残留分極

US2023167291(SOLVAY SPECIALTY POLYMERS IT [IT])
(vii) Ferroelectric Hysteresis Measurements (Pr , Pmax )
【００８０】
（ｖｉ）強誘電性ヒステリシスの測定（Ｐ_ｒ、Ｐ_ｍａｘ）

The hysteresis determination was performed by submitting the annealed film to poling in a field from 80 V/microns to 250 V/microns, obtaining an hysteresis curve were the maximum polarization, and residual polarization were measured.
ヒステリシス測定は、アニーリング済みのフィルムに、８０Ｖ／ミクロン～２５０Ｖ／ミクロンの電場でポーリング処理を施し、ヒステリシス曲線を得て、その曲線で最大分極及び残留分極を判断することにより、実施した。

The Pmax is the maximum polarization achievable with the maximum field applied, the Pr is the residual polarization (also referred to as remnant polarization) in the samples after the removal of the applied field.
Ｐ_ｍａｘは、印加される最大電場で実現できる最大分極であり、Ｐ_ｒは、印加電場を除去した後の試料中の残留分極（レムナント分極とも呼ばれる）である。

US11120859(MICRON TECHNOLOGY INC [US])
[0037] Hysteresis curves 300 may be understood from the perspective of a single terminal of a capacitor.
【００３１】
  ヒステリシス曲線３００は、コンデンサの単一の端子の視点から理解され得る。

By way of example, if the ferroelectric material has a negative polarization, positive charge will accumulate at the terminal.
一例として、強誘電体材料が負の極性を有する場合、端子には正の電荷が蓄積し得る。

Likewise, if the ferroelectric material has a positive polarization, negative charge will accumulate at the terminal.
同様に、強誘電体材料が正の極性を有する場合、端子には負の電荷が蓄積し得る。

Additionally, it should be understood that the voltages in hysteresis curves 300 represent a voltage difference across the capacitor and are directional.
また、ヒステリシス曲線３００の電圧は、コンデンサにかかる電圧差を表し、指向性があることを理解すべきである。

For example, a positive voltage may be applied by applying a positive voltage to the terminal in question and maintaining the second terminal at ground.
例えば、正の電圧は、当該の端子に正の電圧が印加され、第２の端子を接地に維持することによって印加される。

A negative voltage may be applied by maintaining the terminal in question at ground and applying a positive voltage to the second terminal, i.e., positive voltages may be applied to negatively polarize the terminal in question.
負の電圧は、当該の端子を接地に維持し、第２の端子に正の電圧を印加することによって印加され、すなわち、正の電圧は、当該の端子をマイナスに分極されるように印加される。

Similarly, two positive voltages, two negative voltages, or any combination of positive and negative voltages may be applied to the appropriate capacitor terminals to generate the voltage difference shown in hysteresis curves 300 .
同様に、ヒステリシス曲線３００に示される電圧差を生成するために、２つの正の電圧、２つの負の電圧、又は正及び負の電圧の任意の組み合わせが適切なコンデンサ端子に印加され得る。

[0038] As depicted in hysteresis curve 300 -a , the ferroelectric material may maintain a positive or negative polarization with a zero voltage difference, resulting in two possible charged states: charge state 305 and charge state 310 .
【００３２】
  ヒステリシス曲線３００－ａに示されるように、強誘電体材料は、ゼロの電圧差で正又は負の極性を維持し得、２つの可能な電荷状態：電荷状態３０５及び電荷状態３１０をもたらす。

According to the example of FIG. 3, charge state 305 represents a logic 0 and charge state 310 represents a logic 1.
図３の一例に従うと、電荷状態３０５は論理０を表し、電荷状態３１０は論理１を表す。

In some examples, the logic values of the respective charge states may be reversed to accommodate other schemes for operating a memory cell.
幾つかの例では、個々の電荷状態の論理値は、メモリセルを動作するためのその他のスキームに適合するために逆にされてもよい。

US11469327(KEPLER COMPUTING INC [US])
[0006] In a second aspect, a semiconductor device comprises a capacitor stack comprising a polar layer comprising a base polar material doped with a dopant,
【０００６】
  第２の態様では、半導体デバイスは、ドーパントがドープされたベース極性材料を含む極性層を有するキャパシタ積層体を含み、

wherein the base polar material includes one or more metal elements and one or both of oxygen or nitrogen,
ベース極性材料は、１又は複数の金属元素と、酸素又は窒素の一方又は両方と、を含み、

and wherein the dopant comprises a metal element of one of 4d series, 5d series, 4f series or 5f series that is different from the one or more metal elements,
ドーパントは、１又は複数の金属元素とは異なる４ｄ系、５ｄ系、４ｆ系又は５ｆ系のうちの１つの金属元素を含み、

wherein the dopant is present at a concentration such that a remnant polarization of the polar layer is different than that of the base polar material without the dopant.
ドーパントは、極性層の残留分極が、ドーパントを含まないベース性極性材料の残留分極と異なるような濃度で存在する。

