封止、半導体

Encapsulation, Molded Underfill(MUF) Semiconductor encapsulation Molding compounds | CV8710, Panasonic

（対応日本語）

パッケージ封止、モールドアンダーフィル対応 半導体封止材 | CV8710、パナソニック

encapsulation resin:　封止樹脂

encapsulation material:　封止材

overmolding: 全体封止

US2021036700(Rohm)
[0072] The semiconductor device 1 further includes a lead 30 , a heat dissipation member 40 , and an encapsulation resin 50 (double-dashed line in FIG. 2).
半導体装置１は、リード３０、放熱部材４０、及び封止樹脂５０（図２では二点鎖線）をさらに備える。

The semiconductor device 1 is a single package formed by encapsulating the drive unit 10 and the control circuit 20 (both shown in FIG. 1) with the encapsulation resin 50 .
半導体装置１は、封止樹脂５０が駆動部１０及び制御回路２０（ともに図１参照）を封止することにより１パッケージ化されている。

The semiconductor device 1 is rectangular in a plan view.
半導体装置１は、平面視において矩形状に形成されている。

In the following description, a longitudinal direction of the semiconductor device 1 is defined as a first direction X,
以降の説明において、半導体装置１の長手方向を第１方向Ｘと規定し、

a direction orthogonal to the first direction X in a plan view of the semiconductor device 1 is defined as a second direction Y, and a direction orthogonal to both of the first direction X and the second direction Y is defined as a third direction Z.
 半導体装置１の平面視において第１方向Ｘと直交する方向を第２方向Ｙと規定し、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙの両方と直交する方向を第３方向Ｚと規定する。

The third direction Z can also be referred to as the thickness direction of the semiconductor device 1 .
第３方向Ｚは、半導体装置１の厚さ方向とも言える。

US2021151366(Rohm)
[0049] Referring to FIG. 1 to FIG. 15, a semiconductor device A 10 according to a first embodiment will be described.
【００２７】
  図１～図１５を参照しつつ、第１実施形態に基づく半導体装置Ａ１０について説明する。

The semiconductor device A 10 includes a first lead 11 , a second lead 12 , a third lead 13 , a plurality of fourth leads 14 ,
半導体装置Ａ１０は、第１リード１１、第２リード１２、第３リード１３、複数の第４リード１４、

a plurality of boot leads 15 , a plurality of control leads 16 , an integrated circuit or IC 20 , a plurality of first switching elements 31 , a plurality of second switching elements 32 , and a sealing resin 50 .
複数のブートリード１５、複数の制御リード１６、ＩＣ２０、複数の第１スイッチング素子３１、複数の第２スイッチング素子３２、および封止樹脂５０を備える。

The semiconductor device A 10 also includes a plurality of first wires 41 , a plurality of second wires 42 , a plurality of first gate wires 431 ,
さらに、半導体装置Ａ１０は、複数の第１ワイヤ４１、複数の第２ワイヤ４２、複数の第１ゲートワイヤ４３１、

a plurality of second gate wires 432 , a plurality of first potential wires 441 , a second potential wire 442 , a plurality of boot wires 45 , a ground wire 46 , and a plurality of control wires 47 .
複数の第２ゲートワイヤ４３２、複数の第１電位ワイヤ４４１、第２電位ワイヤ４４２、複数のブートワイヤ４５、接地ワイヤ４６および複数の制御ワイヤ４７を備える。

In FIG. 3, the mentioned elements are seen through the sealing resin 50 , for the sake of clarity (see dash-dot-dot lines).
図３では、理解の便宜上、封止樹脂５０を透過して示している（二点鎖線参照）。

FIG. 9 to FIG. 15 are cross-sectional views taken along dash-dot lines (IX-IX, X-X, and so forth) in FIG. 3.
図９～図１５は、図３に示す一点鎖線（ＩＸ－ＩＸ、Ｘ－Ｘ、等）に沿う断面図である。

US2021098346(Rohm)
[0087] As shown in FIGS. 1A to 3, a semiconductor device 1 includes a lead frame 10 , a semiconductor element 20 mounted on the lead frame 10 , and an encapsulation resin 30 that encapsulates part of the lead frame 10 and the semiconductor element 20 .
【００１７】
  （第１実施形態）
  図１（ａ）～図３に示すように、半導体装置１は、リードフレーム１０と、リードフレーム１０に実装された半導体素子２０と、リードフレーム１０の一部及び半導体素子２０を封止する封止樹脂３０とを有する。

The semiconductor element 20 includes a transistor connected to, for example, an inductive load and turns the transistor on and off.
半導体素子２０は、例えば誘導性負荷に接続されるトランジスタを含み、トランジスタをオンオフする。

Preferably, in the semiconductor device 1 , for example, the semiconductor element 20 has an ON resistance of 30 mΩ or less. One example of the ON resistance of the semiconductor element 20 is 28 mΩ.
半導体装置１は、例えば、半導体素子２０のオン抵抗が３０ｍΩ以下であることが好ましい。半導体素子２０のオン抵抗の一例は、２８ｍΩである。

The semiconductor device 1 is used in, for example, control circuitry of a vehicle on-board electric device.
半導体装置１は、例えば車載電装品の制御回路に用いられる。

