今後は

US8364231
"The electrode surface of an implantable lead is typically exposed, allowing it to contact or be in close proximity to the desired surface of the tissues or surrounding fluids. Such exposed electrodes have a fundamental disadvantage with tissue ingrowth. The ingrowth and anchoring of tissue into the exposed coil makes the lead difficult to extract and may also adversely affect electrical performance of the lead. Various electrode coverings have been suggested to eliminate or minimize tissue attachment to the electrode. Defibrillation electrodes provided with coverings of porous polymeric materials including polyurethane and polytetrafluoroethylene (hereinafter PTFE) have been described, wherein the penetration of bodily fluids permits electrical conduction through the porous polymer even though the covering itself may be electrically non-conductive. Various electrically conductive coverings such as porous polymeric materials having void spaces partially filled with conductive materials (e.g., carbon) have also been described. These porous coverings may be treated to improve wettability and conductivity. "

埋め込み可能なリードの電極表面は一般に露出しているため、組織の望む表面や周囲の流体と接触させること、または近接した状態にすることができる。露出したこのような電極は、基本的に組織の内部成長にとって不利である。露出したコイルの中へと組織が成長して固着するとリードを引き抜くことが難しくなるとともに、リードの電気的性能に悪い影響が及ぶ可能性もある。電極への組織の付着をなくすか最少にするため、さまざまな電極カバーが提案されている。多孔性ポリマー材料（例えばポリウレタン、ポリテトラフルオロエチレン（今後はPTFEと表記）など）からなるカバーを有する除細動用電極として、カバーそのものが非導電性であっても体液の浸入により多孔性ポリマーに電気を流せるものが報告されている。さまざまな導電性カバー（例えば、空隙があってその一部に導電性材料（例えば炭素）を満たした多孔性ポリマー材料）も報告されている。このような多孔性カバーは、処理によって湿潤性と導電性を改善することができよう。

WO2017131926
"[0045] Our in vivo MADR efficiency experiment indicates that diluting the concentration of donor construct possibly mimics single-substrate-based recombination reactions that occur in double-transgenic GEMMs with floxed loci and Cre-recombinase (Fig. If). We demonstrated the potential to expeditiously and flexibly combine two broad modes (GOF/LOF) of tumor mutations. All in all, we have introduced a new technique to produce stable, defined copy number, somatic mosaicism in mice with EP. The intrinsic features of MADR compared favorably with existing methods for in vivo mouse genetic manipulation using other methods (Table 2). Going forward, if the desired donor element is sufficiently small in size, non-integrating viral vectors can be used, expanding the number of tissues that can be targeted."

本発明のインビボのＭＡＤＲ効率実験は、ドナーコンストラクトの濃度の希釈が、おそらく単一基質ベースの組換え反応（それはｆｌｏｘ遺伝子座及びＣｒｅリコンビナーゼによる二重遺伝子導入ＧＥＭＭにおいて起こる）を模倣することを示す（図１ｆ）。本発明者は、迅速にかつ柔軟に腫瘍突然変異の２つの広範囲のモード（ＧＯＦ／ＬＯＦ）を組み合わせることが可能であることを実証した。全体として見れば、本発明者は、ＥＰによりマウスにおいて安定的な定義されたコピー数の体細胞モザイク性を産生する新しい技法を導入した。ＭＡＤＲの固有の特色を、他の方法を使用するインビボのマウス遺伝子操作のための既存の方法と有利に比較した（表２）。今後は、所望されるドナーエレメントのサイズが十分に小さいならば、組み込まれないウイルスベクターを使用し、標的化できる組織の数の増やすことができる。

WO2017087582
"Here, we introduce an alternative and more specific peptide sequence with high potential for immunotherapy. DCpep specifically targets DCs but not any other immune cells or nonimmune cells. To assess translational implications, we mostly used human immune cells to differentiate targeting characteristics of the fusion tags. DCpep only delivered intact GFP antigen to DCs but not any other APCs or immune cells or non-immune cells. Consistent with this finding, DCpep-GFP failed to target gut epithelial cells in vivo. Systemic delivery most likely resulted from uptake by M cells. Going forward, one can now design immune tolerance and vaccine protocols based on specific delivery to DC, which have critical functions in Treg induction and immune stimulation, depending on activation signals."

 ここでは、免疫療法の可能性の高い、代替の、および、より特異的なペプチド配列を紹介する。ＤＣｐｅｐは、ＤＣを、特異的に、標的とするが、他の免疫細胞または非免疫細胞を標的としない。翻訳の影響を評価するために、我々は、融合タグの標的特性を区別するために、主として、ヒト免疫細胞を使用した。ＤＣｐｅｐは、完全なＧＦＰ抗原のみを、ＤＣに送達したが、他のいずれのＡＰＣまたは免疫細胞または非免疫細胞には送達しなかった。この発見と一致して、ＤＣｐｅｐ−ＧＦＰは、インビボで、腸管上皮細胞を標的化することはできなかった。全身送達は、Ｍ細胞による取込みに起因する可能性が最も高い。今後は、活性化シグナルに依存して、Ｔｒｅｇ誘導および免疫刺激において、重要な機能を有する、ＤＣに対する特異的送達に基づいて、免疫寛容およびワクチンプロトコルを設計することができる。