The capacitor stack further comprises first and second crystalline conductive oxide electrodes on opposing sides of the polar layer.
キャパシタ積層体は、極性層の両側に第１及び第２の結晶性導電性酸化物電極を更に含む。

The semiconductor device further comprises first and second barrier metal layers on respective ones of the first and second crystalline conductive oxide electrodes on opposing sides of the polar layer.
半導体デバイスは、極性層の両側にある第１及び第２の結晶性導電性酸化物電極のそれぞれの上に第１及び第２の障壁金属層を更に含む。

ヒステリシス特性

US9561299(PROCTER & GAMBLE [US])
However, this can be addressed by pre-activating film.
しかしながら、この問題は、フィルムをプレ活性化することにより対処できる。

Once the set in the material is induced via pre-straining, material sees less set in the consequent activation steps.
材料の永久ひずみが、事前のひずみ提供により誘導されると、その後の活性化工程での永久ひずみが少なくなる。

In addition, elastic polyolefin materials show better hysteresis properties after pre-activation, compared to one before pre-activation.
加えて、弾性ポリオレフィン材料は、プレ活性化後のヒステリシス特性が、プレ活性化前に比べて優れている。

In the embodiments of the pre-activated stretch laminates contemplated herein, the % set, as measured by the Hysteresis Method described above, are about 30% or more, and preferably about 35% or more.
本明細書で想到されるプレ活性化された伸張性積層体の実施形態において、上述のヒステリシス方法で測定される％永久ひずみは、約３０％以上、好ましくは約３５％以上である。

EP3825146(GOODYEAR TIRE & RUBBER [US])
[0003] A first object of the present invention may be to provide an advanced tire with rubber components strongly cured to each other.
【０００５】
  本発明は、互いに対して強く硬化されるゴム成分を有する先進的タイヤを提供することを第１の目的とすることができる。

[0004] Another object of the present invention may be to provide an advanced tire with desirable rolling resistance and/or hysteresis properties.
本発明は、望ましい転がり抵抗および／またはヒステリシス特性を有する先進的タイヤを提供することを別の目的とすることができる。

US11651922(BOURNS INC [US])
[0040] In still other embodiments, the switch 4 can be automatically resettable, as explained below in connection with FIGS. 5 A- 8 .
【００２７】
  さらに他の実施形態では、スイッチ４は、図５Ａ～図８に関連して以下で説明するように、自動的にリセット可能にしてもよい。

In some embodiments, as shown in FIGS. 5 A- 6 B, the switch 4 can comprise a thermal switching element in parallel with a positive temperature coefficient (PTC) resistor, or various combinations of PTCs, thermal cutoffs (TCOs), and/or thermal fuses disposed in parallel or in series.
いくつかの実施形態では、図５Ａ～図６Ｂに示すように、スイッチ４は、正温度係数（ＰＴＣ）抵抗器と並列の熱スイッチ素子、または並列もしくは直列に配置されたＰＴＣ、熱遮断（ＴＣＯ）、および／または温度フューズの様々な組み合わせを含むことができる。

In other embodiments, the switch 4 may not include a PTC resistor.
他の実施形態では、スイッチ４はＰＴＣ抵抗器を含まなくてもよい。

The switch 4 can have hysteresis properties (see, e.g., FIG. 8 ) that enable the switch 4 to move from the normally closed condition to the open condition when the temperature exceeds a characteristic threshold, and to move back to the normally closed condition from the open condition once the temperature falls below a reset threshold. 
スイッチ４は、温度が特性閾値を超えるとスイッチ４が通常閉状態から開状態に移行し、温度がリセット閾値を下回ると開状態から通常閉状態に戻ることができるヒステリシス特性（例えば、図８を参照）を有することができる。

透明導電膜

US2021050538(UBIQUITOUS ENERGY INC [US])
At block 1815 , a transparent electrode is formed.
【０１４２】
  [0161]ブロック１８１５では、透明電極が形成される。

As described above, the transparent electrode may include
前述のように、透明電極は、

an indium tin oxide thin film or other transparent conducting film, such as
インジウムスズ酸化物薄膜又は他の透明導電膜、例えば

thin metal films (e.g., Ag, Cu, etc.), multilayer stacks comprising thin metal films (e.g., Ag, Cu, etc.) and dielectric materials, or conductive organic materials (e.g., conducting polymers, etc.). It will be appreciated that transparent electrodes include visibly transparent electrodes. 
金属薄膜（例えば、Ａｇ、Ｃｕなど）、金属薄膜（例えば、Ａｇ、Ｃｕなど）及び誘電体材料を含む多層積層体、又は導電性有機材料（例えば、導電性ポリマーなど）を含んでもよい。

US2022177720(CAMBRIOS FILM SOLUTIONS CORP [VG])
[0003] Conventional conductive films that exhibit high visible light transmittance and exhibit electrical conductivity are commonly used as transparent electrodes.
【０００３】
  透明電極としては、可視光透過率が高く、導電性を有する従来の導電膜が一般的に用いられている。

