封止樹脂

WO2018009937
[0003] As an example, FIG. 1A illustrates a flip chip 1, also known as controlled collapse chip connection or its acronym, C4,
【０００３】
  一例として、図１Ａには、フリップ・チップ１が示されており、そのフリップ・チップ１は、破壊抑制チップ接続部（controlled collapse chip connection）またはそれの頭字語であるＣ４としても知られており、

whereby an integrated circuit die 2 is electrically connected to the interconnecting substrate 3 by solder bumps 4.
そのフリップ・チップ１により、ＩＣダイ２（integrated circuit die、集積回路ダイ、集積回路用の半導体チップ）が、複数のはんだバンプ（solder bumps、はんだ隆起部）４により配線基板(interconnecting substrate)３に電気的に接続される。

The solder bumps 4 electrically connect the die 2 to the substrate 3 through metallic pads 5 and 6.
それらはんだバンプ４は、ＩＣダイ２を配線基板３に複数の金属パッド５および６を通過するように電気的に接続する。

The solder bumps 4 also assist in mechanically bonding the die 2 to the substrate 3.
複数のはんだバンプ４は、さらに、ＩＣダイ２を配線基板３に機械的に接合することを支援する。

The severe thermal expansion mismatch between the silicon die 2 and the substrate 3 will introduce significant thermal stresses in the package, especially in the small solder bumps 4.
シリコン製のＩＣダイ２と配線基板３との間での過大な熱膨張率差のために、大きな熱ストレスが、当該パッケージ（the package）内に、特に、複数の小さいはんだバンプ４内に誘起されることになる。

An underfill 7 is typically provided to fill the space between the die 2 and the substrate 3 to assist in mechanically bonding the parts together
アンダーフィル(underfill、封止樹脂）７が、典型的に、前記複数の部品を互いに機械的に接合することを支援するという目的と、

and to reduce the thermal stresses in the solder bumps 4.
複数のはんだパンプ４内の熱ストレスを軽減するという目的とのために、ＩＣダイ２と配線基板３との間の隙間を充填するために提供される。

The underfill is typically a polymer material (e.g. filled epoxy).
そのアンダーフィル７は、典型的には、ポリマー材料（例えば、充填エポキシ）である。

WO2010078199
Exemplary polymers include liquid crystal polymers (LCPs). Such LCPs may be high-performance, flexible, thin polymers in roll-to-roll materials, which typically have a lower cost than sheet materials.
【００３６】
  例示的なポリマーとしては、液晶ポリマー（ＬＣＰｓ、Liquid  Crystal  Polymers）を含む。そのような液晶ポリマーは、高性能で柔軟なロール・ツー・ロール材料における薄いポリマーであってよく、一般的にはシート材料よりも低いコストを有する。

Alternatively, such LCPs may be high-performance bondply that can conform to any uneven surface to create a suitable structure.
代わりに、そのような液晶ポリマー（ＬＣＰｓ）は、適切な形状を作るため、いかなる平坦でない表面にも追従することができる高性能の接着層であってもよい。

Although LCPs have different coefficients of thermal expansion (CTE) than Si-ICs, they conform to IC pads during assembly.
液晶ポリマーは、シリコン製ＩＣとは異なる熱膨張係数（ＣＴＥ、coefficients  of  thermal  expansion）を有するが、組立中はＩＣパッドに追従する。

The heat generated by ICs also helps soften the LCP bondply materials placed around the IC pads, which reduces reliability issues of CTE mismatch.
ＩＣにより生成された熱はまた、ＩＣパッドの周囲に配置された液晶ポリマー接着層を柔らかくするのにも役立ち、熱膨張係数の不整合による信頼性の問題を減少させる。

The conformal properties of LCP also eliminate the need of any underfill of flip-chip ICs. 
液晶ポリマーの共形特性は、フリップチップＩＣのいかなる封止樹脂（アンダーフィル剤）の必要性をも取り除く。

US2020294925(JP, FUJI ELECTRIC)
[0024] (Semiconductor Device)
【００１２】
（半導体装置）

[0025] As illustrated in FIG. 1, a semiconductor device 100 according to the embodiment of the present invention includes a semiconductor chip 30 and a metal wiring plate 60 .
図１に示すように、本発明の実施形態に係る半導体装置１００は、半導体チップ３０及び金属配線板６０を備える。

The semiconductor device 100 may include a radiator 10 , a stacked substrate 11 , a case 20 , and a sealing resin 21 .
半導体装置１００は、冷却器１０、積層基板１１、ケース２０および封止樹脂２１を含んでよい。

The semiconductor chip 30 is an element having a function of controlling a flow of a main current by an active region including a p-n junction formed in a semiconductor substrate 29 (refer to FIG. 7).
半導体チップ３０は、半導体基板２９（図７参照）に形成された、ｐｎ接合を含む活性領域によって主電流の流れを制御する機能を有する素子である。

The top surface of the radiator 10 is in direct or indirect contact with the bottom surface of the stacked substrate 11 .
冷却器１０の上面は積層基板１１の下面に直接又は間接的に接する。

The inner portion of the case 20 is filled with the sealing resin 21 for sealing the top surface of the stacked substrate 11 , the semiconductor chip 30 , the metal wiring plate 60 , and the like.
ケース２０の内部に積層基板１１の上面、半導体チップ３０及び金属配線板６０等を封止する封止樹脂２１が充填される。

The semiconductor device 100 according to the embodiment is a power semiconductor device (a power device) using the semiconductor chip 30 serving as a power semiconductor, for example, so as to convert input electric power to predetermined electric power.
実施形態に係る半導体装置１００は、例えばパワー半導体である半導体チップ３０を用いて、入力された電力を所定の電力に変換する電力用半導体装置（パワーデバイス）である。