WO2015077671
"[0009] Future applications of the optimum performance level combination stored in the dynamic mitigation table may be monitored to identify an increase or decrease in the ambient environment temperature. That is, if the temperature reading of the sensor is higher after a certain duration than it was when the optimum performance level combination was last applied, the method may conclude that the ambient environment temperature has risen and, accordingly, adjust the optimum performance level combinations stored in the dynamic mitigation table such that combinations previously associated with lower target temperatures are associated with higher target temperatures moving forward. Similarly, if the temperature reading of the sensor is lower after a certain duration than it was when last applied, or the target temperature is reached more quickly than expected, the method may conclude that the ambient environment temperature has decreased and, accordingly, adjust the optimum performance level combinations stored in the dynamic mitigation table such that combinations previously associated with higher target temperatures are associated with lower target temperatures moving forward."

周囲環境温度の増減を識別するために、動的軽減テーブルに記憶された最適性能レベルの組合せの将来の適用が監視され得る。すなわち、センサーの温度読取値が、最適性能レベルの組合せが最後に適用されたときのものよりも、ある持続時間の後、高い場合、この方法は、周囲環境温度が上昇したと結論づけ、それに応じて、以前低い目標温度に関連付けられていた組合せが今後はより高い目標温度に関連付けられるように、動的軽減テーブルに記憶された最適性能レベルの組合せを調整することができる。同様に、センサーの温度読取値が、最後に適用されたときのものよりも、ある持続時間の後、低い場合、または、予想よりも速く目標温度に到達した場合、この方法は、周囲環境温度が低下したと結論づけ、それに応じて、以前高い目標温度に関連付けられていた組合せが今後はより低い目標温度に関連付けられるように、動的軽減テーブルに記憶された最適性能レベルの組合せを調整することができる。

WO2012109007
"Use Case 1 : Critical Terminal-Centric Services. An application might be designated as critical by the user or the service provider, or for example it might be government-mandated as a critical application. We expect that mobile terminals will increasingly be used to perform critical applications that involve authentication and security. For example, where enhanced 911 service is a government-mandated emergency service, ensuring a power reserve for its possible use may be a critical requirement. In further examples, specialized biometric sensors are now being integrated into certain handsets for authentication purposes, and we expect that such authentication-related sensors will become standard components of handsets in the future."

ユース・ケース１：クリティカルな端末中心のサービス。アプリケーションは、ユーザまたはサービス・プロバイダによってクリティカルと指定される場合があり、またはたとえばクリティカルなアプリケーションとして政府によって指定される場合がある。モバイル端末は、認証およびセキュリティを含むクリティカルなアプリケーションを実行するためにますます使用されるようになると予想される。たとえば、拡張９１１サービスが、政府によって指定された救急サービスである場合に、それに使用する可能性のために電力の予備を確保することは、クリティカルな要件となることがある。さらなる例においては、専用のバイオメトリック・センサが、認証の目的で特定のハンドセット内に統合されており、そのような認証関連センサは、今後はハンドセットの標準的なコンポーネントになるであろうと予想される。

放熱性

WO2015095808
"[0065] It has been found that, an EUV mask having a silicon wafer or metallic substrate, or other low thermal expansion and high thermal conductivity substrates, can be fabricated thinner and larger, and can have better heat dissipation, resulting in reduction of mask defects. Textures of the ESC holding the EUV mask can reduce particle contamination of the substrate. The lithography system having the EUV mask and chuck assembly can print precise pattern or multiple patterns on the chip wafers, resulting in reduction of defects, decreasing manufacturing cost, and utilization of larger format mask.

[0066] The resulting method, process, apparatus, device, product, and/or system is straightforward, cost-effective, uncomplicated, highly versatile, accurate, sensitive, and effective, and can be implemented by adapting known components for ready, efficient, and economical manufacturing, application, and utilization."

 シリコンウェハ又は金属基板を有するＥＵＶマスク、又は他の低熱膨張・高熱伝導率基板は、より薄く、より大きく製造することができ、より良好な放熱性を有することができ、マスク欠陥の低減をもたらすことが見出された。ＥＵＶマスクを保持するＥＳＣのテクスチャは、基板の粒子汚染を低減することができる。ＥＵＶマスク及びチャックアセンブリを有するリソグラフィーシステムは、チップウェハ上に正確なパターン又は複数のパターンを印刷することができ、その結果、欠陥の削減、製造コストを減少、より大きなフォーマットのマスクの使用をもたらす。
【００６２】
  得られた方法、プロセス、装置、デバイス、製品、及び／又はシステムは、簡単で、費用対効果が高く、複雑でなく、汎用性が高く、正確で、敏感で、かつ効果的であり、準備のできた、効率的な、かつ経済的な製造、応用、及び利用に公知のコンポーネントを適合させることによって実施することができる。

