格子欠陥

US11276754
[0039] According to an embodiment, the semiconductor device may comprise lattice defects in the second source sub-region,
【００３３】
  一実施形態によれば、半導体デバイスは第２のソース部分領域内の格子欠陥を含み得、

wherein the lattice defects reduce the mobility of free charge carriers
格子欠陥は自由電荷キャリアの移動度を低減し、

and furthermore can decrease the effective doping concentration in the second source sub-region by a partial compensation of the donors in the second source sub-region. 
さらに、第２のソース部分領域中のドナーの部分的相殺によって第２のソース部分領域内の実効ドーピング濃度を減少させることができる。

US10418781
[0004] Laser facet degradation is a complex physical and chemical reaction process that can be driven by light, current（＊無冠詞）, and heat,
【０００４】
  レーザファセットの劣化は、光、電流、および熱によって駆動される可能性がある複雑な物理的および化学的反応プロセスであり、

and can lead to short-term power degradation during burn-in, long-term power degradation during normal operation（＊無冠詞）, and, in severe cases, to catastrophic optical damage (COD) to the mirror surfaces themselves, resulting in complete failure of the devices.
バーンイン中の短期的な電力劣化、通常の動作中の長期的な電力劣化、そして深刻な場合によっては、ミラーファセット自体に壊滅的な光学損傷（ＣＯＤ）を生じさせ、装置の完全な故障を招く。

Complex oxides and point defects can form and be trapped at the interface between the reflective coating and the semiconductor material.
反射性コーティングと半導体材料との間の界面に複合酸化物および点欠陥が形成されて捕捉される可能性がある。

As current（＊無冠詞）is applied to the device, charge carriers diffuse toward the facet since the surface acts as a carrier sink (due to the presence of states within the band gap created by point defects and oxidation of the surface).
電流がデバイスに印加されると、（点欠陥および表面酸化によって生じるバンドギャップ内の状態の存在により）表面がキャリアシンクとして作用するので、電荷キャリアは端面に向かって拡散する。

Light emission from the diode can photo-excite charge carriers (electrons and holes) at the facet surface,
ダイオードからの発光は、ファセット面で電荷キャリア（電子および正孔）を光励起することができ、

which can electro-chemically drive an oxidation reaction at the facet.
それはファセット面で酸化反応を電気化学的に推進することができる。

Additionally, electrons and holes generated by the absorbed light can recombine in a non-radiative manner,
さらに、吸収された光によって生成された電子と正孔は非放射的に再結合し、過度の熱発生を引き起こし、

causing excessive heat development and contributing to the formation of lattice defects (both point defects and dislocations). 
格子欠陥（点欠陥と転位の双方）の形成に寄与する可能性がある。