The embodiment is illustrated below with the semiconductor device 100 including the single stacked substrate 11 , the single semiconductor chip 30 , and the single metal wiring plate 60 for illustration purposes.
実施形態において、理解を容易にするために、それぞれ１つの積層基板１１、半導体チップ３０及び金属配線板６０を備える半導体装置１００について説明する。

The semiconductor device 100 may include a plurality of stacked substrates, a plurality of semiconductor chips, and a plurality of metal wiring plates.
半導体装置１００は、複数の積層基板、半導体チップ及び金属配線板等を備え得る。

The illustration in the drawings or the explanations are not made below with regard to terminals, wires, and signal processing circuits, for example, used for the connection to external components.
また、外部と接続するための端子及び配線、並びに信号処理回路等については図示及び説明を省略する。

US2021036700(JP, Rohm)
[0071] One example of the configuration of the semiconductor device 1 will now be described with reference to FIGS. 2 to 6.
【００３２】
  図２～図６を参照して、半導体装置１の構成の一例について説明する。

[0072] The semiconductor device 1 further includes a lead 30 , a heat dissipation member 40 , and an encapsulation resin 50 (double-dashed line in FIG. 2).
半導体装置１は、リード３０、放熱部材４０、及び封止樹脂５０（図２では二点鎖線）をさらに備える。

The semiconductor device 1 is a single package formed by encapsulating the drive unit 10 and the control circuit 20 (both shown in FIG. 1) with the encapsulation resin 50 .
半導体装置１は、封止樹脂５０が駆動部１０及び制御回路２０（ともに図１参照）を封止することにより１パッケージ化されている。

The semiconductor device 1 is rectangular in a plan view. In the following description, a longitudinal direction of the semiconductor device 1 is defined as a first direction X,
半導体装置１は、平面視において矩形状に形成されている。以降の説明において、半導体装置１の長手方向を第１方向Ｘと規定し、

a direction orthogonal to the first direction X in a plan view of the semiconductor device 1 is defined as a second direction Y,
半導体装置１の平面視において第１方向Ｘと直交する方向を第２方向Ｙと規定し、

and a direction orthogonal to both of the first direction X and the second direction Y is defined as a third direction Z.
第１方向Ｘ及び第２方向Ｙの両方と直交する方向を第３方向Ｚと規定する。

The third direction Z can also be referred to as the thickness direction of the semiconductor device 1 .
第３方向Ｚは、半導体装置１の厚さ方向とも言える。

US2021066237(JP, Murata)
[0025] The sealing resin layer 4 is made of a resin such as an epoxy resin that is generally used as a sealing resin, and seals the components 3 a to 3 d .
【００１４】
  封止樹脂層４は、エポキシ樹脂等の封止樹脂として一般的に採用される樹脂で形成され、各部品３ａ～３ｄを封止する。

The sealing resin layer 4 includes a lower surface 4 b (corresponding to the “contact surface of the sealing resin layer” of the present disclosure) that is in contact with the multilayer wiring board 2 ,
また、封止樹脂層４は、多層配線基板２に当接する下面４ｂ（本発明の「封止樹脂層の当接面」に相当）と、

an upper surface 4 a (corresponding to the “opposed surface of the sealing resin layer”) facing the lower surface 4 b , and a side surface 4 c.
該下面４ｂに対向する上面４ａ（本発明の「封止樹脂層の対向面」に相当）と、側面４ｃとを有する。

US2021050274(JP, HITACHI CHEMICAL)
[0002] Conventionally, semiconductor packages having a structure in which a semiconductor element is adhered onto a die pad by means of an adhesive such as a silver paste, this is joined to a lead frame with a wire, and then the entirety is sealed while an outer lead for external connection is left, have been used.
【０００２】
  従来、ダイパッド上に銀ペースト等の接着剤により半導体素子を接着し、これとリードフレームをワイヤで接合した後に、外部接続用のアウターリードを残して全体を封止する構造の半導体パッケージが用いられてきた。

However, as there is a stronger demand for density increase, area reduction, thickness reduction, and the like in recent years, semiconductor packages having various structures have been suggested.
しかし、近年の半導体パッケージの高密度化、小面積化、薄型化等の要求の高まりに伴い、様々な構造の半導体パッケージが提案されている。

As such a semiconductor package, a semiconductor package having a structure in which only one surface (semiconductor element side) of the package is sealed, and a lead frame exposed at the rear surface is used for external connection, has been developed (for example, QuadFlat Non-leaded (QFN) package).
このような半導体パッケージとして、パッケージの片面（半導体素子側）のみを封止し、裏面がむき出したリードフレームを外部接続用に用いる構造の半導体パッケージが開発されている（例えば、ＱＦＮ（ＱｕａｄＦｌａｔ Ｎｏｎ－ｌｅａｄｅｄ）パッケージ）。

Since a package having this structure does not have a lead frame protruded from the sealing resin, area reduction and thickness reduction can be promoted.
この構造の半導体パッケージでは、リードフレームが封止樹脂から突出していないため、小面積化及び薄型化が図れる。

However, there are occasions in which defects such as the sealing resin wrapping around the rear surface of the lead frame at the time of sealing molding occur.
しかし、封止成形時にリードフレーム裏面に封止樹脂がまわり込む等の不具合が起きる場合がある。

US2021050817(JP, SUMITOMO ELECTRIC)
[0072] From the output electrode to the copper pattern 35 of the cell 41 , the P-electrode side and the N-electrode side are separated from each other and are insulated from each other by an insulating resin 44 .
【００４０】
  セル４１の出力電極から銅パターン３５までは、Ｐ極側及びＮ極側が分かれて絶縁樹脂４４により互いに絶縁されている。

A lead frame 43 p connected to the P side of the output of the cell 41 and a lead frame 43 n connected to the N side via a gold wire 41 w are each separately connected to the copper pattern 35 .
セル４１の出力のＰ側と接続されるリードフレーム４３ｐと、金ワイヤー４１ｗを介してＮ側と接続されるリードフレーム４３ｎとは、それぞれ別に、銅パターン３５に接続されている。