US6614056
"One of the advantages of this structure is that the LED has better heat sinking since the LED's generated heat is close to the bonding interface 121 and heat can be effectively transferred to the submount 122. The submount can have a high thermal conductivity and is of a larger surface area that the LED chip substrate 123. Also, if a semi-transparent layer is used for the second spreader layer 124, the flip-chip geometry allows for a reflector to be integrated with the semi-transparent layer to reduce the overall optical loss of the second spreader 124 and reflect light towards the substrate 123. "

この構造の利点の１つは、ＬＥＤの発熱位置が結合界面１２１に近く、熱がサブマウント１２２に効果的に伝達されるため、ＬＥＤが、より良好な放熱性（heat sinking）を有することである。サブマウントは高い熱伝導率を有することができ、ＬＥＤチップ基板１２３よりも表面積が大きい。さらに、第２のスプレッダ層１２４に対して半透過層を使用する場合には、フリップチップ図形によって、反射器を半透過層と一体化して、第２のスプレッダ１２４の全体的な光損失を低減し、基板１２３に向かって光を反射させることができる。

WO2014023929
"Preferably, the aluminium may be an aluminium alloy with a high copper content, up to 5%, which gives good heat dissipation properties and good bearing qualities. A preferred aluminium is that designated as aluminium 2618. In further developments of the invention, one or both of the interface surfaces of the valve body 5 and the valve housing 8 may be provided with a hard coating such as anodised aluminium, a ceramic or silicon carbide coating such as Nikasil (a registered trademark), a DLC (Diamond like Carbon) coating or a plasma nitride treatment."

好ましくは、アルミニウムは、５％以下の高い銅含有量を有するアルミニウム合金であってよく、これにより良好な放熱性と良好な軸受品質とが得られる。好ましいアルミニウムは、２６１８アルミニウムとして指定される。本発明のさらなる発展において、バルブボディ５とバルブハウジング８の一方または両方の接触面は、陽極酸化アルミニウム、Ｎｉｋａｓｉｌ（登録商標）のようなセラミック又はシリコンカーバイドコーティング、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）コーティング、又は、プラズマ窒化処理のような硬化被膜を設けることができる。

WO2014018538
"[0017] Fig. 2A illustrates a packaging arrangement 200a where a hole 214 is defined within a substrate 106. The packaging arrangement 200 includes an SOC die 102 and a memory die 104 that includes two attached memory dies 104a, 104b, as previously described. As can be seen, wire bonds 112 are utilized to provide various connections between the SOC die 102, the memory die 104 and/or the substrate 106. A heat sink 216 is provided and attached to the memory die 104. The heat sink 216 is attached to the memory die 104 via an appropriate epoxy or glue. Solder balls 108 are provided on the substrate 106 so that the packaging arrangement 200 can be attached to another substrate such as, for example, a PCB, another substrate, etc. (not illustrated). The SOC die 102 is attached to the memory die 104 via an appropriate epoxy or glue. As can be seen, when the memory die 104 is attached to the substrate 106 (via an appropriate epoxy or glue), the SOC die 102 extends into the hole 214. The packaging arrangement 200a illustrated in Fig. 2A generally provides good cost benefits, good heat dissipation for the SOC die 102 and very good heat dissipation for the memory die 104 due to the location of the heat sink 216 adjacent to the memory die 104. Additionally, the packaging arrangement 200a provides for improved VDD/ground access."

 図２Ａは、基板１０６内でホール２１４が画定される実装装置２００ａを図示している。前述したように、実装装置２００は、ＳＯＣダイ１０２、及び、２つのくっ付いたメモリダイ１０４ａ、１０４ｂを含むメモリダイ１０４を含む。見ての通り、複数のワイヤボンド１１２は、ＳＯＣダイ１０２、メモリダイ１０４、及び／または基板１０６の間に様々な接続を提供すべく使用される。ヒートシンク２１６が設けられ、メモリダイ１０４に取り付けられる。ヒートシンク２１６は、適切なエポキシまたは接着剤によってメモリダイ１０４に付着される。複数のはんだボール１０８が基板１０６上に設けられて、実装装置２００が、例えば、ＰＣＢ、別の基板、等（図示せず）の別の基板への取り付けができるようにする。ＳＯＣダイ１０２は、適切なエポキシまたは接着剤によってメモリダイ１０４に付着される。見ての通り、メモリダイ１０４が基板１０６に付着される場合（適切なエポキシまたは接着剤によって）、ＳＯＣダイ１０２はホール２１４へと延びる。図２Ａに示す実装装置２００ａは、ヒートシンク２１６をメモリダイ１０４に隣接して位置付けたことにより、よい費用効果と、ＳＯＣダイ１０２の良好な放熱性と、メモリダイ１０４の非常に良好な放熱性と、を一般に提供する。加えて、実装装置２００ａは改良されたＶＤＤ／グラウンドへのアクセスを提供する。

配線

"Electrical wiring （＊配線、無冠詞：技術、実施）is an electrical installation（＊電気的配置、配設、不定冠詞：実施の具体的一例）of cabling and associated devices such as switches, distribution boards, sockets, and light fittings in a structure.

