裏面側、表面側

いつも悩む「面側」。

裏面側：back surface sideかback sideか？

「面」が含まれるからsurafceを入れたくなるが、本当に必要なのか？

正面図：front view、平面図：plan view（しかしこれらの場合の「面」は「面した」、「で見た」で、それぞれ「正面から見た」、「平面で見た」だろう）

 

back sideを直訳すると「裏側」だが、特に半導体関連では通常「裏面側」と訳されている。

ネイティブによるback surface sideはほとんど無さそう。

Google/Intel/Apple

back side: 1104/2181/1416

back surface side: 8（元JP）/0/18（元JP）

とは言え、「表面」、「裏面」それぞれ要素、部分として独立してfront surface, back surfaceのように言及されることもあるので、とりあえずはback surface sideが無難か。

但し、「裏面照射型センサー」などの用語の場合はback-illuminatedや、backside illuminationが定訳らしい。

Back-illuminated sensor, Wikipedia

A back-illuminated sensor, also known as backside illumination (BSI or BI) sensor, is a type of digital image sensor that uses a novel arrangement of the imaging elements to increase the amount of light captured and thereby improve low-light performance.

A traditional, front-illuminated digital camera is constructed in a fashion similar to the human eye, with a lens at the front and photodetectors at the back. This traditional orientation of the sensor places the active matrix of the digital camera image sensor—a matrix of individual picture elements—on its front surface（＊表面、おもて）and simplifies manufacturing. The matrix and its wiring, however, reflect some of the light, and thus the photocathode layer can only receive the remainder of the incoming light; the reflection reduces the signal that is available to be captured.^[1]

A back-illuminated sensor contains the same elements, but arranges the wiring behind the photocathode layer by flipping the silicon wafer during manufacturing and then thinning its reverse side so that light can strike the photocathode layer without passing through the wiring layer.^[7] 

表面照射型：基板が土台、その表面側に配線、フィルター、レンズ；配線層を介して入射；受光素子PDが配線の裏

裏面照射型：今までの基板の裏面が照射面側；これまでの「裏面」上に配線、フィルター、レンズ；配線層を介さないで入射；基板や配線がPDの裏

https://en.wikipedia.org/wiki/Back-illuminated_sensor#/media/File:Comparison_backside_illumination.svg

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携帯用語の基礎知識、第478回：裏面照射型CMOSセンサー とは

JP2015228510

[0008] 図１に示すように、画素１１は、半導体基板１２、酸化膜１３、配線層１４、カラーフィルタ層１５、およびオンチップレンズ１６が積層されて構成されている。さらに、半導体基板１２には、ＰＤ１７および電荷保持部１８が形成されており、画素１１において、ＰＤ１７が形成されている領域がＰＤ領域１９とされ、電荷保持部１８が形成されている領域が電荷保持領域２０とされる。また、配線層１４には、ＰＤ１７に対応する領域が開口するような開口部が形成された遮光膜２１が配設されている。

[0009] このような構成の画素１１において、オンチップレンズ１６により集光され、カラーフィルタ層１５および配線層１４を透過した光は、酸化膜１３の開口部を通過してＰＤ１７に照射される。ところが、図１において白抜きの矢印で示されるように、斜め方向から光が入射した場合、その光が、ＰＤ１７を通過して、電荷保持領域２０に入射することがある。そして、電荷保持領域２０に入射した光が半導体基板１２の深部において光電変換されて発生した電荷が、電荷保持中の電荷保持部１８に漏れ込むと、光学的なノイズとなってしまう。

[0010] また、近年、例えば、特許文献２に開示されているように、裏面照射型のCMOSイメージセンサが開発されている。裏面照射型のCMOSイメージセンサでは、画素内の配線層がセンサの裏側（光が入射する側に対して反対側）に形成することができるため、配線層による入射光のケラレを抑制することができる。

[0011] 図２には、裏面照射型のCMOSイメージセンサが有する１つの画素についての断面的な構成例が示されている。また、図２において、図１の画素１１と共通する構成については、同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。

[0012] 図２に示すように、画素１１’は、半導体基板１２に対して配線層１４が設けられる半導体基板１２の表面に対して反対側となる裏面（図２の上側を向く面）に対して光が照射される（＊従来の基板の裏面を照射；素子全体としては表面を照射）構成となっている。また、画素１１’では、半導体基板１２の裏面側に電荷保持部１８が形成され、半導体基板１２およびカラーフィルタ層１５の間に遮光膜２１を有する遮光層２２が形成されている。

裏面：従来の基板であれば裏面であったはずの面