噴射するノズル

US10934030
In one example, each cryogen outlet 162 can include a nozzle that sprays the cryogen onto the exterior surface 124 of the rocket 100 .
一例では、各冷寒剤排出口１６２は、ロケット１００の外面１２４に冷寒剤を噴射するノズルを含みうる。

Spray nozzles can further help to disperse the cryogen over increased surface area of the exterior surface.
噴射ノズルは、外面のより大きな表面積の全体に冷寒剤を分散させるのに更に役立ちうる。

As another example, each cryogen outlet 162 can be an aperture in the inner surface 154 of the jacket 130 .
別の例としては、各冷寒剤排出口１６２は、被覆１３０の内面１５４の開孔でありうる。

US2022073417
[0072] The nozzle for jetting the gas stream has one or more injection holes.
【００７０】
  気体流を噴射するノズルは、１つ又は２つ以上の噴射孔を有している。

The hole diameter of the injection hole is, for example, 0.1 millimeters or more, 0.3 millimeters or more, or 0.5 millimeters or greater, and 2.5 millimeters or less, 2.0 millimeters or less, or 1.5 millimeters or less.
噴射孔の孔径（直径）は、例えば、０．１ミリメートル以上、０．３ミリメートル以上、又は０．５ミリメートル以上であり、２．５ミリメートル以下、２．０ミリメートル以下、又は１．５ミリメートル以下である。

US10479094
[0012] FIG. 1 is a block diagram illustrating an example inkjet printer 100 in which the teachings disclosed herein may be implemented.
【０００９】
  図１は、本願において開示されている教示を実施することができる例示的なインクジェットプリンタ１００を示すブロック図である。

More particularly, the example printer 100 includes a printhead assembly 102 with an example printhead 104 that has a passivation layer fabricated using a new hybrid deposition technique
より具体的には、例示的なインクジェットプリンタ１００は、新規なハイブリッド堆積技術を用いて作製されたパッシベーション層を含む例示的なプリントヘッド１０４を有するプリントヘッドアセンブリ１０２を備えており、

that combines PECVD of a first thin film layer with atomic layer deposition (ALD) of a second thin film.
ここで、該ハイブリッド堆積技術は、第１の薄膜層のＰＥＣＶＤと第２の薄膜の原子層堆積（ＡＬＤ）を組み合わせたものである。

As shown in the illustrated example, the printhead 104 has an array of nozzles 106 that eject ink droplets towards a print medium 108 (e.g., paper) in a pattern corresponding to a desired printed image. 
図示の例に示されているように、プリントヘッド１０４は、所望の印刷イメージに対応するパターンで印刷媒体（たとえば紙）１０８に向けてインク滴を噴射するノズル１０６のアレイ（配列）を有している。

US9446422
[0001] The present invention relates generally to an adhesive dispensing module and method of spraying a plurality of droplets of a liquid adhesive with a pressurized gas,
【０００１】
  本発明は、加圧ガスを用いた、接着剤ディスペンシングモジュール、及び、複数滴の液体接着剤（本明細書においては、液体粘着剤を含む）の噴射方法に関している。

and more particularly, to a nozzle for spraying a liquid adhesive with a pressurized gas according to a predetermined pattern.
特には、所定のパターンに従って加圧ガスを用いて液体接着剤を噴射するノズルに関している。

解離触媒

WO2012138576
In another embodiment, hydrogen is supplied to chamber 607 that comprises a hydrogen dissociation catalyst such as Pt/C and a membrane separator at 608 that may be Nafion
別の実施形態では、Ｐｔ／Ｃなどの水素解離触媒とナフィオンであってもよい膜セパレータを備える槽６０８を含む槽６０７に供給され、

whereby H atoms diffuse into the cathode product material in chamber 601 while an electrolysis voltage is applied between electrodes 604 and 603. 
それにより、電気分解電圧が電極６０４と６０３との間に印加される間に、Ｈ原子は、槽６０１のカソード生成物材料中に拡散する。

ヘテロ界面

US10483356
[0004] In the last decade, Gallium Nitride (GaN) has increasingly been considered as a very promising material for use in the field of power devices with the potential to lead to increased power density, reduced on-resistance, and high frequency response.
【０００５】
  最近の１０年間で、窒化ガリウム（ＧａＮ）は電力用デバイスの分野に使用できる可能性の高い素材として評価が高まり、高い電力密度、低いオン抵抗や高い周波数応答が期待されている。

The wide band gap of the material Eg =3.39 eV results in high critical electric field Ec=3.3 MV/cm which can lead to the design of devices with a shorter drift region, and therefore lower on-state resistance, if compared to a silicon-based device with the same breakdown voltage
この素材の広いバンドギャップＥｇ＝３．３９ｅＶにより高い臨界電界Ｅｃ＝３．３ＭＶ／ｃｍが得られ、ドリフト領域が短く、従って同じ破壊電圧をもつシリコン系デバイスと比較してオン抵抗が小さいデバイスを設計できる

[see U. K. Mishra et al., GaN-Based RF power devices and amplifiers, Proc. IEEE, vol 96, no 2, pp 287-305, 2008].
[Ｕ．Ｋ．Ｍｉｓｈｒａ  ｅｔ  ａｌ．ＧａＮ－Ｂａｓｅｄ  ＲＦ  ｐｏｗｅｒ  ｄｅｖｉｃｅｓ  ａｎｄ  ａｍｐｌｉｆｉｅｒｓ、Ｐｒｏｃ．ＩＥＥＥ、Ｖｏｌ．９６、Ｎｏ．２、ｐｐ２８７－３０５、２００８を参照]。

The use of an AlGaN/GaN heterostructure also allows the formation of a two-dimensional electron gas 2DEG at the hetero-interface where carriers can reach very high mobility μ=2000 cm2 /Vs values 
ＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ構造を使用すると、キャリヤがきわめて高い移動度値、即ちμ＝２０００ｃｍ^２／Ｖｓに達するため、ヘテロ界面に二次元電子ガス２ＤＥＧを形成することもできる

