレイン４１５、

active drift regions (not shown), inactive vertical FCC regions (four shown) 425 A- 425 D,
活性ドリフト領域（図示せず）、不活性垂直ＦＣＣ領域（４つ示されている）４２５Ａ－４２５Ｄ、

P-resurf regions (three shown) 440 A- 440 C, and interrupted N+ buffer region 430 and a body 440 . 
Ｐリサーフ（resurf）領域（３つ示されている）４４０Ａ－４４０Ｃ、並びに断続的なＮ＋バッファ領域４３０及びボディ４４０を含んでいる。

FIG. 4B is a top view of FIG. 4A. FIG. 4C is a cross sectional view of FIGS. 4A and 4B along the cut line B-B′ shown in FIG. 4B. 
図４Ｂは、図４Ａの上面図である。図４Ｃは、図４Ｂに示されているＢ－Ｂ′切断線に沿った図４Ａ及び４Ｂの断面図である。

表層部

EP2540774
[0035] In addition, it has also been shown that adhesion of the inorganic thermal coating to the substrate can be provided in the absence of surface roughness of the substrate.
【００３５】
   加えて、基板の表面が粗くない場合には、基板への無機質熱コーティングの接着を提供しうることが示されてきた。

As such, composite structures in accordance with the disclosure can be provided in which further abrasion treatment of the substrate is not necessary for adhesion.
同様に、接着のための基板のさらなる研磨処理が不要になるように、本発明に基づく複合材料構造物を提供することが可能である。

In fact, it has been observed that abrasion of the epoxy based substrate/material may actually be detrimental to the bonding process.
実際に、エポキシ系基板／材料の研磨は接着プロセスに対して実際に有害になりうることが観察されてきている。

While not wishing to be bound by theory,
理論に束縛されることを望むものではないが、

it is believed that abrasion (e.g., sanding) may remove a surface layer and expose underlying components of the substrate, such a graphite or carbon fibers, for example, and as a result, reduce the surface area of the epoxy based substrate/material that is available for bonding.
研磨（例えば、やすりによる研磨）は表層を取り除き、グラファイト又は炭素繊維などの下層のコンポーネントを露出させ、その結果、例えば、接着に利用されるエポキシ系基板／材料の表面積を減少させると考えられている。

In addition, abrasion may also result in removing a portion of the hydrated surface layer of the epoxy based substrate/material, which would result lower the amount of chemisorbed water that is available for boding with the adhesion promoting agent.
加えて、研磨はまた、エポキシ系基板／材料の水和した表層部分を除去し、接着促進剤による接着に利用される化学吸着水の量を減少させる結果となることがある。

WO2017218796
Conclusions:
【０３１６】
結論：

There are numerous potential benefits of a dermal matrix mesh with immobilized Vancomycin. The mesh should be much more resistant to Vancomycin-sensitive bacterial infiltration and subsequent biofilm formation.
バンコマイシンを固定化した皮膚マトリックスメッシュには様々な有益性の可能性がある。メッシュは、バンコマイシン感受性細菌侵入及びそれに続くバイオフィルム形成に対してはるかにより耐性となるはずである。

 

Vancomycin effectively kills the most common bacteria cultured from infected mesh. By eliminating these bacteria the mesh better maintains essential biomechanical properties and is more durable, long-term solution for patients with complex abdominal wall pathology.
バンコマイシンは、感染したメッシュから培養した最も一般的な細菌を効果的に殺傷する。これらの細菌を排除することにより、メッシュは、不可欠な生体力学的特性を良好に維持し、複雑な腹壁の疾患を有する患者に対してより持続可能で長期の解決法である。

 

Moreover, by using this mesh, superficial site infections after abdominal wall reconstruction with mesh would be markedly reduced.
さらに、このメッシュを使用することにより、メッシュによる腹壁再建後の表層部位の感染が著しく減少するであろう。

不純物濃度

WO2019148011
[0092] In a sixth step S16, the resistivity of the doped silicon region is obtained using the well-known empirical results,
【００５４】
  第６のステップＳ１６において、ドープされたシリコン領域の抵抗率は、周知の実験結果を用いて得られる。

e.g., FIG. 7 is a graph of resistivity versus impurity concentration for P and N-type dopants.
例えば、図７は、Ｐ型およびＮ型ドーパントの抵抗率対不純物濃度のグラフである。

WO2017103832
[0023] In various embodiments, a doped material has impurity concentration in the range of parts-per-billion to parts-per-thousand, or more specifically from about 10¹³ cm^"3 to about 10¹⁸ cm^"3.
【００２４】
  様々な実施形態では、ドープされる材料は、十億分率から千分率、または、より具体的には、約１０^１３ｃｍ^－３から約１０^１８ｃｍ^－３の範囲内の不純物濃度を有する。

In contrast, a formula of Si_xGei_-x represents concentrations of at least an order of magnitude greater than doping levels, or more specifically, 0.005
対照的に、Ｓｉ_ｘＧｅ_１－ｘの式は、ドーピング・レベルより少なくとも１桁大きな濃度を表すものであり、または、より具体的には、０．００５≦ｘ≦０．９９５である。