A resin ring 42 on the lead frames 43 p, 43 n supports the secondary lens 47 . The peripheries of the lead frames 43 p, 43 n are covered by a potting resin 45 .
リードフレーム４３ｐ，４３ｎ上に乗った樹脂製のリング４２は、２次レンズ４７を支持している。リードフレーム４３ｐ，４３ｎの周囲はポッティング樹脂４５により覆われている。

A transparent sealing resin 46 is filled in the space between the secondary lens 47 and the cell 41 .
２次レンズ４７とセル４１との間の空間には透明な封止樹脂４６が充填され、

The sealing resin 46 seals the cell 41 and adheres to the secondary lens 47 .
封止樹脂４６は、セル４１を封止し、２次レンズ４７を接着させている。

The sealing resin 46 is, for example, a transparent silicone resin. For example, this sealing resin 46 could discolor due to a long-time use.
封止樹脂４６は、例えば、透明なシリコーン樹脂である。例えば、この封止樹脂４６が、長年の使用により変色する可能性がある。

US2020377715(JP, PANASONIC IP)
To bond a flip-chip type semiconductor chip facedown onto a base member,
【００１４】
  フリップチップ型の半導体チップを基板上にフェイスダウンで実装する場合、

a so-called “underfilling technique” for sealing the gap between the base member and the semiconductor chip by filling the gap with a resin composition after the semiconductor chip has been mounted onto the base member is often used as a well-known technique.
基材へ半導体チップを実装した後、基材と半導体チップとの間の隙間に樹脂組成物を充填して隙間を封止するアンダーフィリング技術が知られている。

In fabricating a semiconductor device, the pitch of bump electrodes thereof is required to be even narrower in order to meet the growing demand for reducing the overall size, weight, and thickness of the semiconductor device.
【００１５】
  半導体装置を作製するにあたっては、半導体装置の小型化、軽量化、薄型化などの要請からバンプ電極の狭ピッチ化が求められ、

Thus, a pre-applied process is adopted as the underfilling technique.
アンダーフィリング技術として、先供給方式が採用されている。

According to the pre-applied process, a base member with conductor wiring, a semiconductor chip with bump electrodes, and a resin composition in liquid phase at an ordinary temperature may be provided, for example.
この先供給方式では、例えば導体配線を備える基材と、バンプ電極を備える半導体チップと、常温で液状の樹脂組成物とを用意する。

The resin composition is placed in position on the base member, the semiconductor chip is mounted at the position where the resin composition is placed on the base member, and bump electrodes are arranged on the conductor wiring.
基材上に樹脂組成物を配置し、基材上に樹脂組成物が配置されている位置に半導体チップを配置するとともに、導体配線上にバンプ電極を配置する。

In this state, the resin composition and the bump electrodes are heated to cure the resin composition and thereby form an encapsulant and electrically connect the bump electrodes to the conductor wiring.
この状態で樹脂組成物及びバンプ電極を加熱することで、樹脂組成物を硬化させて封止材を形成するとともにバンプ電極と導体配線とを電気的に接続する。

However, bonding the bump electrodes to the conductor wiring by applying ultrasonic vibrations to the bump electrodes eliminates the need to melt the solder of the bump electrodes at a high temperature, thus allowing a lower heating temperature to be adopted.
【００１９】
  バンプ電極に超音波振動を与えることでバンプ電極と導体配線とを接合すれば、バンプ電極のはんだを高温で溶融させる必要がなくなるため、加熱温度を低下させることができる。

This obviates the need to cool the bonding head. In that case,
その場合、ボンディングヘッドを冷却する必要がなくなる。

however, the ultrasonic vibrations applied would produce voids in the resin composition or would make the voids produced tiny enough to increase the chances of the tiny voids being left in the encapsulant, made from the encapsulation resin composition, in the gap between the bump electrodes and the conductor wiring.
しかし、その場合は、超音波振動によって樹脂組成物内にボイドが発生したり、あるいは発生したボイドが細かくなり、封止用樹脂組成物から作製された封止材中でボイドがバンプ電極と導体配線との間に残留しやすい。

The presence of such residual voids in the encapsulant causes a decline in the performance of the semiconductor device.
ボイドが封止材中に残留すると、半導体装置の性能低下を招いてしまう。

突き合わせて接合

EP2240825
[00178] In the event that precision roll-to-roll slitting does not provide sufficient accuracy,
【０１３４】
  ロール・ツー・ロール裁断を十分な正確性をもって実施できない場合には、

another preferred technique for manufacturing the finished screen from coated strips,
被膜が形成されたストリップから最終製品であるスクリーンを製造する他の好ましい方法があり、

where strips hang vertically for strength reasons, is to simultaneously slit the sheets so that they can be easily butted together.
この方法は、強度上の理由から材料を鉛直方向に吊り下げ、また、複数のシートを同時に裁断することにより、これらを突き合わせて接合するのが容易になる。

This can be done by overlapping thesheets and using a single knife, or using a pair of knives with fixed separation.
これは、複数のシートを重ね合わせて、一つのナイフまたは、固定された間隔で設けられる一組のナイフを使用しておこなうことができる。

While this gives relief from edge straightness constraints, it is a batch process that is substantially more labor intensive than the precision roll-to-roll slitting approach.
この方法によれば、端が真直ぐになっていなければならないという制約が緩和されるが、バッチプロセスであるため、ロール・ツー・ロール裁断方法と比較すると労働力を要する。

[00180] Given the lack of surface area associated with a butt-joint, it is likely that additional mechanical support may be used to ensure joint strength.
【０１３６】
  突き合わせ接合に関連する表面領域が存在しない場合、接合強度を確かにするさらなる機械的支持構造を使用してもよい。

This can be provided using some form of backer- strip, which creates a T-joint.
例えば、Ｔ字型の接合部を形成する裏打ち材のストリップのようなものを使用して支持してもよい。

