絶縁基体

US10557926
Shown in FIG. 9 is a bidirectional wavelength multiplexer of the type referenced in FIGS. 8 as 188 and 204. An enclosure 210 is typically made of deep drawn or formed Covar®, a steel alloy with a thermal coefficient of expansion matched to the TCE of the glass seals 214 which electrically insulate beryllium copper or Covar® leads 212, and seal the package against the environment.

[パラグラフ51 ]  188および204として図8において参照されるタイプの双方向性波長マルチプレクサは、図9に示される。エンクロージャ210は、概して深い引き出されるか形成されたCovarでできている電気的にベリリウム銅を絶縁するガラス封止214のTCEと合う熱膨張係数またはCovarを有する鋼合金に、リード212、そして、封止環境に対してパッケージ。

An insulating substrate 216, typically alumina or aluminum nitride, is mounted to the inner surface of the enclosure 210 which has a metalized top surface 218 connected to a lead 212 via wirebond 220. Bonded to the top of insulating substrate 216 is detector diode 222, typically a gallium arsenide PIN structure.

絶縁基体216（概してアルミナまたはアルミニウム窒化物）は、wirebond 220を経たリード212に接続している金属でおおわれた上面218を有するエンクロージャ210の内面に取り付けられる。探知器ダイオード222（概してヒ化ガリウムPIN構造）は、絶縁基体216の最上部に結合される。

In operation, detector diode 222 receives light reflected from dichroic beamsplitter 232, which reflects light at a first wavelength λ1, typically 1300 nm in the case of the wavelength multiplexer 204 embedded in the various camera modules 12, 38, etc. of the preferred embodiment, and passes other wavelengths only slightly attenuated. 

 動作において、探知器ダイオード222は二色性のビームスプリッタ232（それは第1の波長λ1で光を反射する）から反射される光を受信する。そして、好ましい実施例およびパス他の波長が概して1300ナノメートル・マルチプレクサ204がさまざまなカメラ・モジュール12、38、その他において埋め込まれた波長の場合、僅かに減らされるだけである。

US9012545
Substrates used include any substrate having a surface that can be coated with the copolymer composition in the method of the present invention. Preferred substrates include layered substrates. Preferred substrates include silicon containing substrates (e.g., glass; silicon dioxide; silicon nitride; silicon oxynitride;

使用される基体としては、本発明の方法において、コポリマー組成物によりコートされ得る表面を有するあらゆる基体が挙げられる。好ましい基体としては、積層基体が挙げられる。好ましい基体としては、シリコン含有基体（例えば、ガラス；二酸化ケイ素；窒化ケイ素；酸窒化ケイ素；

silicon containing semiconductor substrates such as silicon wafers, silicon wafer fragments, silicon on insulator substrates, silicon on sapphire substrates, epitaxial layers of silicon on a base semiconductor foundation, silicon-germanium substrates); plastic; metals (e.g., copper, ruthenium, gold, platinum, aluminum, titanium and alloys);

シリコン含有半導体基体、例えば、シリコンウエハ、シリコンウエハ断片、絶縁基体上のシリコン、サファイア基体上のシリコン、ベース半導体土台上のシリコンのエピタキシャル層、シリコン－ゲルマニウム基体）；プラスチック；金属（例えば、銅、ルテニウム、金、プラチナ、アルミニウム、チタンおよび合金）；

titanium nitride; and non-silicon containing semiconductive substrates (e.g., non-silicon containing wafer fragments, non-silicon containing wafers, germanium, gallium arsenide and indium phosphide). Most preferred substrates are silicon containing substrates.

 窒化チタン；ならびに、シリコン非含有半導体基体（例えば、シリコン非含有ウエハ断片、シリコン非含有ウエハ、ゲルマニウム、ガリウムヒ素およびリン化インジウム）が挙げられる。最も好ましい基体は、シリコン含有基体である。