Wiring is subject to safety standards for design and installation. Allowable wire and cable types and sizes are specified according to the circuit operating voltage and electric current capability, with further restrictions on the environmental conditions, such as ambient temperature range, moisture levels, and exposure to sunlight and chemicals." (Electrical wiring, Wikipedia)

電流を流せる

US9268155
"“Rechargeable” or “Re-energizable” as used herein, refers to a capability of being restored to a state with higher capacity to do work. Many uses described herein may relate to the capability of being restored with the ability to flow（＊他動詞）electrical current at a certain, pre-established time period. "

 本明細書で使用するとき、「エネルギー再印加」又は「再充電」とは、仕事を行うためのより高い能力を有する状態までエネルギー源を回復するための能力を指す。本明細書に記述されている多くの使用は、装置を、特定の所定の時間に特定の速さで電流を流せる能力まで復旧することに関係する。

US2018181202
"[0030] In embodiments that deliver haptic effects using TES, a small electrical current flows from the first electrode 102, through the protective layer 110, and into the user's 116 skin. In these embodiments, the protective layer 110 is formed with a material that has at least a limited amount of conductance to allow very low levels of electrical current to flow through it. The charges passing into the user's 116 skin stimulates receptors in the user's 116 nerves causing a tingling sensation, which delivers the haptic effect. In exemplary embodiments, the level of electrical current that flows from the first electrode 102 and into the user's 116 skin is in the range from about 1 mA to about 4 mA. In another exemplary embodiment, the level of current that flows from the first electrode 102 and into the user's 116 skin is in the range from about 2.5 mA to about 4 mA, which provides TES strong enough that a user 116 will feel the haptic effect even with distractions in the environment around them. "

 TESを使用して触覚効果を伝達する実施形態において、小さい電流が第1の電極102から、保護層110を通り、ユーザ116の皮膚内に流れ込む。これらの実施形態では、保護層110は、非常に低いレベルの電流を流せるように少なくとも限られた大きさのコンダクタンスを有する材料で形成される。ユーザ116の皮膚内に入った電荷は、ユーザ116の神経内の受容体を刺激してちくちくした感覚を引き起こし、これが触覚効果をもたらす。例示的な実施形態において、第1の電極102からユーザ116の皮膚内に流れる電流のレベルは、約1mAから約4mAの範囲内にある。別の例示的な実施形態において、第1の電極102からユーザ116の皮膚内に流れる電流のレベルは、約2.5mAから約4mAの範囲内にあり、これは、ユーザ116がその周りの環境内に気を逸らすものがあっても触覚効果を感じられる十分に強いTESをもたらす。

WO2017184760
"The electrochemical embodiments are described further. The method of making can be based on a electrochemical cell apparatus which can be galvanic (spontaneous reaction) or electrolytic (non-spontaneous reaction). Preferably, the method makes use of a galvanic reaction using a galvanic cell apparatus. Preferably, the reaction is a spontaneous redox reaction. A galvanic reaction is generally known in the art as a spontaneous redox reaction wherein one moiety is oxidized and another moiety is reduced. The moieties are connected electrically to allow current to flow and the redox reaction to occur. A multimeter can be used to measure voltage and current flow for such a reaction. No external electrical potential is needed to induce the spontaneous reaction in a galvanic reaction. However, an external electrical potential can be used to control or modify the galvanic reaction, while the reaction is still called a "galvanic reaction" or a "spontaneous reaction." The discharge of the current flow can be regulated. The galvanic reaction can be a source of power, voltage, and current, and these reactions can be used to power other systems and loads as known in the art."

電気化学的な実施態様について更に述べる。この製造方法には電気化学電池装置を用いることができ、該装置としてガルバニック電池（自発的反応）又は電解電池（非自発的反応）が利用できる。この方法は、ガルバニック電池装置を用いるガルバニック反応を利用するものであることが好ましい。前記反応は、好ましくは自発的な酸化還元反応である。ガルバニック反応が自発的酸化還元反応であることは、当該技術分野で広く知られており、一方の部分が酸化されれば、他方の部分は還元される。これら各部分を電気的に結合して電流を流せる様にすると、酸化還元反応が進行する。この反応における電圧と電流を測定するために、マルチメーターを使用することができる。ガルバニック反応では、自発的反応を開始させるための外部電位は不要であるが、ガルバニック反応を制御又は変調させるために外部電位を用いることは可能であり、この場合でも当該反応は「ガルバニック反応」又は「自発的反応」と称される。放電も制御可能である。ガルバニック反応は電力源、電圧源、電流源となり得るもので、この反応は当該技術分野において公知である如く、他のシステムや負荷への給電に用いることができる。

高放熱

WO2011112795
"[00264] The passive parameter variation compensation may be advantageous for many applications. A passive compensation method may be less expensive and simpler than an active tuning method since no active sensors and no control or controller may be needed. A passive compensation method may be advantageous for applications where traditional controllers and sensors may not function or may be difficult to deploy. High temperatures, high radiation environments may make digital or analog active monitoring and control circuitry impractical or impossible to deploy. A passive compensation method may have higher reliability, may be smaller and less expensive, because it requires fewer net components to achieve system performance stabilization."

