不純物濃度

WO2019148011
[0092] In a sixth step S16, the resistivity of the doped silicon region is obtained using the well-known empirical results,
【００５４】
  第６のステップＳ１６において、ドープされたシリコン領域の抵抗率は、周知の実験結果を用いて得られる。

e.g., FIG. 7 is a graph of resistivity versus impurity concentration for P and N-type dopants.
例えば、図７は、Ｐ型およびＮ型ドーパントの抵抗率対不純物濃度のグラフである。

WO2017103832
[0023] In various embodiments, a doped material has impurity concentration in the range of parts-per-billion to parts-per-thousand, or more specifically from about 10¹³ cm^"3 to about 10¹⁸ cm^"3.
【００２４】
  様々な実施形態では、ドープされる材料は、十億分率から千分率、または、より具体的には、約１０^１３ｃｍ^－３から約１０^１８ｃｍ^－３の範囲内の不純物濃度を有する。

In contrast, a formula of Si_xGei_-x represents concentrations of at least an order of magnitude greater than doping levels, or more specifically, 0.005
対照的に、Ｓｉ_ｘＧｅ_１－ｘの式は、ドーピング・レベルより少なくとも１桁大きな濃度を表すものであり、または、より具体的には、０．００５≦ｘ≦０．９９５である。