The thickness and size of the backer strip can be selected to ensure that the front surface of the finished (stretched) screen is uniform across the boundary.
裏打ちストリップの厚みおよびサイズは、最終製品の（引き伸ばされた）スクリーンの表面が、境界において均一となるように選択される。

In some instances, it may be preferable to laminate the entire screen to a secondary backer sheet, such as a fabric, which further improves the strength and appearance.
場合によっては、スクリーン全体を、例えば布地のような二次的な裏打ちストリップでラミネートして、強度および外観を改善することが望ましい。

WO2010144762
To illustrate the ability of the present invention to electrically bridge interfaces,
【０１００】
  接合面を電気的にブリッジする本発明の能力を例証するために、

the same self-assembling LSP material for Panel H was spray coated onto two different 10 cm x 30 cm (3.9 in x11.8 in) single plies of carbon fiber pregreg (3k-70-PW Carbon Fiber Epoxy).
パネルＨに対して同じ自己組織化ＬＳＰ材料を、炭素繊維プリプレグ（3k-70-PW Carbon Fiber Epoxy）の二つの異なった１０ｃｍ×３０ｃｍ（３．９ｉｎ×１１．８ｉｎ）の単層に噴霧塗布した。

The resulting coating was approximately 75 microns (0.003 in) in thickness.
得られた塗膜は厚みがおよそ７５ミクロン（０．００３ｉｎ）であった。

The two coated plies were then butt spliced together on a metal tool surface (coating against surface), thus creating a linear defect along the interface of the two samples.
ついで、二つの塗布層を金属ツール面（表面に対する塗布）に突き合わせて接合し、これによって二つのサンプルの接合面に沿って線形の欠陥を形成した。

Two 20 cm x 30 cm (7.9 in x 11.8 in) carbon fiber plies were applied to the back of the splice plies.
２つの２０ｃｍ×３０ｃｍ（７．９ｉｎ×１１．８ｉｎ）炭素繊維層を継ぎ目層の背面に塗布した。

The entire structure was then vacuum bagged and cured at 177⁰C (350 ⁰F) for 3 hours.
ついで、構造体全体を真空バッグに入れ、１７７℃（３５０Ｆ^ｏ）で３時間硬化させた。

Electrical resistance measurements were taken using a 2x2 point probe with 7 cm probe spacing within each original coating and across the butt splice joint.
電気抵抗測定値を、各元の塗布内で７ｃｍの探針間隔で突き合わせ接合継ぎ手にわたって２×２点探針を使用して取った。

The cured coating exhibited comparable electrical conductivity across the initial butt splice defect as measured within each of the original samples.
硬化塗膜は、元のサンプルの各々内で測定して最初の突き合わせ継ぎ目欠陥にわたって同程度の電気的伝導性を示した。

This is attributable to the unique structure of the material which allows enables the self-assembling conductive pathways to form electrical connections with the pre-existing LSP system.
これは、既存のＬＳＰシステムと電気的接続を形成する自己組織化伝導性経路を可能にする材料の独特の構造に起因する。

EP1169077
Airway tube 410 is assembled by coupling the connector section 411 and the integral airway tube and backplate section 416 together.
【００４４】
  前記気道チューブ410は、コネクタ部分411とチューブ・バックプレート一体部分416とを接合することにより組立できる。

As shown in Figure 9A, when the parts are so coupled, the flange 414 of connector section 411 abuts the flange 420 of section 416. 
図９Ａに示すように、それらを接合する場合、コネクタ部分411のフランジ414を一体部分416のフランジ420に突き合わせて接合する。

US3825319
Finally, the two fibers are butt-joined together（＊突き合わせ接合）, as by butt-welding their exposed cut ends at an elevated temperature sufficient to flow the materials together as known in the art, or the two fibers are simply butted end-to-end and cemented together, or otherwise mechanically constrained in contiguous proximity to each other.

US4682848
Refer now to FIGS. 6-11 for an understanding of the second embodiment of the connector of the invention. The connector second embodiment includes mateable plug and receptacle units 201 and 202, respectively. Each unit carries a fiber end to be butt-joined with（＊突き合わせ接合）the fiber end in the other unit. In FIG. 6, the plug unit 201 includes a forward outer body segment 203 which is threaded to a rear body segment 204 to form a continuous plug unit casing. When the forward and rear body segments 203 and 204 are engaged, they capture between them a grip sleeve 205.

US7680371
For example, when a silicon waveguide is butt-joined with（＊突き合わせ接合）a Si₃N₄ waveguide and both waveguides are 0.3 μm thick, the calculated transmission loss for the fundamental mode is low (<0.5 dB) and the return loss is also remarkably suppressed (down to −20 dB).

US10400612
[0029] FIG. 2 illustrates an embodiment of the airfoil 10 , where the trailing edge 26 of the shell 14 comprises a Y-cloth ply 22 extending to the pressure side 30 and to the suction side 28 of the shell 14 . The Y-cloth ply 22 may comprise a trailing portion 70 .
【００２５】
  図2はエアフォイル10の実施形態を示しており、シェル14の後縁26は、シェル14の正圧側30と負圧側28とに延びているY字クロースプライ22を備えている。Y字クロースプライ22は後部70を備える。

A suction portion 72 of the Y-cloth ply 22 extends from the trailing portion 70 and to the suction side 28 of the shell 14 .
Y字クロースプライ22の負圧部72は、後部70からシェル14の負圧側28に延びている。

A pressure portion 74 of the Y-cloth ply 22 extends from the trailing portion 70 and to the pressure side 30 of the shell 14 .
Y字クロースプライ22の正圧部74は、後部70からシェル14の正圧側30に延びている。

The Y-cloth ply 22 may be any ceramic ply which may form the trailing edge 26 of the shell 14 and couple the trailing edge 25 of the shell 14 to the other portions of the shell 14 .
Y字クロースプライ22は、シェル14の後縁26を形成できると共にシェル14の後縁25をシェル14の他の部分に結合できる任意のセラミックプライであってもよい。

