配線層、配線パターン

WO2015050000
　図３に示す半導体装置１１は、例えばCMOS（Complementary Metal-Oxide Semiconductor）イメージセンサなどから構成される撮像装置からなり、互いに接合された上側基板２１と下側基板２２とを有している。なお、上側基板２１と下側基板２２の間にある点線は、上側基板２１と下側基板２２の接合面を表している。

　上側基板２１は、Si基板３１と、そのSi基板３１に積層された配線層３２とからなる。配線層３２は、複数の配線層から構成されている。また、Si基板３１の図中、上側には被写体からの光を集光するオンチップレンズ３３と、オンチップレンズ３３により集光された光のうちの所定の色の光を透過させるカラーフィルタ３４が設けられている。さらに、配線層３２には、Ａｌにより形成された、ワイヤーボンディング用のパッド３５も設けられている。

　下側基板２２は、Si基板４１と、そのSi基板４１に積層された配線層４２とからなり、配線層４２のSi基板４１と接する部分の一部には絶縁膜４３が設けられている。また、配線層４２は複数の配線層から構成されている。

　さらに、この例では、配線層３２と配線層４２におけるワイヤーボンディング用のパッド３５から絶縁膜４３までの間には、Ｃｕで形成された、パッド３５を保護するためのパッドが各層に設けられており、それらのパッドとSi基板４１とが絶縁膜４３により絶縁されている。具体的には、半導体装置１１には、直上にあるＣｕのパッドまたはＡｌのパッド３５を保護する複数のパッド（配線）からなるパッド群４４が、パッド３５から絶縁膜４３の間に設けられている。

 

　固体撮像素子９０１では、図示せぬ半導体基板（チップ）上に画素アレイ部９１１が形成され、さらに半導体基板上に垂直駆動部９１２乃至システム制御部９１５が集積されている。例えば、画素アレイ部９１１が形成される半導体基板が、上述した上側基板２１と下側基板２２を有する半導体装置などとされる。

　画素アレイ部９１１は、被写体から入射した光の量に応じた電荷を生成して蓄積する光電変換部としてのフォトダイオードを有する画素からなり、画素アレイ部９１１を構成する画素は、図中、横方向（行方向）および縦方向（列方向）に２次元配置されている。