US10391307
[0056] FIG. 21A is a schematic illustration of a single conductor with a multi-layer stacked coil configuration (tri-layer) of two forward segments connected by one reverse segment according to embodiments of the present invention.
【図21A】図21Aは、本発明の実施形態に従う、1つの逆方向区間によって接続される2つの順方向区画の多層積層型コイル構成(3層)を含む単一導体の略図である。
Thus, both linear and rotational movement is easily adjusted using this fixture 350 .
したがって、直線移動および回転移動の両方は、この設備350を使用して容易に調整される。
Two embodiments of leads 20 with MCSMs formed of tri-layer stacked coils
3層積層型コイルから形成されるMCSMを含むリード線20に関する2つの実施形態は、
were tested with this fixture and withstood over 2 million cycles and over 15 million cycles, respectively.
この設備によって検査され、それぞれ、200万回を超える周期および1千500百万を超える周期に耐えている。
[0250] Referring to FIG. 53 which describes exemplary operations that can be carried out in support of the fabrication process,
【0159】
作製過程を支援して実行可能である例示的動作について説明する図53を参照すると、
the winding operations used to form stacked coils of CSMs can be carried out
CSMの積層型コイルの形成に使用される巻き動作は、
by winding a conductor on a mandrel to form a first coil in a forward lengthwise (or longitudinal) direction (e.g., left to right) (block 200 ).
第1のコイルを順長さ方向(または長手方向)(例えば、左から右)に形成するように、マンドレル上に導体を巻くことによって実行可能である(ブロック200)。
The mandrel can be a wire held in tension during the winding operation(s).
マンドレルは、巻き動作中に、張力保持されるワイヤであることが可能である。
After winding the first coil, the conductor can be wound over the mandrel to form a second closely spaced coil in a reverse lengthwise direction from the winding direction of the first coil (e.g., right to left) (block 210 ).
第1のコイルの巻き後、導体は、第1のコイルの巻き方向とは逆長さ方向(例えば、右から左)に第2の密集コイルを形成するように、マンドレルの上で巻くことが可能である(ブロック210)。
EP3547227
in other examples, the external memory 360 may constitute
他の例では、外部メモリ360は、
other forms of slower but denser memory (including stacked phase-change memory (e.g., implementing the 3D XPoint standard),
他の形態のより低速だが高密度のメモリ(積層型相変化メモリ(例えば、3D XPoint規格を実装する)、
DDRx-SDRAM, GDDRx SDRAM, LPDDR SDRAM, direct through-silicon via (TSV) die-stacked DRAM, and the like).
DDRx-SDRAM、GDDRx SDRAM、LPDDR SDRAM、ダイレクト・スルーシリコン・ビア(TSV)ダイ積層型DRAMなどを含む)を構成し得る。
US2021026143
[0035] In some embodiments, the display 1900 includes first and second display panels disposed such that a light output of one of the first and second display panels passes through the other of the first and second display panels.
【0018】
いくつかの実施形態では、ディスプレイ1900は、第1及び第2のディスプレイパネルを含み、これらは、第1及び第2のディスプレイパネルのうちの一方の光出力が第1及び第2のディスプレイパネルの他方を通過するように配置されている。
Such stacked display panels are known in the art and are described in U.S. Pat. Appl. Publ. No. 2013/0083040 (Prociw), for example.
このような積層型ディスプレイパネルは当該技術分野において既知であり、例えば、米国特許出願公開第2013/0083040号(Prociw)に記載されている。
US10770118
[0051] While three optical element layers 222 , 224 , and 226 are shown in FIGS. 2G-2I, it is contemplated that, in various embodiments a single optical element layer such as that shown in FIG. 2C, or a double optical element layer as shown in FIG. 2F may also be employed.
【0036】
[0050] 図2G~図2Iには、3つの光学素子層222、224、及び226が示されているが、様々な実施形態では、図2Cで示されているような単一の光学素子層、又は図2Fで示されているような二重の光学素子層が採用されてもよいことに留意されたい。
In other examples, four or more optical element layers can be stacked to form an optical device.
他の実施例では、4つ以上の光学素子層を積み重ねて、光学装置を形成することができる。
In an embodiment, T208 , T214 , and T218 may each be from about 100 nm to about 2 microns.
一実施形態では、T208、T214、及びT218は、それぞれ約100nmから約2ミクロンであってよい。
In an embodiment, an overall thickness Toverall , shown in FIG. 2G, of an optical device, which can include a one or more stacked optical element layers may be from about 1 micron thick to about 2000 microns thick or thicker.
一実施形態では、1以上の積層型光学素子層を含むことができる、光学装置の図2Gで示されている総合的な厚さToverallが、約1ミクロンの厚さから約2000ミクロンの厚さ又はそれ以上であってよい。
EP3664915
Another media variation comprising fluted media with facing media secured thereto, can be used in arrangements according to the present disclosure, in either a stacked or coiled form,
【0045】
フルート付き濾材とそこに固定されたライナ濾材を含む別の変形濾材を本開示による装置において、積層型又はロール型の何れでも使用でき、
is described in US 2014/0208705 Al, owned by Baldwin Filters, Inc., published July 31, 2014,
これはBaldwin Filters,Inc.が所有する2014年7月31日に公開された米国特許出願公開第2014/0208705 A1号明細書に記載されており、
and incorporated herein by reference.
これを参照によって本願に援用する。
※コメント投稿者のブログIDはブログ作成者のみに通知されます