Examples of Y-cloth plies 22 may be woven aluminium oxide fiber plies, silicon carbide fiber plies, unidirectional tape, or any other oxide or non-oxide ceramic fiber ply.
Y字クロースプライ22の例には、織られた酸化アルミニウム繊維プライ、炭化ケイ素繊維プライ、一方向性テープ、又は任意の他の酸化物若しくは非酸化物のセラミック繊維プライがあり得る。

The Y-cloth ply 22 may extend over or under layers of the shell 14 or may be placed between plies 18 of the interwoven ceramic fibers 38 and 40 .
Y字クロースプライ22は、シェル14の層の上若しくは下で延びることができ、織り交ぜられたセラミック繊維38及び40のプライ18間に配置され得る。

Alternatively, the suction portion 72 and pressure portion 74 of the Y-cloth ply 22 may form butt joints 20 with the shell ceramic fibers 38 and 40 of the shell 14 .
代替で、Y字クロースプライ22の負圧部72及び正圧部74は、シェル14のシェルセラミック繊維38及び40と突き合わせ接合部20を形成してもよい。

The trailing edge 265 of the shell 14 may also comprise a plurality of Y-cloths plies 22 .
シェル14の後縁26は複数のY字クロースプライ22を備えてもよい。

 

"replacement beams have been butt joined with gang-nails"（＊gang-nailsにより突き合わせ接合されたbeams；withは手段）, Cantilever Deck, Renovate Forum

"Sheets of 1.15-mm-thick aluminum alloy EN AW-6014 T4 were butt-joined with（＊突き合わせ接合）sheets of 0.80-mm-thick zinc-coated steel DC04 using the single-sided Cold Metal Transfer (CMT) process." Mechanical properties and fracture modes of thin butt-joined aluminum-steel blanks for automotive applications, ScienceDirect

給電素子

WO2018226954
[0068] In some embodiments, a first parasitic element 915 may be positioned at least partially within the antenna volume.
【００５９】
  [0068]いくつかの実施形態では、第１の無給電素子９１５が、少なくとも部分的にアンテナボリューム内に位置決めされ得る。

A first active tuning element 916 may be coupled with the parasitic element 915.
第１のアクティブ同調素子９１６が、無給電素子９１５と結合され得る。

The first active tuning element 916 can be a passive or active component or series of components
第１のアクティブ同調素子９１６は、パッシブコンポーネントもしくはアクティブコンポーネントまたは連続コンポーネントとすることができ、

and may be configured to alter a reactance on the first parasitic element 914 either by way of a variable reactance, or shorting to ground, resulting in a frequency shift of the antenna.
可変リアクタンス、またはグランドへの短絡のいずれかによって第１の無給電素子９１４に対するリアクタンスを変更し、結果として、アンテナの周波数シフトを引き起こすように構成され得る。

WO2018208894
[0084] In some embodiments, the transmitter pad 200 includes a metal patch element 306 for each antenna element.
[0084]  いくつかの実施形態において、送信器パッド２００は、各アンテナ素子に関する金属パッチ素子３０６を含む。

The feed element 307 drives the corresponding patch element 306.
給電素子３０７は、対応するパッチ素子３０６を駆動する。

For example, the first patch element 306-A is driven by a first feed element 307-A and the second patch element 306-B is driven by a second feed element 307-B.
例えば、第１パッチ素子３０６－Ａは第１給電素子３０７－Ａによって駆動され、第２パッチ素子３０６－Ｂは第２給電素子３０７－Ｂによって駆動される。

The feed element 307 may be made from any suitable material known by those skilled in the art (e.g., aluminum, copper, etc.).
給電素子３０７は、当業者に既知である任意の適当な材料（例えばアルミニウム、銅など）から製作され得る。

WO2018052994
A way to improve the radiated power at/or near resonance in such cases is
このような事例での共振時又は近共振での放射電力を改善する方法は、

to use a parasitic element of sufficiently matched impedance to the unit cell which facilitates splitting the strong resonating current near the unit cell,
単位セルに十分に整合したインピーダンスの無給電素子を用いることであり、単位セル近傍で強い共振電流の分割を促進することで、

thereby reducing the ohmic losses of the unit cell.
単位セルの抵抗損を低減する。

The use of parasitic elements has two advantages, one helps to reduce the ohmic losses of the unit cell
無給電素子の使用には、２つの利点があり、１つは、単位セルの抵抗損を低減する助けとなることであり、

and also in the array environment of the antenna, a well-matched dipole element subsides the mutual coupling between the unit cells by reducing the internal coupling to contribute to more controlled aperture distributions on the antenna.
また、アンテナのアレイ環境では、十分に整合したダイポール素子が、内部カップリングを低減することにより単位セル間の相互カップリングを抑制し、アンテナ上でのより制御された開口面分布をもたらすようになる。

Figure 5B illustrates a graph of the ohmic losses in a unit cell with a dipole element and without a dipole element.
図５Ｂは、ダイポール素子有りと無しの場合の単位セルにおける抵抗損のグラフを示している。

US10141656
[0052] Referring to FIGS. 4 and 5, in one example construction, substrate layer 120 is formed with antenna elements 110 on first surface 122 ( FIG. 4) and feed elements 126 on second surface 124 ( FIG. 5).
【００３５】
  図４及び図５を参照すると、一実施例の構成では、基板層１２０は、第１の表面１２２（図４）上にアンテナ素子１１０、第２の表面１２４（図５）上に給電素子１２６を有して形成されている。

As one example, antenna elements 110 are formed in approximately parallel rows on first surface 122 of substrate layer 120
一実施例として、アンテナ素子１１０は、基板層１２０の第１の表面１２２上でほぼ平行な列で形成され、

and feed elements 126 are formed in approximately parallel rows on second surface 124 of substrate layer 120 .
給電素子１２６は、基板層１２０の第２の表面１２４上でほぼ平行な列で形成されている。

