重合基板

EP1877863
The experimental examples of sacrificial layer preparation employed the following procedure:
犠牲層調製の実験的実施例は、以下の手順を使用した。

The PAA purchased as a 25 % (w/v) solution in water was neutralized with saturated solution of NaOH until reaching a pH of 7.5 with a pH indicator band test, and then diluted to the appropriate concentration.
水中の２５％（ｗ／ｖ）溶液として購入したＰＡＡは、ｐＨインジケータバンドテストを用いて７．５のｐＨに達するまで、ＮａＯＨの飽和溶液で中和され、次に、適切な濃度に稀釈された。

The dextran solution was prepared by mixing the appropriate amounts of dextran and water in a vial; complete dissolution of dextran was obtained by placing the vial in a bath of hot water (90-95 <0>C).
デキストラン溶液は、適切なデキストランと水をバイアルで混合して調製され、デキストランの完全溶解は、バイアルを温水浴（９０～９５℃）に設置して得た。

The silicon wafers were immersed in 5 % aqueous solution of HCl for 5 minutes, rinsed with deionized water and dried with a stream of nitrogen gas.
シリコンウェハを、５％のＨＣｌ水溶液に５分間浸漬し、脱イオン水で洗浄して、窒素ガス流で乾燥させた。

The surface of the polymeric substrates, such as the PET substrate, was rendered hydrophilic by a brief exposure in oxygen plasma (30 s, 18 W).
ＰＥＴ基板などの重合基板の表面は、酸素プラズマに短時間曝露して（３０ｓ，１８Ｗ）親水性にした。

Both of these treatments improved the wettability of the aqueous solutions of PAA and dextran on the substrates.
これらの処理は、両方、ＰＡＡ水溶液および基板上のデキストランの湿潤性を向上した。

US2019273063(JP)
[0030] In the bonding system 1, two sheets of wafers WU and WL as substrates are bonded, for example, as shown in FIG. 3.
接合システム１では、図３に示すように例えば２枚の基板としてのウェハＷ_Ｕ、Ｗ_Ｌを接合する。

Hereinafter, a wafer placed at an upper side is referred to as “upper wafer WU” as a first substrate, and a wafer placed at a lower side is referred to as “lower wafer WL” as a second substrate.
以下、上側に配置されるウェハを、第１の基板としての「上ウェハＷ_Ｕ」といい、下側に配置されるウェハを、第２の基板としての「下ウェハＷ_Ｌ」という。

Further, in surfaces of the upper wafer WU, a bonding surface to be bonded is referred to as “front surface WU1,” and a surface opposite to the front surface WU1 is referred to as “rear surface WU2.”
また、上ウェハＷ_Ｕが接合される接合面を「表面Ｗ_Ｕ１」といい、当該表面Ｗ_Ｕ１と反対側の面を「裏面Ｗ_Ｕ２」という。

Likewise, in surfaces of the lower wafer WL, a bonding surface to be bonded is referred to as “front surface WL1,” and a surface opposite to the front surface WL1 is referred to as “rear surface WL2.”
同様に、下ウェハＷ_Ｌが接合される接合面を「表面Ｗ_Ｌ１」といい、当該表面Ｗ_Ｌ１と反対側の面を「裏面Ｗ_Ｌ２」という。

In the bonding system 1, a combined wafer WT as a combined substrate is formed by bonding the upper wafer WU and the lower wafer WL.
そして、接合システム１では、上ウェハＷ_Ｕと下ウェハＷ_Ｌを接合して、重合基板としての重合ウェハＷ_Ｔを形成する。

WO2013004301
[0006] In one aspect, a method of processing a flexible substrate is provided.
一態様では、フレキシブル基板を処理する方法が提供される。

The method includes providing a flexible substrate having a polymerized surface; emitting an electron beam; exposing the polymerized surface to the electron beam;
この方法は、重合面を有するフレキシブル基板を用意すること、電子ビームを放出すること、重合面を電子ビームに曝すこと、

modifying the polymerized surface by the exposure to the electron beam; and depositing a barrier layer on the modified surface.
電子ビームに曝すことによって重合面を改変すること、および改変面にバリア層を堆積することを含む。

[0014] It is assumed that the perceived effect is a combination of various partial effects of the electron treatment:
認められる効果は、電子処理の様々な部分的効果の組合せであることが想定される。

By directing the electron beam on the polymer substrate, the surface roughness of the substrate is decreased.
電子ビームを重合基板上に向けることによって、基板の表面粗さが低減される。

Further, the electron structure of the film surface is altered by the impacting electrons, e.g. excited,
さらに、衝突電子によってフィルム表面の電子構造が変えられ、例えば励起され、

such that the adhesion between the plastic film surface and the subsequently applied coating is changed with the result of improved barrier properties against water vapor and oxygen.
その結果、プラスチックフィルム表面と後で施されるコーティングとの間の接着性が変化し、水蒸気および酸素に対するバリア特性が改善されることになる。

Furthermore, bonds in the surface of the polymer film are broken up, such that the nature of the bonding between a subsequent coating and the film is altered, respectively improved.
 さらに、ポリマーフィルムの表面の結合が破壊され、その結果、後のコーティングとフィルムの間の結合の性質が変わり、それぞれ改善されることになる。