容量蓄積

US9473720(OLYMPUS CORP [JP])
[0092] On the other hand, an S/N when signal charges held in a capacitor storage unit are read from a pixel via an amplification transistor is Qph/Qn as in the conventional technology.
【００８５】
  一方、従来技術のように、容量蓄積部に保持された信号電荷を、増幅トランジスタを介して画素から読み出す場合のS/NはQph/Qnとなる。

Accordingly, the S/N of this embodiment is A×α1×α2 times the S/N of the conventional technology.
したがって、本実施形態のS/Nは従来技術のS/NのA×α1×α2倍となる。

It is possible to reduce the deterioration of signal quality by setting capacitance values of the analog memories 231 , 232 , 233 , and 234 so that A×α1×α2 is greater than 1 (for example, by setting the capacitance values of the analog memories 231 , 232 , 233 , and 234 to values sufficiently greater than that of the charge holding unit 230 ).
A×α1×α2が1よりも大きくなるようにアナログメモリ231，232，233，234の容量値を設定する（例えば、アナログメモリ231，232，233，234の容量値を電荷保持部230の容量値よりも十分大きくする）ことによって、信号品質の劣化を低減することができる。

US9955100(FUNDACIO INST DE CIENCIES FOTÒNIQUES [ES])
[0009] After APSs, the second largest portion of the market of image sensors is occupied by charged-coupled devices (CCDs) which, although also using a photodiode for light collection, their manufacturing and operation is quite different from that of APSs.
【０００８】
  ＡＰＳの次に、画像センサ市場の２番目に大きい部分を占めるのは電荷結合デバイス（ＣＣＤ）であり、光収集にはやはりフォトダイオードを使用するが、製作および動作がＡＰＳとは全く異なるものである。

In a CCD the charge generated by the collection of photons at a given pixel, and initially stored in a capacitive storage element in said pixel, is then transferred from within the device to a processing area where it can be converted to an electrical signal. 
ＣＣＤでは、所与の画素において光子を収集することによって電荷が生成され、最初に前記画素の容量性蓄積要素に蓄積され、次いでデバイスの内部から加工領域へ転送されて電気信号に変換され得る。

US9736414(E2V SEMICONDUCTORS [FR])
[0003] The pixel mainly comprises a photodiode and MOS transistors, for example four transistors, which make it possible to drive the reading of the charge generated by the light in the photodiode.
【０００３】
  画素は、主としてフォトダイオード及びＭＯＳトランジスタ、例えば４つのトランジスタを含み、これらのトランジスタは、フォトダイオードにおける光によって生成された電荷の読み出しを駆動できるようにする。

The pixels with four transistors operate by transferring charge from the photodiode to a capacitive storage node previously initialized to a reinitialization potential;
４つのトランジスタを備えた画素は、フォトダイオードから、前に再初期化電位に初期化された容量性蓄積ノードへと電荷を転送することによって動作する。

the reading of the pixel in general comprises the carrying over onto the column conductor of the reinitialization potential and then of the potential of the storage node representative of the light level received by the pixel.
一般に、画素の読み出しは、再初期化電位の、且つ次に画素によって受信された光レベルを表す蓄積ノードの電位の列導体へのキャリーオーバを含む。

US11012649(RAMBUS INC [US])
[0203] The image sensor architecture of FIG. 32 permits a number of other improvements/modifications that may further improve performance. For example, the CDS signal range may be split into three or more regions (instead of just two), with the S/H bank count and ADC operation count being correspondingly increased. As another example, capacitive storage elements in both the low-signal and high-signal S/H banks can be made smaller than in more conventional designs to further improve settling time and reduce circuit area. More specifically, the input-referred noise of the S/H capacitors of the low signal bank is reduced by the FGA gain so that smaller-sized capacitors do not impose a noise penalty. The size of the S/H capacitors for the larger signal bank is selected so that kTC noise will not be discernable in view of the photon shot noise of the higher signal.