US9660134
[0044] The devices described herein can be suitable for negative differential resistance applications wherein Δv/Δi<0.
【００３７】
  本明細書に記載されるデバイスは、Δｖ／Δｉ＜０である負性微分抵抗用途に好適であることができる。

The band diagram shown in FIG. 3A is obtained in the device by taking advantage of the natural polarization charge at nitride polar hetero-interfaces.図３Ａに示されるバンド図は、窒化物極性ヘテロ界面における自然分極電荷の利点を活用することによってデバイスにおいて得られる。

US7692263
[0055] The barrier layer, for example, may include an AlN layer having a thickness of about 0.8 nm and an AlGaN layer having 24% Al and a thickness of about 250 Å.
【００４１】
  バリア層は、例えば、約０．８ｎｍの厚さを有するＡｌＮ層と、２４％のＡｌおよび約２５０Åの厚さを有するＡｌＧａＮ層とを含むことができる。

The barrier layer should be thick enough, and should have a high enough Al composition and doping, to induce a significant carrier concentration at the interface between the buffer layer 14 and the barrier layer 16 through polarization effects.
バリア層は、十分に厚くあるべきであり、バッファ層１４とバリア層１６の間の境界面に分極効果によって十分なキャリア濃度を誘起するために、十分に高いＡｌの組成およびドーピングを有すべきである。

This causes a two dimensional electron gas (2DEG), known as the active region, to be formed at the heterointerface between the buffer layer and the barrier layer.
こうすることにより、活性領域として知られる２次元電子ガス（２ＤＥＧ）が、バッファ層とバリア層の間のヘテロ界面に形成される。

反転層

US10424660
By way of example, an n-type MOSFET has n-type source and drain regions and a p-type channel.
一例として、ｎ型ＭＯＳＦＥＴは、ｎ型のソース及びドレイン領域、並びにｐ型チャネルを備える。

An n-type MOSFET may be designed to 
ｎ型ＭＯＳＦＥＴは、

turn on when a gate bias voltage is applied to the gate electrode that（＊離れた先行詞；新情報；gate electrodeは既出だから、それを新たに修飾するなら非制限用法か分詞）is sufficient to create a conductive n-type inversion layer in the p-type channel region that electrically connects the n-type source and drain regions, thereby allowing for majority carrier conduction therebetween. 
ｎ型のソース及びドレイン領域を電気的に接続する、ｐ型チャネル領域内に導電性のｎ型反転層を生成するのに十分なゲート・バイアス電圧が、ゲート電極に印加されたとき、ターン・オンし、それによりそれらの間の多数キャリアの伝導を可能にするように、

設計され得る。

US10354871
During operation（＊無冠詞）, an appropriate gate voltage (e.g., at or beyond a threshold voltage (VTH ) of the MOSFET device 10 ) may cause an inversion layer to form in the channel region 40 ,
動作時に、適切なゲート電圧（例えば、ＭＯＳＦＥＴ素子１０のしきい値電圧（Ｖ_ＴＨ）以上）によって、チャネル層４０に反転層を形成させるとともに、

as well as a conductive path to form in the junction gate field-effect transistor (JFET) region 42 , allowing current（＊無冠詞）to flow between the source contact 32 and the drain contact 30 .
接合ゲート電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）領域４２に導電経路を形成させ、ソースコンタクト３２とドレインコンタクト３０との間に電流を流すことができる。

US9601607
[0031] A first gate voltage of the first gate region 102 may be biased to a first voltage (V1 ).
【００１７】
  第１のゲート領域１０２の第１のゲート電圧は、第１の電圧（Ｖ_１）にバイアスされ得る。

Biasing the first gate voltage may enable unipolar current（＊無冠詞）to flow from the first region 104 to the second region 106 according to a field effect transistor (FET)-type operation.
第１のゲート電圧をバイアスすることは、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）型の動作に従ってユニポーラ電流が第１の領域１０４から第２の領域１０６に流れることを可能にすることができる。

For example, a source voltage (Vs ) may be applied to the first region 104 .
たとえば、ソース電圧（Ｖ_ｓ）は、第１の領域１０４に印加され得る。

When the gate-to-source voltage (e.g., a voltage difference between the first voltage (V1 ) and the source voltage (Vs )) exceeds a particular voltage level,
ゲート‐ソース電圧（たとえば、第１の電圧（Ｖ_１）とソース電圧（Ｖ_ｓ）との間の電圧差）が特定の電圧レベルを超えたとき、

an inversion layer (e.g., a channel) may be formed within the first body region 108 between the first region 104 and the second region 106 .
反転層（たとえば、チャネル）が、第１の領域１０４と第２の領域１０６との間の第１のボディ領域１０８内に形成され得る。

異なるタイミングで

US8730755
Embodiments of the present description relate to address line drivers and to the operation of non-volatile memory devices. In at least one embodiment, a single transistor may be used to drive each address line, either a wordline or a bitline. Both an inhibit voltage and a selection voltage may be driven through these single transistor devices, at different timings（＊異なるタイミングで）, which may be achieved with the introduction of odd and even designations for the address lines (i.e. wordlines and bitlines). 

US9743343
The network side may support these approaches, for example as follows. For example, the network may try to avoid overlapping CMAS and PCH by trying to adapt the positions of CMAS and PCH to solve the conflict. However, the position e.g. of the PCH may be fixed and the PCHs of all users (i.e. of all communication terminals in the cell) may be distributed. Thus, one approach could be to define a time interval where no PCH transmission is allocated for any communication terminal. Or the network could transmit the CMAS twice at different timings（＊異なるタイミングで）so that if the PCH transmission overlaps with one CMAS transmission, the communication terminal can read the second CMAS transmission.