Other arrangements of antenna elements 110 and/or feed elements 126 are also contemplated.
アンテナ素子１１０及び／又は給電素子１２６の他の構成も検討されている。

Each pair of antenna elements 110 (also identified herein as antenna element pair 110 a ) ( FIG. 4) on first surface 122 is associated with one of feed elements 126 (also identified herein as feed element 126 ) on the opposed second surface 124 .
第１の表面１２２上のアンテナ素子１１０のそれぞれの対（本明細書ではアンテナ素子の対１１０ａとしても認識される）（図４）は、裏面の第２の表面１２４上の給電素子１２６（本明細書では給電素子１２６としても認識される）のうちの１つに関連付けられる。

裏面入射型、裏面照射型

EP3407104
[0030] In some implementations, multispectral filter 105 may be deposited onto a substrate associated with an optical sensor device.
【００１４】
  いくつかの実施形態において、マルチスペクトルフィルタ１０５は、光学センサ装置と対応付けられた基板上に形成されてもよい。

For example, mirror 110-1 may be deposited (e.g., via a deposition process and/or a photolithographic lift-off process) onto a substrate that includes an array of sensor elements to capture information (e.g., spectral data).
例えば、ミラー１１０－１は、情報（例：スペクトルデータ）を得るためにセンサ素子アレイを含む基板上に（例：蒸着プロセスおよび／またはフォトリソグラフィリフトオフプロセスにより）形成されてもよい。

In some implementations, spacer 120 may permit capture of information relating to multiple wavelengths.
いくつかの実施形態において、スペーサ１２０は、複数波長に関する情報の取得を可能にしてもよい。

For example, a first portion of spacer 120 aligned with a first sensor element (e.g., a back illuminated optical sensor or a front illuminated optical sensor of a sensor element array)
例えば、第１のセンサ素子（例：センサ素子アレイの裏面入射型光学センサまたは前面入射型光学センサ）と配列されるスペーサ１２０の第１の部分は、

may be associated with a first thickness and a second portion of spacer 120 aligned with a second sensor element may be associated with a second thickness.
第１の厚さと対応付けられてもよく、第２のセンサ素子と配列されるスペーサ１２０の第２の部分は、第２の厚さと対応付けられてもよい。

US9299738
[0004] As the demand for improved inspection capabilities continues to increase so too will the demand for improved image sensor devices.
【０００２】
  検査機能の改善に対する需要が高まり続けるにつれ、改善された画像センサデバイスに対する需要も高まるだろう。

Typically, inspection systems utilize area sensors equipped with multiple readout registers per sensor, whereby each readout register sequentially outputs 16, 32 or more columns.
通常、検査システムは、１つのセンサごとに複数の読出しレジスタを備えた領域センサを活用し、それによって各読出しレジスタは１６、３２又はそれ以上の列を順次出力する。

A typical inspection system may use one or two sensor arrays in this regard.
典型的な検査システムはこの点において１つ又は２つのセンサアレイを使用してよい。

The image sensors included in current inspection technologies typically include charge-coupled devices (CCDs) due to their low noise and high quantum efficiency.
現在の検査技術に含まれる画像センサは、通常、その低ノイズ及び高量子効率のために電荷結合素子（ＣＣＤ）を含む。

In addition, a typical sensor array may be back-thinned and illuminated from the back, so as to maximize quantum efficiency, which is particularly advantageous at short (deep UV) wavelengths.
さらに、典型的なセンサアレイは、特に短い（深紫外線）波長で有利である量子効率を最大化するために、裏面入射型で、背部から照明されてよい。

A typical array sensor may consist of a few hundred to a few thousand pixels along each side of the sensor.
典型的なアレイセンサは、センサの各側に沿って数百ピクセルから数千ピクセルによって構成されてよい。

Pixel dimensions are typically on the order of between about 10 μm and about 20 μm.
ピクセル寸法は、通常、およそ約１０μｍと約２０μｍとの間である。

WO2016172414
Spectroscopic ellipsometry:
【００８４】
分光エリプソメトリ：

[00109] Spectroscopic ellipsometry measurements were carried out on a M-2000D ellipsometer from J. A. Woollam.
分光エリプソメトリ測定をＪ．Ａ．ＷｏｏｌｌａｍからのＭ－２０００Ｄエリプソメータで行った。

 

The wavelength range covered was 193 to 1000 nm which was achieved with a deuterium and quartz tungsten halide (QTH) lamps.
網羅された波長帯は、１９３～１０００ｎｍであり、重水素及び石英タングステンハライド（ＱＴＨ）ランプを用いて実現された。

 

The optical set-up consisted of the lamps, a fixed MgF₂ Rochon polarizer, the film of interest, rotating compensator, a fixed MgF₂ Rochon polarizer for the analyzer and a back-thinned silicon CCD array detector.
光学セットアップは、ランプ、固定ＭｇＦ_２ロション偏光子、対象の膜、回転補償器、分析器のための固定ＭｇＦ_２ロション偏光子、及び裏面入射型シリコンＣＣＤアレイ検出器から構成された。

 

An overhead optical camera was used to image the film in situ and assess if the film was changing (crystallization or dewetting) during the thermal cycling measurement.
オーバーヘッド光学カメラを使用して、ｉｎ  ｓｉｔｕで膜を撮像して、膜が熱サイクル測定中、変化（結晶化またはデウェッティング）していたかどうかを評価した。

 

A look down detector was also used to align the sample wafer and assure data quality.
試料ウェハを整列させ、データの品質を保証するために、ルックダウン検出器も使用した。

 

WO2018018039
[00126] At least two types of photodetector devices, described below, can detect individual photons and generate a signal which can be analyzed by an image processor.
【０１４２】
  以下に記載の少なくとも２種類の光検出装置は、個々の光子を検出し、画像処理装置で分析可能なシグナルを発生することができる。