 受動パラメータ変動補償は、多数の用途に対して好都合であり得る。受動補償方法は、能動センサーおよび制御またはコントローラが必要でない可能性があるため、能動調整方法よりも費用が安く、かつ簡略であり得る。受動補償方法は、従来型のコントローラおよびセンサーが機能し得ないか、または配備が困難であり得る適用例に対して好都合であり得る。高温、高放熱環境では、デジタルまたはアナログの能動監視および制御回路が実用的でないか、または配備不可能になり得る。受動補償方法は、より高い信頼性を持ち得、システム性能安定化を達成するために必要とする正味コンポーネントがより少ないので、より小型で費用がより安い可能性がある。

WO2010059508
"[0009] Thus, this invention provides, among other things, a flame retardant comprised of synthetic hydrogarnet optionally modified by inclusion of silicate and/or phosphate ions in its crystal structure. Also provided by this invention is a flame retardant as just described further characterized in that the crystal structure of the flame retardant is related to hydrogarnet, i.e., Mπ3Mra2(OH)12. Such synthetic flame retardants can be characterized by providing enhanced heat release characteristics when incorporated in suitable concentration in ethylene-vinyl acetate test pieces which are subjected to combustion in a cone calorimeter. For example, time to reach a second heat release peak, if a second heat release peak is even reached, is longer and the heat release of the second maximum (if present) is lower. The absence of a second peak or its lower maximum value is a consequence of a stronger char formation, preventing burnable gases to enter the gas phase and to feed the flame."

このように、本発明は、とりわけ、その結晶構造にケイ酸塩及び／又はリン酸塩を含むことによって任意に変性変性される合成ハイドロガーネットを含む難燃剤を提供する。又、本発明が提供する難燃剤は、難燃剤の結晶構造がハイドロガーネット、即ちＭＩＩ３ＭＩＩＩ２（ＯＨ）１２に関連していることを特徴とすることを更に記載される。この種の合成難燃剤は、円錐型熱量計での燃焼を受けるエチレンビニルアセテート試験片に好適な好適な濃度で組み込まれる際に高放熱特性を提供することを特徴とされる。例えば、第２放熱ピークに達し得るならば、第２放熱ピークに着くまでの時間は長く、第２最大放熱（あるとして）は低い。第２ピーク若しくはその低い最大値が存在しないということは、チャー形成の帰結であり、可燃性の気体がその気相に進入して発火するのを防ぐ。

ことが多くなっている

WO2016207636
"Over the last decade high-resolution ultrasound (US) of joints, particularly when combined with power Doppler (PDUS) assessment, has been increasingly employed in the assessment of inflammatory arthritis. Evidence of inflammatory activity can be seen in clinically uninflamed joints,2 indicating that US has superior sensitivity to clinical examination. Furthermore, the presence of active synovial inflammation as determined by power Doppler signal has been shown to be predictive of joint damage.3'4 PDUS images vascular activity in the synovium and has been shown to correlate with histologically determined synovial vascularity5 and inflammation.6"

過去１０年間にわたって、特にパワードプラ（ＰＤＵＳ）評価と組み合わせたとき、関節の高分解能超音波（ＵＳ）が炎症性関節炎の評価に用いられることが多くなっている。炎症性活性の証拠を臨床的には非炎症性の関節において見ることができ、２ＵＳが臨床検査より優れた感度を有することを示している。更に、パワードプラシグナルにより決定された活性滑膜炎症の存在は、関節損傷の予測であることが示されている。３，４ＰＤＵＳは、滑膜における血管活性を画像化し、組織学的に決定された滑膜血管分布５および炎症６と相関することが示されている。

WO2016168592
"Amyotrophic lateral sclerosis (ALS) is a fatal neurodegenerative disease characterized clinically by progressive paralysis leading to death from respiratory failure, typically within two to three years of symptom onset (Rowland and Shneider, N. Engl. J. Med., 2001, 344, 1688-1700). ALS is the third most common neurodegenerative disease in the Western world (Hirtz et al., Neurology, 2007, 68, 326-337), and there are currently no effective therapies. Approximately 10% of cases are familial in nature, whereas the bulk of patients diagnosed with the disease are classified as sporadic as they appear to occur randomly throughout the population (Chio et al., Neurology, 2008, 70, 533-537). There is growing recognition, based on clinical, genetic, and epidemiological data, that ALS and frontotemporal dementia (FTD) represent an overlapping continuum of disease, characterized pathologically by the presence of TDP-43 positive inclusions throughout the central nervous system (Lillo and Hodges, J. Clin. Neurosci., 2009, 16, 1131-1135; Neumann et al., Science, 2006, 314, 130-133)."

