レーザーリフトオフ

WO2010028146
FIG. 4e shows substrate 480 removed from the rest of the device.
【００６３】
  図４ｅでは、基板４８０が素子の残りの部分から除去されている。

This step can be accomplished through a number of techniques, including, e.g., laser-lift-off using an excimer laser,
この工程は、例えばエキシマーレーザーを用いたレーザーリフトオフ法などの各種の方法によって行うことができる。

wherein a sapphire wafer may be coated with the appropriate GaN semiconductor layers for LED fabrication, including the metal contacts.
この方法では、ＬＥＤ製造用の適当なＧａＮ半導体層で金属接点を含めてサファイアウェーハをコーティングする。

At the stage, the LED device is still fully attached to the growth substrate. A substrate, either a temporary transfer substrate or a final substrate, may then be attached to the exposed surface of the LED device located on the opposite face of the growth substrate.
この段階では、ＬＥＤ素子は成長用基板に依然、完全に取り付けられた状態である。次いで一時的な転写基板又は最終基板のいずれかである基板を成長用基板の反対側の面となるＬＥＤ素子の露出面に取り付ける。

Due to the difference in the absorption coefficients between sapphire and GaN at the excimer laser wavelength, the majority of the energy from the laser is preferentially deposited into the interface between the sapphire and the GaN LED device.
エキシマーレーザーの波長におけるサファイアとＧａＮの吸収計数の差により、レーザーからのエネルギーの大半はサファイアとＧａＮ  ＬＥＤ素子との界面に選択的に蓄積される。

This effectively separates the GaN LED device from the sapphire growth substrate. The EPLDs described herein have a continuous layer and may be made thick enough (on the n-layer side, for instance) to be mechanically self- supporting.
これにより、ＧａＮ  ＬＥＤ素子はサファイア製の成長用基板から効果的に分離される。本願で述べるＥＰＬＤは連続層を有し、機械的に自立できるだけ（例えば、ｎ層側において）充分に厚くすることができる。

This allows it to be removed from the growth substrate more easily. This is yet another advantage offered by the presently described EPLDs over physically pixelated devices.
これにより、ＥＰＬＤを成長用基板からより簡単に剥離することができる。これは、物理的に画素化された素子と比較した場合に本願で述べるＥＰＬＤが優れているもう一つの点である。

WO2019066787
[0048] After bonding, the heteroepitaxial substrate, 4, is removed (FIG. 2G).
【００４９】
  接合後、ヘテロエピタキシャル基板４は、除去される（図２Ｇ）。

When a double-side polished sapphire substrate is used to form the thin GaN layer via e.g. hydride vapor phase epitaxy, the sapphire substrate can be removed by irradiating the backside of the sapphire using ultraviolet laser light (laser lift-off).
両面が研磨されたサファイア基板が、例えば、ハイドライド気相エピタキシを通して薄いＧａＮ結晶層を形成するために使用されている場合、サファイア基板は、紫外レーザー光（レーザーリフトオフ）を使用してサファイアの後面を照射することによって除去されることができる。

WO2017112490
[0080] After bonding to the carrier substrate 220, the growth substrate 101 may be removed utilizing a suitable technique such as laser lift-off, etching, or grinding to expose the device layer 117.
【００８０】
  キャリア基板２２０に接合した後で、成長用基板１０１をレーザーリフトオフ、エッチング、又は研削などの好適な技術を用いて除去し、デバイス層１１７を露出してもよい。

Any remaining portions of the (n-doped) cladding layer 104 or (n-doped) contact layer 102 connecting the separate mesa structures 130 may then be removed using etching or grinding to form laterally separate p-n diodes. 
次に、個別のメサ構造１３０を接続する（ｎ型にドープされた）クラッド層１０４又は（ｎ型にドープされた）接触層１０２の何れかの残余部分をエッチング又は研削を使用して除去し、横方向に別個のｐｎダイオードを形成してもよい。

WO2016060677
Any technique known in the art may be utilized to decouple the LED film/metal electrode stack from the epitaxial substrate to arrive at the structure illustrated in FIG. 10D.
当業分野で既知の任意の技術を用いてＬＥＤ膜／金属電極層をエピタキシャル基板から分離して、図１０Ｄに説明した構造に到達してもよい。

For example, a laser liftoff（＊不定冠詞）or CMP/grind and clean may be utilized to remove the epitaxial substrate to expose a second doped semiconductor region (e.g., n-type doped layer) of the LED film stack 207.
例えば、レーザーリフトオフ（laser liftoff）またはＣＭＰ／研磨と洗浄を用いてエピタキシャル基板を除去して、ＬＥＤ積層膜２０７の第２のドープ半導体領域（例えば、ｎ型ドープ層）を露出させてもよい。

WO2012031178
The exemplary method may further comprise releasing the plurality of diodes from a wafer. In an exemplary embodiment, the step of releasing the plurality of diodes from the wafer further may further comprise grinding and polishing a back side of the wafer.
【００１５】
  代表的な方法は、複数のダイオードをウェハーから外すことを更に含んでもよい。代表的な実施形態では、複数のダイオードをウェハーから外すことは、ウェハーの裏面を研削すること及び研磨することを更に含んでもよい

In another exemplary embodiment, the step of releasing the plurality of diodes from the wafer further may further comprise a laser lift-off（＊不定冠詞）from a back side of the wafer.
他の代表的な実施形態では、複数のダイオードをウェハーから外すことは、ウェハーの裏面からのレーザーリフトオフを更に含んでもよい。