EUVを使わずに微細化の極限を目指す半導体製造技術、福田昭のセミコン業界最前線
「ボトム側の2層(M0とM1)はコバルトを主材料とする配線になり」
「Intelはボトム側の4層(M2~M5)についても銅配線にコバルトのクラッド層を追加することで、エレクトロマイグレーション寿命の確保を図っている」
EUVを使わずに微細化の極限を目指す半導体製造技術、福田昭のセミコン業界最前線
「ボトム側の2層(M0とM1)はコバルトを主材料とする配線になり」
「Intelはボトム側の4層(M2~M5)についても銅配線にコバルトのクラッド層を追加することで、エレクトロマイグレーション寿命の確保を図っている」
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