US20200403370
[0060] In another instance, the illumination subsystem may include only one light source (e.g., source 504 shown in FIG. 5) and
【００５６】
  別の例において、照明サブシステムは、１つのみの光源（例えば、図５に示す光源５０４）を含んでもよく、

light from the light source may be separated into different optical paths (e.g., based on wavelength, polarization, etc.) by one or more optical elements (not shown) of the illumination subsystem.
光源からの光は、照明サブシステムの１つ以上の光学素子（図示せず）により異なる光路（例えば、波長、偏光などに基づき）に分離されてもよい。

Light in each of the different optical paths may then be directed to the specimen.
そして、異なるそれぞれの光路における光は、試料に方向付けられてもよい。

Multiple illumination channels may be configured to direct light to the specimen at the same time or at different times (e.g., when different illumination channels are used to sequentially illuminate the specimen). 
複数の照明チャネルは、同時にまたは異なるタイミング（例えば、異なる照明チャネルを用いて、順に試料を照射する場合など）で光を試料に方向付けるように構成されてもよい。

US10225218
[0002] Individuals often carry several personal electronic devices at one time.
 個人が同時にいくつかの個人用の電子デバイスを携帯することがしばしばある。

This can include a mobile phone, a tablet, a laptop, etc. When a message (e.g., email) is sent to an individual, the message may be received by each of the individual's devices.
それは、携帯電話、タブレット、ラップトップコンピュータなどを含み得る。ある人にメッセージ（例えば、電子メール）が送信されると、メッセージはその人のデバイスの各々で受信され得る。

The message may include a textual portion and an image portion.
メッセージは、テキスト部分と画像部分とを含み得る。

Each device may notify the user of the message receipt via an audible sound and/or vibration. 
各デバイスは、可聴音および／または振動によってメッセージの受信をユーザに通知し得る。

However, each notice may be delivered to the user at a different time due to differences in refresh rate, processing, etc. 
しかしながら、デバイスの技術的能力の違い、またはデバイスにおいて実施されている技術的条件（例えば、リフレッシュレート、処理など）の違いに起因して、各通知が異なるタイミングでユーザに配信される場合がある。

US2022132095
For example, a processor may perform its functions in “real-time,” “offline,” in a “batch mode,” etc.
たとえば、プロセッサは、その機能を「リアルタイム」、「オフライン」、「バッチモード」などで実行してもよい。

Portions of processing may be performed at different times and at different locations, by different (or the same) processing systems.
処理の一部は、異なる（または同じ）処理システムによって、異なるタイミングで異なる場所において実行されてもよい。

A computer may be any processor in communication with a memory.
コンピュータは、メモリと通信する任意のプロセッサであってもよい。

US10368044
 In one embodiment, quad projectors are utilized to project 3D images the left and right channels being alternated between low and high spatial frequencies and projected from different projectors at different times.
一実施形態では、クワッドプロジェクタを用いて３Ｄ画像を投影し、左右のチャネルが、低空間周波数と高空間周波数で交互に、異なるプロジェクタから異なるタイミングで投影される。

配線を形成

US11169267
[0052] Any suitable submount 950 may be used.
【００５２】
  どのような適切なサブマウント９５０を用いてもよい。

In some embodiments, the submount 950 includes a substrate 952 and (optionally) a protective cap 954 .
いくつかの実施形態では、サブマウント９５０は、回路基板９５２と（オプションで）蓋カバー９５４を含む。

The substrate 952 may comprise any suitable layer of material that provides mechanical support for the mounted component 960 .
回路基板９５２は、装着部品９６０用の機械的支持を提供するいかなる適切な材料層を備えてもよい。

Via holes may be formed in the substrate 952 , and these via holes can be plated and/or filled with conductive material (e.g., copper or aluminum) to form vias.
ビアホールが回路基板９５２に形成され、これらビアホールは導電材料（例えば、銅またはアルミニウム）でメッキおよび／または充填されビアを形成する。

Contact pads that electrically connect to the vias can be formed on opposite sides of the substrate 952 , for example by plating and patterning metal traces.
ビアに電気接続する導体パッドを回路基板９５２の反対側に、例えばメッキして金属配線を形成することにより、形成することもできる。

In this manner, electrically conductive paths can be formed from one side of the substrate 952 to the other. 
この方法で、電気的導電パスが、回路基板９５２の片側から他の側に形成できる。

US11069564
[0002] Back-end-of-line (BEOL) is the second portion of integrated circuit (IC) fabrication where individual circuit devices such as transistors, capacitors, resistors, etc., are interconnected with wiring on the wafer.
【０００２】
  配線工程（ＢＥＯＬ）は、トランジスタ、キャパシタ、抵抗体、等の個別の回路デバイスがウェハ上で配線を用いて相互接続される集積回路（ＩＣ）製造の第２の部分である。

Common metals for the wiring include copper and aluminum. BEOL generally begins when the first layer of metal is deposited on the wafer.
配線用の一般的な金属は、銅およびアルミニウムを含む。ＢＥＯＬは、金属の第１の層がウェハに堆積されるときに一般に始まる。

BEOL includes contacts, insulating layers (dielectrics), metal levels, and bonding sites for chip-to-package connections.
ＢＥＯＬは、コンタクト、絶縁性層（誘電体）、メタル・レベルおよびチップ－パッケージ接続用のボンディング・サイトを含む。

Multiple patterning has been practiced for complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) manufacturing.
マルチ・パターニングが相補型金属－酸化物－半導体（ＣＭＯＳ）製造のために実行されてきている。

Among the practical schemes for patterning wires, self-aligned double patterning (SADP) and self-aligned quadruple patterning (SAQP) are used to form wires.
配線をパターニングするための実際的な方式の中で、自己整合ダブル・パターニング（ＳＡＤＰ）および自己整合クアドルプル・パターニング（ＳＡＱＰ）が、配線を形成するために使用される。