 

Reduced-Noise Photodetection devices achieve sensitivity by reducing the background noise in the photon detector, as opposed to amplifying the photon signal.
低ノイズ光検出装置は、光子シグナルを増幅させるのではなく、光子検出器のバックグラウンドノイズを低減することにより感度を
達成している。

 

Noise is reduced primarily by cooling the detector array.
主に検出器アレイの冷却によりノイズを低減する。

 

The devices include charge coupled device (CCD) cameras referred to as "backthinned'^", cooled CCD cameras.
デバイスには、「裏面入射型」冷却ＣＣＤカメラと呼ばれる電荷結合素子（ＣＣＤ）カメラが含まれる。

 

In the more sensitive instruments, the cooling is achieved using, for example, liquid nitrogen, which brings the temperature of the CCD array to approximately -120°C.
より感度の高い機器では、例えば、ＣＣＤアレイの温度を約－１２０℃にする液体窒素を使用して冷却を達成する。

 

"Backthinned" refers to an ultra- thin backplate that reduces the path length that a photon follows to be detected, thereby increasing the quantum efficiency.
「裏面入射型」とは、光子がたどる検出対象となる光路長を短縮することにより量子有効性を高める超薄型背面プレートを指す。

 

A particularly sensitive backthinned cryogenic CCD camera is the 'TECH 512", a series 200 camera available from Photometries, Ltd. (Tucson, Ariz.).

特に感度の高い裏面入射型極低温ＣＣＤカメラは、Ｐｈｏｔｏｍｅｔｒｉｅｓ，Ｌｔｄ．（Ｔｕｃｓｏｎ，Ａｒｉｚ．）製「ＴＥＣＨ５１２」、２００シリーズのカメラである。

 

WO2018146473

X-ray imaging of live mice
【０１０７】
  生マウスのＸ線イメージング

Control and treated mice were anesthetised using isoflurane
イソフルランを用いて対照および処置マウスを麻酔し、

 

and radiographed (45keV) using the Bruker InVivo Xtreme system fitted with a high sensitivity, back-thinned back-illuminated 4MP, 16-bit, digital CCD camera.
高感度の裏面入射型裏面照射型４ＭＰ、１６ビット、デジタルＣＣＤカメラで適合させたブルカー（Ｂｒｕｋｅｒ）ＩｎＶｉｖｏ  Ｘｔｒｅｍｅシステムを用いて、放射線透過写真を撮影した（４５ｋｅＶ）。

 

X-ray images were analysed using ImageJ software for individual bones widths.
個々の骨の幅に対して、ＩｍａｇｅＪソフトウェアを用いてＸ線画像を分析した。

 

US10338040
[0040] In one embodiment, an aberration corrected flat field diffraction grating is employed to simultaneously focus and diffract the collected light; thereby reducing the number of optical elements required, and improving optical efficiency.
【００２１】
  一実施形態において、回収された光を同時に集光し回折するために、収差補正型フラットフィールド回折グレーティングが採用され、これにより必要な光学素子の数を低減し、光学効率を改善している。

 

Similarly, the use a wide dynamic range, highly sensitive, back-thinned CCD image sensor may prove particularly advantageous.
同様に、広いダイナミックレンジ、高感度の裏面入射型ＣＣＤイメージセンサの使用は、特に有利であることが判る。

 

Typically, the detector electronics 160 are housed outside the detector module chamber and are connected via an electrical feed through in an effort to minimize contamination sources inside the instrument.

典型的には、検出器電子機器１６０は、検出器モジュールチャンバの外側に収納され、機器内側の汚染源を最小化するために、電気フィードスルーを介して接続される。

 

WO2016028843
Imaging is accomplished using a 633, 640 or 647nm laser line and a filter block appropriate for Cy3 on a Nikon Ti-E inverted microscope in Total Internal Reflection (TIRF) mode
【０１３７】
  イメージングは、全反射照明（Ｔｏｔａｌ  Ｉｎｔｅｒｎａｌ  Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ：ＴＩＲＦ）モードのニコン社のＴｉ－Ｅ倒立顕微鏡上で、６３３ｎｍ、６４０ｎｍ、または６４７ｎｍのレーザー線およびＣｙ３に適したフィルターブロックを用いて達成され、

 

and captured on back thinned Andor Ixon X3 EMCCD camera.

裏面入射型Ａｎｄｏｒ  Ｉｘｏｎ  Ｘ３  ＥＭＣＣＤカメラを用いて取り込まれる。

 

EP3588564(JP, SHIMADZU)
[0005] In a back surface incidence type solid-state imaging device disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2016-58507 , a light shielding film provided on a surface film on the surface side of a semiconductor substrate is uneven.
【０００５】
  また、特開２０１６－５８５０７号公報の裏面入射型の固体撮像装置では、半導体基板の表面側の表面膜に設けられる遮光膜を凹凸形状に形成している。

 

Thus, the phase of light reflected by the light shielding film changes due to the uneven shape, and thus the phase of the light reflected by the light shielding film and the phase of light incident on a light receiving surface (back surface) from a different portion of the semiconductor substrate can be different from each other.
これにより、遮光膜によって反射される光の位相が、凹凸形状により変化するので、遮光膜により反射される光の位相と、半導体基板の異なる箇所から受光面（裏面）に入射する光の位相とを異ならせることができる。

 

Consequently, interference (multiple reflection interference in the semiconductor substrate) between the light incident on the light receiving surface of a photoelectric converter and the light reflected on the light shielding film side is significantly reduced or prevented.
その結果、受光部の受光面に入射する光と、遮光膜側で反射された光とが干渉（半導体基板における多重反射干渉）するのが抑制される。

 

Thus, a variation in the intensity of a signal detected by the photoelectric converter due to the light interference is significantly reduced or prevented.