筋萎縮性側索硬化症（ＡＬＳ）は、概して発症後２〜３年以内に呼吸不全による死亡を引き起こす進行性麻痺によって臨床的に特徴付けられる致命的な神経変性疾患である（Ｒｏｗｌａｎｄ  ａｎｄ  Ｓｈｎｅｉｄｅｒ，  Ｎ．Ｅｎｇｌ．Ｊ．Ｍｅｄ．，２００１，３４４，１６８８−１７００）。ＡＬＳは西欧諸国では３番目に高頻度に認められる神経変性疾患（Ｈｉｒｔｚ  ｅｔ  ａｌ．，Ｎｅｕｒｏｌｏｇｙ，２００７，６８，３２６−３３７）であり、現在のところ有効な治療法はない。症例の約１０％は家族性の性質であるが、患者が集団の全体を通じてランダムに存在すると考えられるため、この疾患と診断された患者の大半は散発性と分類される（Ｃｈｉｏ  ｅｔ  ａｌ．，Ｎｅｕｒｏｌｏｇｙ、２００８、７０、５３３−５３７）。臨床学的、遺伝学的、及び疫学的データに基づいて、ＡＬＳ及び前頭側頭型痴呆（ＦＴＤ）が、中枢神経系全体のＴＤＰ−４３陽性封入体の存在によって病理学的に特徴付けられる疾患の重なり合う連続体を示すと認識されることが多くなっている（Ｌｉｌｌｏ  ａｎｄ  Ｈｏｄｇｅｓ，Ｊ．Ｃｌｉｎ．Ｎｅｕｒｏｓｃｉ．，２００９，１６，１１３１−１１３５；Ｎｅｕｍａｎｎ  ｅｔ  ａｌ．，Ｓｃｉｅｎｃｅ，２００６，３１４，１３０−１３３）。

WO2016123578
"[0135] The CRISPR/Cas9 system has been used increasingly to edit mammalian germ-line sequence and cell-lines (1, 2). Considerable efforts are underway to employ this powerful system directly in primary human tissues, but efficiency has been limited, especially in primary hematopoietic cells, such as human CD4+ T cells. Plasmid delivery of cas9 and small guide RNAs (sgRNAs) was efficient in other cell types, but only ablated 1-5% percent of target protein expression in CD4+ T cells (3). Improved ability to ablate key targets and correct pathogenic genome sequences in human T cells has therapeutic applications, e.g., allowing T cells to be edited ex vivo and then reintroduced into patients."

CRISPR/Cas9システムは、哺乳類の生殖系列配列および細胞株を編集するために用いられることが多くなっている(1, 2)。初代ヒト組織において直接この強力なシステムを採用するために相当の努力が進められているが、特に、ヒトCD4+T細胞などの初代造血細胞では、効率は限定的である。cas9およびスモールガイドRNA(sgRNA)のプラスミド送達は、他の細胞型では効率的であったが、CD4+T細胞では、標的タンパク質発現の1〜5％を除去しただけである(3)。ヒトT細胞において重要な標的を除去し病原性ゲノム配列を修正する能力の改善は治療応用を有し、例えば、T細胞をエクスビボで編集し、次いで、患者内に再導入することを可能にする。

US8543354
"As of 1995, less than 5% of the Type I diabetic individuals in the United States were using infusion pump therapy. Over time, greater than 7% of the more than 900,000 Type I diabetic individuals in the U.S. began using infusion pump therapy. The percentage of Type I diabetic individuals that use an infusion pump is now growing at a rate of over 2% each year. Moreover, the number of Type II diabetic individuals is growing at 3% or more per year, and increasing numbers of insulin-using Type II diabetic individuals are also adopting infusion pumps. Physicians have recognized that continuous infusion can provide greater control of a diabetic individual's condition, so they are increasingly prescribing it for patients. "

１９９５年時点では、注入ポンプ療法を受けている人は米国内のＩ型高血糖症患者のうち５％にも満たなかった。その後、米国内に９０万人以上いるＩ型高血糖症患者のうち７％超が注入ポンプ療法を開始した。注入ポンプを装用しているＩ型高血糖症患者の比率は今や毎年２％超の速度で増大している。更に、毎年３％超の速度で患者数が増大しているＩＩ型高血糖症患者でも、注入ポンプを利用しインシュリンを注入する人が増えつつある。連続注入の方が高血糖症患者の症状をうまく制御できるという知見に基づき、内科医等も患者に注入ポンプ療法を勧めることが多くなっている。

WO2015192928
"Packaging for food and beverage, personal care, medical, pharmaceutical, household and industrial products, require high barrier properties to oxygen to preserve the freshness and quality of the package contents. Containers made of traditional materials like glass or metal provide an excellent barrier both to egress substances from the environment. In most instances, gas permeation through a glass or metal container is negligible. Nevertheless, due to the potentially lower cost and functional advantages (such as thermo-sealability, microwavability, optical properties, lightweight, decreased breakage and unlimited sizes and shapes) over materials such as glass and metal, there has been an increasing use of plastic materials in packaging in recent years. Polymeric material commonly used in packaging applications are polyolefins (i.e. LDPE, LLDPE, PP) and polyethylene terephthalate resin (PET). Both polyolefins (from now on POs) and PET have a number of advantageous properties for use in packaging applications, but they do not possess the gas barrier properties that are required or desired in many oxygen sensitive applications. In fact there are polymers that are, for example, good oxygen barriers but poor water-vapour barriers and vice-versa. Barrier polymers often rely on dipole-dipole interactions to reduce chain mobility, and hence diffusional movements to permeants. Polymers without dipole-dipole interactions like POs for instance dissolve very little water but have great affinity and are very permeable to apolar molecules like O2 and CO2. "