Examples of a vehicle on-board electric device includes an engine, an air conditioning device, a steering device, and the like.
車載電装品の一例は、エンジン、空調装置、操舵装置等が挙げられる。

The encapsulation resin 30 is sized so that the dimension in the horizontal direction X is approximately 6.6 mm, the dimension in the vertical direction Y is approximately 6.1 mm, and the dimension in the thickness direction Z is approximately 2.3 mm.
封止樹脂３０のサイズとしては、横方向Ｘの寸法が約６．６ｍｍであり、縦方向Ｙの寸法が約６．１ｍｍであり、厚さ方向Ｚの寸法が約２．３ｍｍである。

The semiconductor device 1 may be used in a controller for a device other than a vehicle on-board electric device (e.g., outdoor unit of air conditioner).
なお、半導体装置１は、車載電装品以外の機器（例えば、空気調和機の室外機）の制御装置に用いられてもよい。

US202102434(Panasonic)
[0025] The resin powder has the above-described configuration, and therefore, when the resin powder is handled, friction of the spherical particles is less likely to be caused, so that fine particles are less likely to be produced.
【００１９】
  樹脂粉末は上記構成からなるので、樹脂粉末の取扱い時に、球状粒子同士は擦れ合いにくく、微粉が発生しにくい。

Therefore, when the resin powder is used as a semiconductor sealing material in a compression molding method, contamination of facilities, troubles in measurement, and the like due to scattering of fine particles are less likely to be caused.
そのため、樹脂粉末を圧縮成型方式の半導体用封止材として使用する場合、微粉の飛散による設備汚染、計量トラブルなどを招きにくい。

Moreover, the resin powder is not aggregates of conventional fragment particles but is aggregates of spherical particles and is thus not bulky.
さらに、樹脂粉末は、従来の破砕状粒子の集合体ではなく、球状粒子の集合体であるので、嵩高くない。

Therefore, when the resin powder is used as the semiconductor sealing material in the compression molding method, the resin powder is easily uniformly put in a cavity formed in a mold,
そのため、樹脂粉末を圧縮成型方式の半導体封止材として使用する場合、樹脂粉末を金型のキャビティに均一に装入しやすく、

and thus, it is possible to reduce the occurrence of poor appearance of a sealing resin obtained by melting and then curing the resin powder as compared to a case where the aggregates of the conventional fragment particles are used.
従来の破砕状粒子の集合体を用いる場合に比べて、樹脂粉末を溶融し硬化させてなる封止樹脂の外観不良の発生を抑制することができる。

US2020377715(Panasonic)
The present invention generally relates to an encapsulation resin composition, a laminated sheet, a cured product, a semiconductor device, and a method for fabricating the semiconductor device.
【０００１】
  本発明は、封止用樹脂組成物、積層シート、硬化物、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関し、

More particularly, the present invention relates to an encapsulation resin composition suitably used to hermetically seal the gap between a base member and a semiconductor chip, a laminated sheet,
詳しくは基材と半導体チップとの間の隙間を封止するために好適な封止用樹脂組成物、積層シート、

a cured product of the encapsulation resin composition, a semiconductor device including an encapsulant made of the cured product,
この封止用樹脂組成物の硬化物、この硬化物からなる封止材を備える半導体装置、

and a method for fabricating a semiconductor device including the encapsulant.
並びにこの封止材を備える半導体装置の製造方法に関する。

US2020365771(Panasonic)
[0007] As shown in FIG. 28, semiconductor device 200 includes semiconductor layer 210 including p-type layer 211 , active layer 212 and n-type layer 213 ;
【０００７】
  図２８に示すように、半導体装置２００は、ｐ型層２１１、活性層２１２およびｎ型層２１３からなる半導体層２１０と、

p-side electrode 220 connected to p-type layer 211 ; and n-side electrode 230 connected to n-type layer 213 ;
ｐ型層２１１に接続されたｐ側電極２２０と、ｎ型層２１３に接続されたｎ側電極２３０と、

p-side seed layer 241 and p-side electrode pillar 242 stacked on p-side electrode 220 ;
ｐ側電極２２０に積層されたｐ側シード層２４１およびｐ側電極ピラー２４２と、

n-side seed layer 251 and the n-side electrode pillar 252 stacked on n-side electrode 230 ; and sealing resin body 260 that covers the aforementioned elements.
ｎ側電極２３０に積層されたｎ側シード層２５１およびｎ側電極ピラー２５２と、これらを覆う封止樹脂体２６０とを備える。

In p-side electrode pillar 242 and n-side electrode pillar 252 , the crystal grain size at the first end on the side of semiconductor layer 210 is
ｐ側電極ピラー２４２およびｎ側電極ピラー２５２では、半導体層２１０側の第１端部の結晶粒径が、

smaller than the crystal grain size at the second end on the side opposite to semiconductor layer 210 .
半導体層２１０とは反対側の第２端部の結晶粒径よりも小さくなっている。

As a result, as compared with the case where the crystal grain size is large in entire p-side electrode pillar 242 and n-side electrode pillar 252 ,
これにより、ｐ側電極ピラー２４２およびｎ側電極ピラー２５２の全体において結晶粒径が大きい場合と比較して、

it is possible to absorb the thermal stress and obtain semiconductor device 200 having high resistance to the thermal stress.
熱応力を吸収することができ、熱応力に対する耐性が高い半導体装置２００が得られるとされている。