これにより、光の干渉に起因して、受光部により検出される信号の強度が変動するのが抑制される。

 

US2019331807(JP, HAMAMATSU PHOTONICS)
[0091] In the embodiments, the image sensors 130 , 230 , and 330 are back-surface incidence type image sensors.
【００８２】
  上記の実施形態では、イメージセンサ１３０、２３０、３３０は裏面入射型のイメージセンサであったが、

 

However, a front-surface incidence type image sensor may be used.

表面入射型のイメージセンサとしてもよい。

 

US10553742(JP, Mitsubishi)
[0002] The structures of semiconductor light-receiving devices are roughly classified into: a front-surface-incident type that receives light incident from a front surface of an epitaxial growth layer on a semiconductor substrate;
【０００２】
  半導体受光素子の構造は、半導体基板上のエピタキシャル成長層の表面側から光を入射する表面入射型、

 

an end-face-incident type that receives light incident from a side face of the epitaxial growth layer;
エピタキシャル成長層の側面から光を入射する端面入射型、

 

and a back-surface-incident type that receives light incident from a back surface of a semiconductor substrate.

半導体基板の裏面側から光を入射する裏面入射型に大別される。

 

US10937919(JP, Sony)
3. Second Embodiment

[0000] [Configuration]
【００５７】
＜３．第２の実施の形態＞
[構成]

[0094] Next, a configuration of a light receiving element 2 according to a second embodiment of the disclosure is described. FIG. 16 illustrates an example of a cross-sectional configuration of the light receiving element 2 according to the present embodiment.
次に、本開示の第２の実施の形態に係る受光素子２の構成について説明する。図１６は、本実施の形態に係る受光素子２の断面構成例を表したものである。

The light receiving element 2 is preferably applicable to an optical communication device that performs signal transmission (optical transmission) between semiconductor chips such as LSIs.
受光素子２は、ＬＳＩ等の半導体チップ間の信号伝送（光伝送）を行う光通信装置に好適に適用可能なものである。

The light receiving element 2 is a light receiving element of a rear surface incident type, and includes, for example, a semiconductor layer 50 .
受光素子２は、裏面入射型の受光素子であり、例えば、半導体層５０を備えている。

The semiconductor layer 50 has a device structure in which, for example, a second conductive layer 51 , an optical absorption layer 52 , and a first conductive layer 53 are laminated in this order, starting from a side of a light incident surface 50 A.
半導体層５０は、例えば、第２導電型層５１、光吸収層５２および第１導電型層５３が光入射面５０Ａ側からこの順に積層された素子構造を有している。

 

裏面入射型：

裏面入射型FFT-CCD、Back-thinned FFT-CCD S7030-0906, Hamamatsu Photonics K.K.

「薄く研磨された裏面から入射する裏面入射型(back thinned CCD)」、Optipedia

IISW2009 ショート速報[イメージセンサ関連]、"backside illumination"、財団法人 光産業技術振興協会 国際会議速報　太田 淳（奈良先端大）

US8624301
A BT (back-illuminated thinning)-CCD is known as a back-illuminated solid-state image pickup device with which a light incident surface side of a substrate is thinned. According to Non-Patent Literature 1, interference (etaloning) occurs between light to be detected made incident on the BT-CCD and light resulting from the incident light to be detected reflecting from a detection side surface of the BT-CCD, thereby affecting detection characteristics in a near-infrared range. In the literature, to suppress the etaloning, a photosensitive region is increased in thickness and further, an anti-reflection film is provided on the photosensitive region.

「ＢＴ（Ｂａｃｋ－ｉｌｌｕｍｉｎａｔｅｄ　Ｔｈｉｎｎｉｎｇ）－ＣＣＤは、基板の光入射面側を薄膜化した裏面入射型固体撮像素子として知られている。非特許文献１によれば、ＢＴ－ＣＣＤに入射する被検出光と、入射した被検出光がＢＴ－ＣＣＤの検出側の面で反射した光との間で干渉（エタロン現象）が発生し、近赤外域の検出特性に影響する。このエタロン現象を抑制するため、同文献では、光感応領域の厚さを大きくし、更に、反射防止膜を光感応領域に設けることとしている。

CITATION LISTNon Patent Literature

Non-Patent Literature 1: “Etaloning in Back-Illuminated CCDs,” Roper Scientific Technical Note, issued by Roper Scientific, 2000, No. 7.
「Etaloning in Back-Illuminated CCDs」, ＲＯＰＥＲ　ＳＣＩＥＮＴＩＦＩＣ　ＴＥＣＨＩＮＩＣＡＬ　ＮＯＴＥ、ＲＯＰＥＲ　ＳＣＩＥＮＴＩＦＩＣ発行、２０００年、Ｎｏ．７

SUMMARY OF INVENTION
Technical Problem

However, the conventional solution method for BT-CCD sacrifices an intrinsic merit of BT-CCD, which is an improvement of detection sensitivity by thinning, and has not led to essential improvement of image quality.
しかしながら、従来のＢＴ－ＣＣＤの解決手法は、薄膜化による検出感度の向上というＢＴ－ＣＣＤ本来の利点を犠牲にしており、画像品質の本質的な向上には至っていない。」

 

裏面照射型：

裏面照射型CMOSセンサー、Back Side Illumination (BSI) CMOS、第478回：裏面照射型CMOSセンサー とは、ケータイ用語の基礎知識、

裏面照射型【りめんしょうしゃがた】、【今さら聞けないカメラ・写真用語】「裏面照射型」って何？

CCDやCMOSを超える裏面照射型CMOSセンサって？　「金属の配線部とフォトダイオードの位置を逆転させることで、光を効率よく取り込む」、MONOist

裏面照射型撮像素子（りめんしょうしゃがたさつぞうそし、英語: Back-illuminated sensor）、Wikipedia

裏面照射型CMOSイメージセンサーのここ10年あまりの進歩、「BSI CMOS イメージセンサ」、徒然なるままに