食品及び飲料、パーソナルケア用品、医療用製品、医薬品、家庭用品及び工業製品のための包装は、包装の中身の新鮮さ及び品質を保存するために酸素に対する高いバリヤ性を要求する。ガラスや金属などの慣用の材料でできた容器は、容器からの物質の放出及び環境からの物質の侵入の両方に対して優れたバリヤ性を提供する。殆どの場合に、ガラスまたは金属製容器のガスの透過は無視し得る程度である。しかし、ガラス及び金属などの材料に対する潜在的により低いコスト及び機能面での利点（例えば、熱シール性、マイクロ波照射性、光学的性質、軽量性、破損のし難さ、及び制限のないサイズ及び形状）の故に、近年、プラスチック材料が包装に使用されることが多くなっている。包装用途に通常使用されているポリマー性材料は、ポリオレフィン（すなわち、ＬＤＰＥ、ＬＬＤＰＥ、ＰＰ）及びポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）である。ポリオレフィン（以下ＰＯ）及びＰＥＴの両方とも、包装用途で使用するのに幾つもの有利な性質を持つが、これらは、多くの酸素感受性用途で要求されるまたは望まれるバスバリヤ性を持たない。実際に、例えば良好な酸素バリヤではあるが、水蒸気バリヤに劣るか、またはその逆のポリマーならばある。バリヤポリマーは、しばしば、鎖の可動性を減少するために双極子間相互作用に、それ故、浸透物に対する拡散運動に依存する。例えばＰＯの様な双極子間相互作用を持たないポリマーは、非常に僅かな水を溶解するが、Ｏ２及びＣＯ２のような非極性分子に対しては親和性が高く、浸透性が高い。

されている中で

US9465377
"As the development of smartphones continues with new models being released at an ever increasing rate, one of the enhancements starting to become available is the inclusion of Wi-Fi Direct in addition to legacy Wi-Fi. In one preferred embodiment of the present invention, if the power control unit radio receives a Wi-Fi Direct response to a device discovery message, the two devices will negotiate which device will be the Group Owner in accordance with the Wi-Fi Alliance Wi-Fi Direct specification as amended from time to time and a 1:1 or peer-to-peer Wi-Fi Direct communication link is established. The Wi-Fi Direct specifications allow any Wi-Fi Direct device to be the Group Owner, and depending on the capabilities of the device, the negotiation procedure determines the most suitable device to perform this role. Because the power control unit can control a significant amount of electrical power of up to 1,875 watts for a 110 volt domestic system or 2,400 watts for a 240 volt domestic system any connected device needs to be identified, authorised and limited to a 1:1 communications link between itself and the power control unit. "

 スマートフォンの開発が続けられ、これまでにない速さで新しいモデルがリリースされている中で、利用可能になり始めた機能強化の１つに、レガシＷｉ−Ｆｉに加えて、Ｗｉ−Ｆｉダイレクトが含まれるようになったことがある。本発明の好ましい一実施形態では、電力制御ユニット無線機が、デバイス発見メッセージに対するＷｉ−Ｆｉダイレクト応答を受信した場合、２つのデバイスは、ときどき改正されるＷｉ−ＦｉアライアンスのＷｉ−Ｆｉダイレクト仕様に従って、どちらのデバイスがグループ・オーナーになるかについてネゴシエーションを行い、１：１またはピアツーピアＷｉ−Ｆｉダイレクト通信リンクが確立される。Ｗｉ−Ｆｉダイレクト仕様によれば、どのＷｉ−Ｆｉダイレクト・デバイスでもグループ・オーナーになることが可能であるが、デバイスの能力に応じて、ネゴシエーション手順が、この役割を実行するのに最も適したデバイスを決定する。電力制御ユニットは、１１０ボルトの家庭用システムの場合は最大で１８７５ワット、または２４０ボルトの家庭用システムの場合は最大で２４００ワットという、大量の電力を制御することができるので、接続されるデバイスはいずれも、識別され、認可され、デバイス自体と電力制御ユニットの間の通信リンクを１：１に制限される必要がある。

大電流化

WO2003061007
A drawback of the present-day Poly-LED and O-LED displays is that the LED layers have a comparatively large capacitance.
現代のポリ-LEDおよびO-LEDディスプレイの欠点はLED層がかなり大きな静電容量を有するということである。

This is caused by the fact that the LED layers are very thin (~300 nm).
これはLED層が非常に薄い（〜300nm）という事実によって生じる。