US2022181141
[0031] In 3D NAND technology, an oxide filler is deposited over alternating oxide and nitride layers that are arranged in a staircase pattern.
【００３１】
  ３Ｄ  ＮＡＮＤ技術では、階段状のパターンで配置された交互の酸化層および窒化層の上に、酸化物フィラーが堆積される。

The nitride layers are then replaced by a metal film, typically comprising tungsten to form the wordlines.
その後、窒化層は一般に、タングステンを含む金属膜に置き換えられ、ワード線を形成する。

Vias are then formed in the oxide filler.
その後、酸化物フィラーにビアが形成される。

The vias extend vertically to contact the tungsten wordlines, which now form the treads of the staircase.
ビアは垂直方向に延び、タングステンワード線に接触し、そのタングステンワード線は次に、階段の段版を形成する。

Metal, such as tungsten, is deposited in the vias to form interconnects which extend to and contact the tungsten wordlines. 
ビアにタングステンなどの金属が堆積され、タングステンワード線に向かって延びて接触する配線を形成する。

配線に接続：wire or wiring?

US20210289617
For example, in the example of FIG. 1 and embodiments illustrated in FIGS. 2, 7-11, selected pads for the grid array patterned on the PCB surface are coupled to vias formed in the PCB, such as vias 108 in FIG. 1. It will be understood by those skilled in the art that only a portion of the pads patterned on the PCB are connected to the vias illustrated herein, or otherwise connected to wiring（＊配線に接続）formed in the same layer on the PCB as the patterned BGA pads or intermediate substrate (such as shown in FIG. 8). Further details of BGA packages and the interconnections between BGA pads and vias are discussed below with reference to FIGS. 12 and 13.

US20190252525
In other embodiments, designs may require a via to connect from the backside to the front side either for delivering power or signal. In an example, FIG. 25 shows an example of power being transferred from one side of a device to the opposite side, in accordance with an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 25, both the source/drain (S/D) and the gate may be connected to wiring（＊配線に接続）either above or below the devices. 

US20180376229
The lighting panel 234 may include a power and control module insert 236 for supplying electrical power and control signals to the light sources 206 and 208 of the lighting panel 234. This enables the printed electrically conductive traces 204 to be connected to wiring（＊配線に接続）. Still further, other discrete electrical components, e.g., microprocessors and RF control or transceiver components to power and control the light sources 206 and 208, can be embedded into the power and control module insert 236. The power and control module insert 236 may further incorporate terminal input/output connection pads that enable easy electrical interconnection between the power and control module insert 236 and the light sources 206 and 208 via the electrically conductive traces 204.

によって構成（既出まとめ）

構造：

US10954684（＊既出）
[0015] GB 1244356 discloses another system for the modular construction of buildings made up of a plurality of cuboid-shaped modules.
【００１５】
  英国特許出願公告第１２４４３５６号明細書には、立方体形状の複数のモジュールによって構成された建築物をモジュール方式で建築するための、別のシステムが開示されている。

US10404969（＊既出）
[0043] As mentioned above, the image processor 220 may be configured by several modules stored in the memory 230 .
【００３６】
  [0041]上記のように、画像プロセッサ２２０は、メモリ２３０に格納されているいくつかのモジュールによって構成され得る。

US2018318136（＊既出）
In this embodiment, an additional inner bag ( 22 ) can be inserted into the bag ( 10 ) formed by the PUR membrane. This wall of additional inner bag ( 22 ) is also made out of a membrane from open cell PUR foam. 
【００２７】
  本発明の１展開において、ＰＵＲ薄膜によって形成される袋の内部に、付加的に内袋を挿入することができ、この内袋の壁は同様に開放気孔ＰＵＲフォームプラスチックによって構成される。

WO2010070562（＊既出）
[0063] Cold part stabilization and support is constructed by geometrical structures 141 following low thermal conductive paths and ensuring a superior low thermal management.
【００６３】
  低温部分の安定化および支持は、低熱伝導路に続いて良好な低温管理を保証する幾何学的構造１４１によって構成される。

US9299738（＊既出）
A typical array sensor may consist of a few hundred to a few thousand pixels along each side of the sensor.
典型的なアレイセンサは、センサの各側に沿って数百ピクセルから数千ピクセルによって構成されてよい。

設定：

US2022174603（＊既出）
Typically, the DRX parameters are configured by radio resource control (RRC) and there are some other DRX parameters such as round trip time (RTT) related and hybrid automatic repeat request (HARQ) related parameters.
典型的には、ＤＲＸパラメータは、無線リソース制御（ＲＲＣ）によって構成され、ラウンドトリップ時間（ＲＴＴ）関連およびハイブリッド自動再送要求（ＨＡＲＱ）関連のパラメータなどのいくつかの他のＤＲＸパラメータがある。

WO2019171306（＊既出）
When a search query is entered（＊現在形）, a search is performed on candidate items located in a location identified in the geolocation box 803.
検索クエリが入力されると、地理位置ボックス８０３内で識別される位置内にある候補項目に対する検索が行われる。

The near me user interface 800 also includes a first ring 804 and a second ring 806 and multiple items 808 overlaid on the rings 804, 806.
私の近辺ユーザインタフェース８００は、第１の輪８０４及び第２の輪８０６並びに輪８０４、８０６上にオーバレイされる複数の項目８０８も含む。

Each of the rings 804, 806 corresponds to a distance from a location of the user. The distances corresponding to the rings 804, 806 can be pre-set or they can be configured by the user.
輪８０４、８０６のそれぞれはユーザの位置からの距離に対応する。輪８０４、８０６に対応する距離は予め設定されてもよく、又はユーザによって構成されてもよい。

US9924413（＊既出）
[0184] This permission may be signaled using NAS signaling, (for example an attach accept), RRC signaling, (for example a system information message) and the like.
【０１５７】
  このパーミッションは、ＮＡＳシグナリング（例えば、Ａｔｔａｃｈ  Ａｃｃｅｐｔ）、およびＲＲＣシグナリング（例えば、システム情報メッセージ）などを使用してシグナリングされてもよい。