Recently transparent conductive films made from percolated silver nanostructures have attracted great interest due to their high transparency, high electrical conductivity, and superior stretchability.
最近、浸透された銀ナノ構造体から作られた透明導電膜は、その高い透明性、高い導電性、及び優れた延伸性により大きな関心を集めている。

Such electrodes can be used in the construction of liquid crystal displays, touch panels, electroluminescent devices, thin film solar cells, and other devices.
このような電極は、液晶ディスプレイ、タッチパネル、エレクトロルミネセント素子、薄膜太陽電池、及び他のデバイスの構成に使用することができる。

信号が入力されると

US11368384(FISHER ROSEMOUNT SYSTEMS INC [US])
[0055] In another example, the analysis block 410 may determine the location of fault, such as an open circuit fault, based on the detected magnitude of the echo pulse 502 , as compared to the magnitude of the transmitted pulse 500 .
【００４５】
  別の例では、分析ブロック４１０は、開放障害のような障害の箇所を、送信パルス５００の振幅と比較されるエコーパルス５０２の検出振幅に基づいて突き止めることができる。

In this case, the measurement circuit 402 , when detecting an echo pulse 502 , may also detect the amplitude of that signal (e.g., voltage signal).
この場合、測定回路４０２は、エコーパルス５０２を検出すると、当該信号（例えば、電圧信号）の振幅を検出することもできる。

The amplifiers 404 and the signal processing block 408 may magnify the measured signal, reduce noise, filter out ripple, etc.,
アンプ４０４及び信号処理ブロック４０８は、測定信号を拡大する、ノイズを低減させる、リップルなどをフィルタリングすることができ、

and the analog-to-digital convertors 406 may convert the analog signals into digital format to produce a digitized signal
アナログ－デジタル変換器４０６は、アナログ信号をデジタル形式に変換してデジタル化信号を生成することができ、

that can be analyzed on the analysis block 410 (executed on the processor 190 , for example) immediately as the signal comes in, thereby performing on-line processing.
このデジタル化信号は、分析ブロック４１０（例えば、プロセッサ１９０上で実行される）で、信号が入力されると直ちに分析することができるので、オンライン処理を実行することができる。

In this case, the amplitude of the pulse signal may be characterized in some format from digital values and, preferably, the amplitude of the received pulse signal is converted into a mV (peak-to-peak) format.
この場合、パルス信号の振幅は、所定の形式でデジタル値に基づいて特徴付けることができ、好適には受信パルス信号の振幅は、ｍＶ（頂点間振幅）形式に変換される。

US2023006626(GOOGLE LLC [US])
[0096] In the example of FIG. 3 , the Josephson parametric coupler 300 is designed such that f1 =5 GHz, f2 =7 GHz, Δf=400 MHz.
【０１０３】
  図3の例では、ジョセフソンパラメトリックカプラ300は、f₁=5GHz、f₂=7GHz、Δf=400MHzとなるように設計されている。

The first section 320 is designed to have a passband with a center frequency of 5 GHz and the second section 340 is designed to have a center frequency 7 GHz.
第1のセクション320は、5GHzの中心周波数を有する通過帯域を有するように設計され、第2のセクション340は、7GHzの中心周波数を有するように設計される。

Therefore, when a signal with a first frequency f1 =5 GHz is input into the first port 310 , this signal is converted into a signal with a second frequency f2 =7 GHz and outputted at the second port 350 .
したがって、第1のポート310に第1の周波数f₁=5GHzの信号が入力されると、この信号は第2の周波数f₂=7GHzの信号に変換され、第2のポート350に出力される。

開閉操作

US8291945(SIDEL PARTICIPATIONS [FR])
[0033] Means for dosing the product, which are themselves known, are associated to each filling spout to supply a determined quantity of product into each bottle positioned underneath the filling spout.
【００２８】
  製品を注入するための手段は、それらは周知であるが、各注入口と連結しており、それによって前記注入口の下部に位置する各容器に対して既定量の製品が供給される。

These dosing means, which for example may be by weight, comprise a valve (not shown),
これら注入手段は、例えば重量を目安に製品を供給するものであり、図示しないバルブを備える。

fitted in the filling spout and which are opened and closed by an actuator 33 ( FIG. 1) which is positioned in the upper section of the tank 
そのバルブは、前記注入口に取り付けられており、前記タンク上部に配設されたアクチュエータ３３（図１）によって開閉操作される。

 

半画角

US2021181462(CANON KK [JP])
 In the astigmatism diagram, dS indicates an astigmatism amount on the sagittal image plane, and dM indicates an astigmatism amount on the meridional image plane.
非点収差図において、ｄＳはサジタル像面における非点収差量を、ｄＭはメリディオナル像面における非点収差量を示している。

The distortion diagram illustrates a distortion amount for the d-line.
歪曲収差図は、ｄ線に対する歪曲収差量を示している。

The chromatic aberration diagram illustrates a chromatic aberration amount for the g-line. ω is a half angle of view (°).
色収差図は、ｇ線における色収差量を示している。ωは半画角（°）である。