ベタ状、ベタ層

US20180240797(JP, Sony)
"[0148] As materials of the shield layers 501A, 501B, 502, and 503, for example, a magnetic material having extremely small magnetic anisotropy and high initial magnetic permeability is preferably used, and examples thereof include a permalloy material. The shield layers 501A, 501B, 502, and 503 may be formed as a solid film, or may be so formed as to have a slit therein as appropriate. Specifically, shapes illustrated in FIGS. 24A to 24C are adopted. "

「シールド層５０１Ａ，５０１Ｂ，５０２，５０３の材料としては、例えば、磁気異方性が非常に小さく、初透磁率の大きな磁性材料を用いることが好ましく、例えばパーマロイ材料が挙げられる。シールド層５０１Ａ，５０１Ｂ，５０２，５０３は、ベタ膜として形成してもよいが、層内に適宜スリットを形成するようにしてもよい。具体的には、例えば図２４Ａ～図２４Ｃに示した形状が挙げられる。」

US201681335(JP, JOLED)
"[0108] Note that the first layer 16A, the second layer 16B, and the third layer 16C may be formed by techniques such as vacuum vapor deposition, sputtering, and plasma CVD (Chemical Vapor Deposition). Moreover, in the case in which the organic EL element 10 constitutes the display device 1 whose drive method is the active matrix method, the cathode electrode 16 may be formed as a solid film over the substrate 2, while being insulated from the anode electrode 12 by the liquid-repellent layer 14 (the partition wall) and the organic layer 15, and may serve as a common electrode of the organic EL elements 10. "

「[0067] なお、第１層１６Ａ、第２層１６Ｂおよび第３層１６Ｃは、真空蒸着法、スパッタリング法、あるいはプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ；化学気相成長）法などの手法によって形成される。また、この有機ＥＬ素子１０を用いて構成される表示装置１の駆動方式がアクティブマトリックス方式である場合、カソード電極１６は、撥液層１４（隔壁）および有機層１５によってアノード電極１２に対して絶縁された状態で、基板２上にベタ膜状で形成され、有機ＥＬ素子１０の共通電極とされていてもよい。 」