The permission may also be preconfigured at a network operator service center
このパーミッションはまた、さらに、ネットワークオペレータのサービスセンタで事前構成されてもよく、

or configured by the operator via over-the-air (OTA) procedures through Open Mobile Alliance (OMA) device management (DM) or using an access network discovery and selection function (ANDSF) to push or pull this permission.
あるいは、オープンモバイルアライアンス（ＯＭＡ）デバイス管理（ＤＭ）を通じて、または、アクセスネットワーク発見・選択機能（ＡＮＤＳＦ）を使用して、このパーミッションをプッシュもしくはプルすることでオーバーザエア（ＯＴＡ）プロシージャを介してオペレータによって構成されてもよい。

WO2018017187（＊既出）
The apparatus may also include means for transmitting HARQ ACK feedback in accordance with the first mode or the second mode, as configured by the RRC signaling.
 装置はまた、RRCシグナリングによって構成されるように、第1のモードまたは第2のモードに従ってHARQ ACKフィードバックを送信するための手段を含み得る。

 

 

～の一端側に有する

US10672524
[0031] While the illustrative embodiments employ spool flanges, the disclosed integral isolation valve assemblies can be constructed using other types of flanges.
【００２８】
  上記の例示的実施例はスプールフランジを用いたが、開示の一体型遮断弁アセンブリは、その他の種類のフランジを用いて構成することもできる。

For example, the spool flange can be replaced by
例えば、スプールフランジの代わりに、

a single-sided flange having

a flange lip that is bolted to the reactor pressure vessel 12 at the vessel penetration
原子炉圧力容器１２の容器貫通部にボルト締めされるフランジリップを一端側に（＊日本語補足）有し、

and on the opposite side has a nipple or other pipe coupling for connecting to the control line 52 . 
制御ライン５２に接続されるニップルなどのパイプカップリングを他端側に（＊有するフランジリップ）

有する片側フランジを使用してもよい。

US2022325363
[0503] Sliding Valve Device.
[0261] スライドバルブ装置。

A microfluidic device particularly well suited for carrying out the DETECTR reactions described herein is a sliding valve device.
本明細書に記載のDETECTR反応を実行するのに特によく適したマイクロ流体装置は、スライドバルブ装置である。

The sliding valve device can have a sliding layer and a fixed layer.
スライドバルブ装置は、スライド層および固定層を有することができる。

The sliding layer may be on top and the fixed layer may be on bottom.
スライド層が上部にあってもよく、固定層が下部にあってもよい。

Alternatively, the sliding layer may be on bottom and the fixed layer may be on top.
あるいは、スライド層が下部にあってもよく、固定層が上部にあってもよい。

In some embodiments, the sliding valve has a channel.
いくつかの態様では、スライドバルブはチャネルを有する。

The channel can have an opening at one end that（＊離れた先行詞）interacts with an opening in a chamber and the channel can also have an opening at the other end that interacts with an opening in a side channel.
チャネルは、チャンバの開口部と相互作用する開口部を一端に有することができ、チャネルはまた、側面チャネルの開口部と相互作用する開口部を別の端に有することができる。

US10507319
As shown in FIG. 7C, slot 180 may have a lip 181 on one end which（＊離れた先行詞）limits the orientation of the blade 178 to a single orientation for insertion into slot 180 , for example when inclined surface 184 of blade 178 is adjacent to the lip 181 .
図7Cに示すように、スロット180は、例えばブレード178の傾斜面184がリップ181に隣接しているときに、スロット180に挿入するブレード178の向きを単一の向きに制限するリップ181を一端に有してもよい。

US11370833
Each light chain has a variable domain at one end (VL ) and a constant domain at its other end;
各軽鎖は、一端に可変ドメイン（Ｖ_Ｌ）、そしてその他方の端に定常ドメインを有し、

the constant domain of the light chain is aligned with the first constant domain of the heavy chain, and the light chain variable domain is aligned with the variable domain of the heavy chain. 
軽鎖の定常ドメインは重鎖の第１定常ドメインと整合され、軽鎖の可変ドメインは重鎖の可変ドメインと整合される。

US2020049455
[1054] 174. A viewing optic comprising:
[0890] １７４．観察光学機器であって、

[1055] a body having an objective lens system at one end that（＊離れた先行詞）focuses a target image from an outward scene,
外部シーンからの標的画像を合焦させる対物レンズ系を一端に有する本体と、

[1056] an ocular lens system at the other end of the body
本体のもう一方の端にある接眼レンズ系と、

and a movable erector tube with an erector lens system located between the objective and ocular systems,
対物レンズと接眼レンズ系の間に位置付けられた正立レンズ系を有する可動正立チューブとを備え、

EP3861498
 The anchor clamp 500 includes a main body 502 having at one end a pair of levers or grips 504 at one end and, at its other end, an anchor coupler 506. 
アンカークランプ５００は、一端に一対のレバーまたは把持部５０４を一端に有し、その他端にアンカーカプラ５０６を有する本体５０２を含む。

US2020077703
For example, an aerosol delivery device can possess at one end a control body (or power unit) comprising a housing containing one or more components (e.g., a battery and various electronics for controlling the operation of that article),
例えば、エアロゾル送達装置は、１つ以上の構成要素（例えば、その物品の動作を制御するための電池および様々な電子機器）を収容するハウジングを含む制御本体（または電源ユニット）を一端に有し、

and at the other end and removably attached thereto an outer body or shell containing aerosol forming components (e.g., one or more aerosol precursor components, such as flavors and aerosol formers, one or more heaters, and/or one or more wicks).
エアロゾル形成構成要素（例えば、香味およびエアロゾル形成剤などの１つ以上のエアロゾル前駆体成分、１つ以上のヒータ、および／または１つ以上のウィック）を収容する取り外し可能に取り付けられた外側本体またはシェルを他端に有することができる。

