US2018224500
"[0001] During semiconductor processing of substrates, it is necessary to transport substrates into and out of semiconductor processing chambers, which is typically done with a wafer handling robot of some type. As used herein, the terms “wafer” and “substrate” are used interchangeably and may be used to refer to semiconductor or glass substrates. A typical wafer handling robot may have a multi-joint arm that is configured to independently extend, retract, rotate and, in many cases, raise and lower so as to transport substrates between one or more semiconductor processing chambers, or a loadlock of a transfer chamber leading to one or more semiconductor processing chambers, and one or more load ports or load stations. Such a wafer handling robot may include a thin, blade- or spatula-like end effector that may be positioned beneath a substrate and that has a plurality of contact pads or other points configured to contact the underside or edge of the substrate when the end effector is raised up into contact with the substrate. The end effector is typically designed to only contact the substrate at these locations to reduce the amount of contact between the end effector and the substrate, thereby lessening the opportunities for particulate generation and damage to the substrate. "
「[0002] 基板の半導体処理の際、基板を搬送し半導体処理チャンバに対して出入りさせる必要があり、これは、通常、何らかのタイプのウエハハンドリング(操作)ロボットによってなされる。本書で使用される「ウエハ」及び「基板」という用語は、区別なく使用され、半導体基板又はガラス基板に言及するために使用されてよい。通常のウエハハンドリングロボットは、1つ以上の半導体処理チャンバの間で、又は当該1つ以上の半導体処理チャンバに通じる移送チャンバのロードロックと1つ以上のロードポート又はロードステーションとの間で基板を搬送するために、それぞれ独立に伸長する、後退する、回転する、及び多くの事例では昇降するように構成された多関節アームを有していてよい。このようなウエハハンドリングロボットは、薄い刃状又はスパチュラ状のエンドエフェクタを含んでいてよく、このようなエンドエフェクタは、基板の下に位置決めされてよく、エンドエフェクタが基板に接触するように上昇されるときに基板の裏側又は縁に接触するように構成された複数の接触パッド又は接触地点を有する。エンドエフェクタは、エンドエフェクタと基板との間の接触の量を減らしそれによって微粒子の生成及び基板の損傷の可能性を抑えるために、通常は、これらの場所でのみ基板に接触するように設計される。」
US2016133489
"within the processing system 100. The processing system 100 includes a process station 122, an isolation region 104, and a load lock station 108. The process station 122, the isolation region 104, and the load lock station 108 are connected to form a continuous vacuum tight platform 110.
[0027] A pump system 120 is coupled to the load lock station 108, the process station 122, and the isolation region 104. The pump system 120 controls the pressure within the processing system 100. The pump system 120 may be utilized to pump down and vent the load lock station 108 as needed to facilitate entry and removal of substrates from the vacuum tight platform 110. "
「[0011] 図1は、処理システム100内で、シーケンシャルに、基板上に膜を堆積させ、トリートメントするのに適切なシーケンシャルな処理システム100を模式的に示す。処理システム100は、処理ステーション122、分離領域104、及びロードロックステーション108を含む。処理ステーション122、分離領域104、及びロードロックステーション108は、接続されて、連続的な真空密閉プラットフォーム110を形成する。
[0012] ポンプシステム120が、ロードロックステーション108、処理ステーション122、及び分離領域104に連結される。ポンプシステム120は、処理システム100内の圧力を制御する。ポンプシステム120は、真空密閉プラットフォーム110への基板の搬入及び搬出を容易にする必要に応じて、ロードロックステーション108をポンプダウンし排気するために使用され得る。 」
US2016225646
"[0036] FIGS. 3A-3B illustrates an isometric view and top plan view, respectively, of an example embodiment of the transfer chamber 102 including an interface unit 302 coupled to the transfer chamber 102, in accordance with embodiments provided herein. The interface unit 302 is configured to allow the transfer chamber 102 to interface with up to three load locks (e.g., single or batch load locks, stacked load locks, or the like). All or a portion of the up to three load locks may be formed by the interface unit 302 in some embodiments. Furthermore, in some embodiments, a degas or other processing chamber (not shown) may be positioned above (or within) the interface unit 302, such as above (or within) load lock chambers 304a and/or 304b. Rear openings 305a-305c allow transfer of substrates between factory interface 106 and interface unit 302. Interface unit 302 may be coupled to the first set of sides 104a-104c and to the factory interface 106 by any suitable means such as fasteners (e.g., bolts, screws, or the like). "
「[0026] 図3A〜3Bはそれぞれ、本明細書の実施形態による、移送チャンバ102に連結されたインターフェースユニット302を含む、移送チャンバ102の例示的実施形態の等角図及び上面図である。インターフェースユニット302は、移送チャンバ102が3以下のロードロック(例えばシングルまたは、バッチ、積層ロードロック、その他)とのインターフェースとなることを可能にするように構成される。3以下のロードロックの一部または全部は、幾つかの実施形態においては、インターフェースユニット302によって形成され得る。さらに、幾つかの実施形態においては、ガス抜きまたは他の処理チャンバ(図示せず)は、例えばロードロックチャンバ304a及び/または304bの上方(または内部)のように、インターフェースユニット302の上方(または内部)に配置され得る。後部開口部305a〜305cによって、ファクトリインターフェース106とインターフェースユニット302との間の基板の移送が可能になる。インターフェースユニット302は、ファスナ(例えばボルト、スクリューなど)といった任意の好適な手段によって、第1組の側面104a〜104c及びファクトリインターフェース106に連結され得る。 」
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