一定時間毎、一定時間ごと

EP2618365
"1. A method of forming a silicon nitride material on a substrate in a reaction chamber, comprising:
periodically exposing the substrate to a vapor phase flow of a halogen-free silicon-containing reactant wherein the halogen-free silicon containing reactant is adsorbed onto the surface of the substrate;
exposing the substrate to a vapor phase flow of a first nitrogen-containing reactant wherein the nitrogen-containing reactant is adsorbed onto the surface of the substrate; and
periodically igniting a plasma in the reaction chamber when vapor phase nitrogen-containing reactant is present in the reaction chamber and the vapor phase flow of the halogen-free silicon-containing reactant has ceased."

反応チャンバの中で基板の上にシリコン窒化物材料を形成する方法であって、

  前記基板を無ハロゲンのシリコン含有反応物の気相流に一定時間ごとに暴露することであって、前記無ハロゲンのシリコン含有物は、前記基板の表面上に吸着される、ことと、

  前記基板を第１の窒素含有反応物の気相流に暴露することであって、前記窒素含有反応物は、前記基板の表面上に吸着される、ことと、

  前記反応チャンバの中に気相の窒素含有反応物が存在しているとともに前記無ハロゲンのシリコン含有反応物の気相流が停止されているときに、前記反応チャンバの中で一定時間ごとにプラズマを点火することと、

  を備える方法。

WO2012078716
"14. The method of claim 9, wherein the thermo-activated reducing agent is continuously being disbursed into the heated reaction mixture and the portion is adjusted periodically over the time course of the polymerization reaction, relative to the process parameters of temperature and viscosity."

上記熱活性の還元剤を、上記加熱された反応混合物に継続的に供給し、温度および粘度のプロセスパラメータに対して、上記一部を重合反応の時間変化にわたって一定時間ごとに調整する、請求項９～１３の何れか一項に記載の方法。