US2020329533
(Ab)
A temperature limiting device for a thermal system includes a modular unit that is configured to connect to a two-wire heater of the thermal system.
熱システムの温度制限装置は、熱システムの2線式ヒータに接続するように構成されたモジュラーユニットを含む。
More particularly, the modular unit includes a heater interface configured to connect to a two-wire heater of the thermal system, a power interface configured to connect to a power source to receive power; and a controller including a sensor circuit.
具体的には、モジュラーユニットは、熱システムの2線式ヒータに接続するように構成されたヒータインターフェースと、電力を受けるために電源に接続するように構成された電力インターフェースと、センサ回路を含むコントローラとを含む。
The sensor circuit is configured to measure an electrical characteristic of the two-wire heater, which includes voltage, current, or a combination thereof.
センサ回路は、電圧、電流、又はそれらの組み合わせを含む、2線式ヒータの電気的特性を測定するように構成されている。
The controller is configured to calculate a temperature of the thermal system based on the measured electrical characteristic and determine whether the temperature is greater than a temperature setpoint.
コントローラは、測定された電気的特性に基づき熱システムの温度を計算し、その温度が温度設定値よりも高いかどうかを判断するように構成されている。
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[0010] In some forms, the controller stores predefined heater information that associates temperature values of the two-wire heater with performance characteristic measurements of the two-wire heater,
【0010】
いくつかの形態において、コントローラは、2線式ヒータの温度値と2線式ヒータの性能特性測定値とを関連付ける予め定義されたヒータ情報を記憶しており、
where the controller is configured to determine a performance characteristic based on the measured electrical characteristic.
コントローラは、測定された電気特性に基づき性能特性を決定するように構成される。
In some forms, the controller is configured to determine,
いくつかの形態において、コントローラは、
as the temperature of the thermal system, a temperature of the two-wire heater, a temperature of a load being heated by the two-wire heater, or a combination thereof based on the determined performance characteristic and the predefined heater information.
決定された性能特性及び予め定義されたヒータ情報に基づき、熱システムの温度として、2線式ヒータの温度、2線式ヒータによって加熱される負荷の温度、又はそれらの組み合わせを決定するように構成される。
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For example, for the R-T heater, the TWC 112 is configured to calculate the resistance of the resistive heating element 106 at a positive sine wave.
例えば、R-Tヒータの場合、TWC112は、正の正弦波における抵抗発熱体106の抵抗値を算出するように構成されている。
Using the resistance and predefined heater information (e.g., R-T curve/look table, TCR characteristics),
抵抗値と予め定義されたヒータ情報(例えば、R-T曲線/ルックテーブル、TCR特性)を用いて、
the TWC 112 determines a temperature of the resistive heating element 106 and compares it to the controlled temperature setpoint.
TWC112は、抵抗発熱体106の温度を決定し、制御された温度設定値と比較する。
US7986027
[0003] A problem with the use of such metal film resistors arises during the fabrication process for forming such resistors in the IC.
【0003】
このような金属皮膜抵抗器の使用に関連する問題は、ICの中にこのような抵抗器を形成する加工プロセスにおいて生じる。
In such fabrication and other compatible processes the thin films of metal—such as titanium, Ti— exhibit a degradation of their TCR characteristics on exposure to the high temperatures that are encountered during these processes.
このような加工およびその他の互換性のあるプロセスにおいて、チタン(Ti)などの金属薄膜は、これらのプロセス中に高温に暴露されたときにTCR特性の劣化を示す。
US9818512
[0086] In the examples shown in FIGS. 16-19, a nickel chromium alloy was used as the thermally sprayed material 16 .
【0063】
図16~図19に示した実施例では、溶射材16としてニッケルクロム合金を使用した。
In addition, low resistance value thin film resistors can also be made according to the present invention using other metal alloys such as MANGANIN® and EVANOHM®, or metal alloys including but not limited to those comprising copper, tantalum and titanium.
さらに、MANGANIN(登録商標)やEVANOHM(登録商標)などの他の金属合金、あるいは限定する意図はないが、銅、タンタルおよびチタンを含有する金属合金を使用して、本発明の低抵抗値薄膜抵抗器を製造することも可能である。
The thermally sprayed material 16 may be a combination of alloys selected to achieve particular electrical properties, such as a particular temperature coefficient or resistance (TCR) profile (e.g., a net flat TCR profile) or resistivity.
溶射材16としては、複数の合金を併用して、特定の抵抗温度係数(temperature coefficient or resistance)(TCR)特性(例えば純粋にフラットなTCR特性)即ち抵抗率などの特定の電気特性を実現することができる。
US11311688
and ceramic (e.g., a positive or negative temperature coefficient ceramic).
およびセラミック(例えば、正または負の温度係数特性を有するセラミック)が挙げられる。
US2020219630
[0004] Various embodiments of a temperature sensor for use in a nuclear reactor environment are described herein.
【0004】
原子炉環境で使用するための温度センサの様々な実施形態が、本明細書に記載される。
The operation of the sensor is based on the effect that Doppler temperature coefficient properties have on the neutron capture cross section of some materials.
センサの動作は、ドップラー温度係数特性がいくつかの材料の中性子捕獲断面積に及ぼす影響に基づいている。
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