US10781516
[0024] Further, there are generally two main types of deposition showerheads, the chandelier type and the flush mount.
【００２４】
  さらに、一般には、２つの主要なタイプの蒸着シャワーヘッド、すなわち、シャンデリアタイプおよび埋め込みタイプがある。

The chandelier showerheads have a stem attached to the top of the chamber on one end and the faceplate on the other end, resembling a chandelier. 
シャンデリア型シャワーヘッドは、チャンバの上部に取り付けられたステムを一端に有し、フェースプレートを他端に有しており、シャンデリアのように見える。

遺品

US2008145299(ES)
[0008] Up to now, this had only been achieved from carbon obtained from the ashes of dead beings, by purifying the graphite in the ashes.
【０００８】
  今までのところ、これは、死体の灰分のグラファイトを精製することにより、その灰分から得られる炭素によって取得されただけである。

This practice, however, can only have a limited commercial reach, since it is necessary to wait for the death and later incineration of the being of which a memento is desired in the form of a crystal.
しかしながら、遺品が結晶の形で望まれる、生き物の死亡とその後の灰化を待つ必要があるので、これは限られた商業的利用範囲でのみ実施可能である。

Also certain groups see the process as immoral, for instance, those groups that see the marketing of post-incineration products as objectionable.
また、あるグループはその工程を不道徳であると見ており、例えば、そのグループは灰化後の生成物の売買について不賛成である。

金属樹脂複合

US2022224001(JP)
The present invention relates to an electronic device housing, a manufacturing method of the same, and a metal-resin composite.
本発明は、電子機器筐体、その製造方法および金属樹脂複合体に関する。

US2022158223(JP)
[0064] As shown in FIGS. 10 and 11, the first casing 3 and the second casing 13 are
【００５３】
  図１０、図１１に示すように、第１包装体３および第２包装体１３は、

each formed by stacking two sheets of a metal-resin composite film including a heat-resistant resin layer 3 a, the moisture-proof layer 3 b including a metal material (metal layer), and a thermally adhesive resin layer 3 c. 
耐熱性樹脂層３ａと金属材料を含む防湿層３ｂ（金属層）と熱接着性樹脂層３ｃとを有する金属樹脂複合フィルムを２枚重ねることで形成されている。

US2022143954(JP)
A metal-resin composite molded article has been also known, which includes

a polypropylene resin layer that is bonded to a metal base material through a hydrophilic surface formed on the metal base material,
【０００７】
  さらに、ポリプロピレン樹脂層が、金属基材に形成された親水性表面を介して該金属基材に接合され、

and a thermoplastic resin molded article is bonded to the polypropylene resin layer through solubilization with the polypropylene resin layer and an anchoring effect (see PTL 6).
熱可塑性樹脂成形体が、前記ポリプロピレン樹脂層との相溶化及びアンカー効果によって、該ポリプロピレン樹脂層と接合されてなる

金属樹脂複合成形体が知られている（特許文献６参照）。

動機付け、やる気

US8553791
A. Implemented Quad-Band Receiver Architecture

A difference in our initial implementation (FIG. 16) is that, for the receiver, each sub-band was broken in two, creating four quad-bands, and sampled at the same 244.4 MHz, for the purpose of 2× oversampling the signal. Thus, a quadriplexer and 4 narrower bandpass filters were implemented instead of a diplexer. Further, this design assumed the availability of channels 36 and 38, so the gap between bands is only 6 MHz (ch 37), making the antialiasing filters for the center 2 bands even more challenging. Since the sampling rates did not change, this design still aliased to baseband in the same way discussed previously.

 

Again, a motivation（＊動機付け）for this architecture was to achieve 2× oversampling, which may be useful depending on the design of the applications PHY layer. However, this quadband receiver design also yielded some other benefits including diversity against overload and independent band control. 

 

US8751572
A cell renderer may be used in IM client 1500 to render each incoming message in a message window. This can support rendering of and interaction with messages. The cell renderer can include elements that are customizable. A motivation（＊動機付け）for using a cell renderer for each message is that some messages can be set apart. For example, offline messages could have a different background color to visually set them apart from new conversation messages. Another example of a cell renderer would be a file transfer progress indicator. In the file transfer case, the cell renderer may show progress of the file transfer in progress. Cell renderers may be especially helpful when showing shared content such as a photo or application specific messages that could trigger an action on the current page.

 

US7404082
By implicitly deriving each content decryption key 150 from a program key 140 and a CKID, the key management hierarchy 200 allows the content decryption key 150 to change more frequently and independent of the ECM update rates. A motivation（＊動機付け）for having a content decryption key 150, instead of relying on the program key 140 for the same purpose, is to have an extra key level wherein a key is changed very frequently. This frequent change allows additional security in DRM systems that use inexpensive security chips for key management but do not support content decryption due to, for example, insufficient processing power and inability to keep up with the rate of delivery of content packets.

 

US9374806
The simplest way for PUCCH resource allocation in HARQ-ACK transmission would to configure PUCCH resources for the UEs. However, this would result in a lot of overhead by reserving many PUCCH resources for many UEs. For example, although some UEs can be scheduled on other DL subframes than a subframe A, the PUCCH resources for those UEs should be reserved in unused statuses on the subframe A. This is a main motivation（＊動機付け）for dynamic resource allocation using CCE-based approach.

///////

This effect would become more severe in HetNet (Heterogeneous Network) scenario, e.g., macro-pica cells, and therefore the intercell interference coordination for PDCCH is almost impossible. This is one motivation（＊動機付け）to introduce new PDCCH (i.e. ePDCCH) in Rel-11 to make frequency domain eiCIC (enhanced inter-cell interference coordination) possible via frequency dependent scheduling.

