その5です。
試作機はとりあえず完成です。
メモリSW基板と、スピード調整用のVRを付けました。
![](https://blogimg.goo.ne.jp/user_image/66/cc/f2700aa82248fb6f0e0f99c0b34da8e1.jpg)
回路図です。
スピード調整用のVRですが、一つしかないAD変換ポートはメモリSWに使用したので、通常のI/Oポート(io14)を使用して、VRの値を読み取ります。
出力ポートに設定してHIGHを出力すると102のCが充電されます。
ここで入力ポートに切り替えると、100kΩのVRを経由して放電されます。
VRの設定により放電時間が変化するので、放電時間を測定することにより、VRの変化を読み取ることができます。
メモリSWの抵抗は前エントリーの通りで、最大1023のAD変換値ベースで、007,184,361,540,718,891とほぼ等間隔になりましたので、初期値を95、ステップを178としてループしながら押されたSWを判定しています。
![](https://blogimg.goo.ne.jp/user_image/7c/18/64ef01b2c09072bd8f700e8057ca31cf.jpg)
Webサーバーの画面はM6までサポートしました。
試作機はとりあえず完成です。
メモリSW基板と、スピード調整用のVRを付けました。
![](https://blogimg.goo.ne.jp/user_image/66/cc/f2700aa82248fb6f0e0f99c0b34da8e1.jpg)
回路図です。
スピード調整用のVRですが、一つしかないAD変換ポートはメモリSWに使用したので、通常のI/Oポート(io14)を使用して、VRの値を読み取ります。
出力ポートに設定してHIGHを出力すると102のCが充電されます。
ここで入力ポートに切り替えると、100kΩのVRを経由して放電されます。
VRの設定により放電時間が変化するので、放電時間を測定することにより、VRの変化を読み取ることができます。
メモリSWの抵抗は前エントリーの通りで、最大1023のAD変換値ベースで、007,184,361,540,718,891とほぼ等間隔になりましたので、初期値を95、ステップを178としてループしながら押されたSWを判定しています。
![](https://blogimg.goo.ne.jp/user_image/7c/18/64ef01b2c09072bd8f700e8057ca31cf.jpg)
Webサーバーの画面はM6までサポートしました。
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