 

US10057855
To harness the potential for increased data rates to meet increasing demand, wireless standards, such as the Third Generation Partnership Project (3GPP) Long Term Evolution (LTE) standards, provide specifications for CA. As an extension of those specifications, Working Group (WG) 1 of the Technical Specification Group (TSG) for the Radio Access Network (RAN) has discussed the introduction of a New Carrier Type for CA. Some motivations（＊動機付け）for introducing the NCT include enhanced spectral efficiency, improved support for a heterogeneous network, and energy efficiency.

 

US10756869
The automotive industry is currently researching and developing automated vehicles including road safety and driverless vehicles applications and with this comes a motivation（＊動機付け）to connect more vehicles with each other and with the Internet. There is a perceived need for a vehicle-to-vehicle (V2V) communication system capable of establishing communication links between vehicles allowing very rapid and very reliable communication, beyond what 4G wireless network technologies can currently provide.

 

US20210407318
The embodiments disclosed herein provide methods, systems, a computer readable storage medium and user interfaces for a digital assistant to intelligently and proactively provide training opportunities and assistance to a user by leveraging its natural language processing and intent processing capabilities, particularly in foreign language training and assistance, and/or in introducing locale-specific accents/slangs to the user. An intelligent digital assistant with multi-lingual capabilities can be more effective in foreign language training because it does not simply perform a direct literal translation of the user's input; instead, the training samples and foreign language assistance are provided based on user intent inferred based on the user's input. Intent inference may be contextual, and can utilize relevant information about the user's current needs from many different sources. Many limitations of direct translation (e.g., mistakes due to awkward and incorrect sentence structure, grammar, and usage in the input) may be avoided. In addition, digital assistants are aware of the current context associated with the user, and may provide more appropriate foreign language training exercises to the user for the current context and provide motivation（＊動機付け、やる気）and real life practice opportunities for the user's learning.

 

US9868041
With regard to the workout data service 118 and storage 122, in some examples, the physiologic data is processed at the workout data service 118. In one example, the physiologic data from one user is processed in view of physiologic data from other users to, for example, compare the users in terms of the physiologic data. In another example, the physiologic data is processed at the workout data service 118 to determine a suggested template change. For example, based on the processing at the workout data service 118, it may be suggested to change the clues to provide motivation（＊動機付け、やる気）at a particular portion of the workout. As another example, based on playlists associated with that workout by other users, a different playlist (or changes to the playlist) may be suggested for a particular workout.

 

US8847988
The technology described herein includes a see-through, near-eye, mixed reality display device for providing customized experiences for a user. The personal A/V apparatus serves as an exercise program that is always with the user, provides motivation（＊動機付け、やる気）for the user, visually tells the user how to exercise, and lets the user exercise with other people who are not present.

PVT特性

EP3810339
[0005] Downhole fluid properties are known to vary with temperature and pressure, and the characteristics of this variation is an important property of the downhole fluid.
【０００５】
  ダウンホール流体の特性は、温度および圧力によって変化することが知られており、この変化の特徴は、ダウンホール流体の重要な特性である。

This variation is described, for example, by the PVT (Pressure-Volume-Temperature) characteristics of the fluid which describe how the density varies with pressure and temperature, or by the viscosity variation with pressure and temperature. 
この変化は、例えば密度が圧力および温度によってどのように変化するかを説明する流体のＰＶＴ（圧力－体積－温度）特性によって、または、圧力および温度による粘度の変化によって説明される。

US9043795
 At decision block 512 , it is determined whether all settable conditions have been（＊完了形）evaluated.
判定ブロック512で、設定可能な条件がすべて評価されているかどうか判断される。

If all settable conditions have been evaluated, the sensor calibration process proceeds to block 516 .
設定可能な条件がすべて評価されている場合、センサ較正プロセスはブロック516へ進む。

At block 516 , a table or tables of crossover decision points is created for appropriate core combinations, PVT characteristics, and selected frequencies.
ブロック516で、交差判定ポイントの1つまたは複数のテーブルが、適切なコアの組合せ、PVT特性、および選択された周波数に関して作成される。

At block 518 , the sensor calibration process ends and system operations may be enabled.
ブロック518で、センサ較正プロセスが終了して、システムの動作が可能になり得る。

After being enabled, the OS scheduler 305 of FIG. 3 may schedule threads on the various cores employing the various calibrated sensor readings as described in more detail below.
動作可能になった後に、図3のOSスケジューラ305は、以下でより詳細に説明されるように、様々な較正されたセンサ読取り値を用いて様々なコアに対してスレッドをスケジュール設定することができる。

プラズマを生成；冠詞

US20100098882
The chamber body 102 can be made of a conductive material, thus serving as a shield for electronic emissions generated by the transformer plasma sources, since each transformer plasma source is within the processing chamber. This not only reduces unwanted emissions from the system, but also may allow the second power source 119 to operate at frequencies that would otherwise generate an unacceptable level of electronic noise emissions. In such an embodiment, it may be desirable to provide leads from the power source to the chamber that are shielded. The efficient coupling of the transformer plasma source(s) also allow a plasma to be generated over a wide range of pressure, such as from about 500 mTorr to about 10 Torr, and can generate plasma from a wide variety of precursors.

US7552736
In one embodiment, pressure in the chamber 100 is controlled by a vacuum pump 146 that maintains the lower process zone 132 at a sufficiently low pressure to draw plasma by-products out of the lower external plasma source 134 and maintain the external plasma source 134 at a sufficiently low pressure to enable it to efficiently generate plasma. Alternatively, the upper and lower process zones 130, 132 may be evacuated separately through separate slit openings near the wafer edge by separate pumps 210, 216. In this case, the vacuum pump 146 may not be necessary.

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In one embodiment, etching of films (e.g., an ultra low-K film) on the wafer front side is minimized or eliminated by maintaining a very high flow rate of a non-reactive purge gas (e.g., nitrogen or argon) through the ceiling gas distribution plate 104 into the upper process zone 130. This improves the polymer etch selectivity, i.e., the ratio of the polymer etch rate to the ultra low-K film etch rate. The purge gas flow rate may be as high as necessary to achieve a desired etch selectivity, raising the pressure of the upper process zone 130 to a very high level. The pressure in the lower process zone 132 is maintained at a sufficiently low level (e.g., a few Torr or less) to ensure efficient operation of the external plasma source 134. In order for the external plasma source 134 to generate a plasma, the chamber interior pressure of the external plasma source 134 typically should not exceed a few Torr, and because the external plasma source 134 is coupled directly to the lower process zone 132, the pressure in the lower process zone 132 should be maintained at a correspondingly low level. 

////////

FIG. 6 depicts an exemplary method that can be carried out in the reactor of FIG. 2. A first step (block 416) is to support the wafer on the pedestal 112 so as to expose a peripheral portion of the wafer back side while heating the wafer to on the order of 300 degrees C. A next step (block 418) is to define an upper process zone 130 above the wafer front side and a lower process zone 132 below the wafer back side with minimal migration of gas between the two zones by maintaining a wafer-to-sidewall gap at less than 2 mm. A further step (block 420) is to prevent accumulation of etch species or plasma at the wafer front side by maintaining a wafer-to-ceiling gap (the height of the upper process zone) at less than 2 mm. Another (block 422) step is to generate a first plasma in a lower external plasma chamber 134 with a polymer etchant precursor gas (e.g., oxygen), and introduce by-products (e.g., radicals, free oxygen) from the plasma into the lower process zone 132 so as to etch polymer from the wafer back side. 

US9695503
The showerhead 218 may generally be coupled to an interior side 220 of the lid 210. Gases (i.e., process gases and/or other gases) that enter the process chamber 200 pass through the showerhead 218 and into the process chamber 200. The showerhead 218 may be configured to provide a uniform flow of gases to the process chamber 200. Uniform gas flow is desirable to promote uniform layer formation on the substrate 203. A remote plasma source 205 can be coupled with the process volume 212 and a gas source 204. Shown here, a remote activation source, such as a remote plasma generator, is used to generate a plasma of reactive species which are then delivered into the process volume 212. Exemplary remote plasma generators are available from vendors such as MKS Instruments, Inc. and Advanced Energy Industries, Inc.

US20210260813
Accordingly, the term “discharge electric current” refers to an electric current provided by a power supply to a plasma source of a plasma treatment device. The term “electrode area” refers to an area of an electrode being part of a plasma source and used to generate plasma. The term “residence time” is to be understood as a period of time which a polymer film spends in a surface treatment device. In particular, the term “residence time” refers to a period of time, wherein plasma is applied on a surface of a polymer film or polymeric coating in a surface treatment device.

粒子を低減

US2022314541
[0418] In embodiments, the lower exhaust system 1090 is operated to draw air out of the build bay 1020 , such as out of the lower compartment 1024 of the build bay 1020 .
[0375] 実施形態では、下部排気システム１０９０がビルドベイ１０２０の下部区画１０２４からなど、ビルドベイ１０２０から空気を引き出すように動作する。

In these embodiments, fresh air is drawn into the lower compartment 1024 through the air inlets 1074 and is exhausted from the lower compartment 1024 through the lower exhaust system 1090 .
これらの実施形態では、新鮮な空気が空気注入口１０７４を通って下部コンパートメント１０２４に吸い込まれ、下部排気システム１０９０を通って下部コンパートメント１０２４から排気される。

The exhausted air passes through filter 1093 to remove particulates, such as particulates of build material, from the air.
排気された空気は、フィルタ１０９３を通過して、ビルド材料の微粒子などの微粒子を空気から除去する。

The air circulating through the lower compartment 1024 assists in preventing the buildup of heat in the lower compartment 1024 around the build receptacle 124 .
下部コンパートメント１０２４を通って循環する空気は、ビルド容器１２４の周囲の下部コンパートメント１０２４における熱の蓄積を防止するのを補助する。

In addition, exhausting air through the lower exhaust system 1090 may aid in reducing particulates of build material in the air in the lower compartment 1024 ,
さらに、下側排気システム１０９０を通して空気を排気することは、下側区画１０２４内の空気中のビルド材料の微粒子を低減するのに役立ち、

thereby reducing the potential of fouling the components of the additive manufacturing apparatus 100 . 
それによって、付加製造装置１００の構成要素を汚す可能性を低減することができる。

US10901121
[0010] Optical multilayer coatings are fluence-limited by imbedded nodular (convex) defects.
【００１０】
  [0010]光学的多層被膜は、埋め込まれた結節性（凸状）の欠陥によってフルエンスの制限を受ける。

The geometry of these nodular defects, combined with the interference nature of multilayer coatings, leads to light intensification within these defects, thus
これら結節性の欠陥の形状と多層被膜の干渉特性との組合せにより、これらの欠陥内で光が増幅されるため、

initiating laser damage, particularly in large optics with high power lasers.
特に高出力レーザを備えた大型光学素子において、レーザ損傷が引き起こされる。

To solve this problem, considerable research has addressed the source of the defects.
この問題を解決するため、相当な研究によって、欠陥の原因に対処してきている。

Improvements such as semi-automated cleaning systems, e.g. manual cleaning followed by ultrasonic cleaning, have reduced substrate contamination.
半自動洗浄システム、例えば手動洗浄後の超音波洗浄等の改良によって、基板の汚染を低減している。

Clean rooms have reduced contamination arising from movement of an optical component within a facility, as well as loading of the component into the coating chamber. 
クリーンルームによって、施設内における光学的構成要素の移動並びに被膜チャンバへの構成要素の装入に起因する汚染を低減している。

Load lock systems have also reduced particulates from transport and coating chamber pump-down. 
また、ロードロックシステムによって、移送及び被膜チャンバのポンプダウンによる微粒子を低減している。