For large displays, the capacitance hampers or even prohibits passive matrix operation,
 大型ディスプレイの場合、静電容量は、パッシブマトリクスの動作を妨害し、さらには停止すらさせてしまう。

as the displacement currents become too large in comparison with the currents used to generate light in the LEDs.
LEDにおいて発光のために利用される電流に比べて変位電流があまりに大きくなってしまうからである。

This results in inaccurate driving, power 0 dissipation in the tracks and large currents in the drivers.
この結果、不適正動作、回路内の電力損失および駆動装置の大電流化が生じてしまう。

US11398492
As channel layer 60 is crystallized in the presence of a metal silicide layer, channel layer 60 
チャネル層６０は、金属ケイ化物層の存在下で結晶化されているため、チャネル層６０は、

has a low crystalline defect-concentration and a higher carrier mobility, relative to a conventional polycrystalline semiconductor layer.
従来の多結晶半導体層と比較して、結晶欠陥濃度が低く、かつ高いキャリア移動度を有する。

Improved carrier mobility in the channel enables higher currents in a conducting vertical TFT.
チャネル内におけるキャリア移動度の向上は、導電状態の垂直型ＴＦＴにおける大電流化を可能にする。

US2022064074(JP)
[0004] Recently, with the increase in the current of electronic devices, electric devices, and the like,
 最近は、電子機器や電気機器等の大電流化にともない、

the size and thickness of electric and electronic components used in such electronic devices, electric devices, and the like have increased in order to reduce the current density and diffuse heat due to Joule heating.
 電流密度の低減およびジュール発熱による熱の拡散のために、これら電子機器や電気機器等に使用される電気・電子部品の大型化、厚肉化が図られている。

US2021358665(JP)
[0159] It is known that when the residual magnetic flux density Bs is increased by increasing the saturation magnetization Is, the DC superposition characteristics at high current are improved.
【００９５】
飽和磁化Ｉｓを高めて残留磁束密度Ｂｓを高めると、大電流下における直流重畳特性が向上することが知られている。

The trends toward low voltage and high current are also present in signal-system circuits.
信号系回路においても、低電圧大電流化のトレンドがあるため、

Thus, when the saturation magnetization Is is less than 200 mT, the risk of DC superposition rises even in high-permeability materials such as Y-type ferrite. Thus, the saturation magnetization is preferably at least saturation magnetization Is ≥200 mT.
飽和磁化Ｉｓが２００ｍＴ未満である場合、Ｙ型フェライトのように高透磁率の材料であっても、直流重畳の不安が高くなるので、少なくとも飽和磁化Ｉｓ≧２００ｍＴであることが望ましい。

US11276776(JP)
[0004] For example, bipolar transistors and IGBTs have high current density compared to MOSFETs and can be adapted for large current but cannot be switched at high speeds.
【０００３】
  例えば、バイポーラトランジスタやＩＧＢＴは、ＭＯＳＦＥＴに比べて電流密度は高く大電流化が可能であるが、高速にスイッチングさせることができない。

In particular, the limit of switching frequency is about several kHz for bipolar transistors and about several tens of kHz for IGBTs.
具体的には、バイポーラトランジスタは数ｋＨｚ程度のスイッチング周波数での使用が限界であり、ＩＧＢＴは数十ｋＨｚ程度のスイッチング周波数での使用が限界である。

On the other hand, power MOSFETs have low current density compared to bipolar transistors and IGBTs and are difficult to adapt for large current but can be switched at high speeds up to about several MHz.
一方、パワーＭＯＳＦＥＴは、バイポーラトランジスタやＩＧＢＴに比べて電流密度が低く大電流化が難しいが、数ＭＨｚ程度までの高速スイッチング動作が可能である。

US2021104652(JP)
[0004] For the vehicle-mounted light sources, there are increasing demands for saving space and design improvement, and thus the LEDs are becoming more compact and integrated with larger electric current.
【０００３】
  車載光源については省スペースおよびデザイン性の向上の要求が高まっていることからＬＥＤの小型化・大電流化・集積化が進展している。

Consequently, it is important to dissipate heat generated at the LEDs to secure the reliability required for the LEDs.
これに伴いＬＥＤに要求される信頼性の確保においてＬＥＤの発熱を如何に放熱するかが鍵となる。

弁作用金属

US9959979
"The construction and manufacture of solid electrolyte capacitors is well documented. In the construction of a solid electrolytic capacitor a valve metal preferably serves as the anode. The anode body can be either a porous pellet, formed by pressing and sintering a high purity powder, or a foil which is etched to provide an increased anode surface area. An oxide of the valve metal is electrolytically formed to cover up to all of the surfaces of the anode and to serve as the dielectric of the capacitor. The solid cathode electrolyte is typically chosen from a very limited class of materials, to include manganese dioxide or electrically conductive organic materials such as 7,7,8,8 tetracyanoquinonedimethane (TCNQ) complex salt, or intrinsically conductive polymers, such as polyaniline, polypyrol, polythiophene and their derivatives. The solid cathode electrolyte is applied so that it covers all dielectric surfaces and is in direct intimate contact with the dielectric. In addition to the solid electrolyte, the cathodic layer of a solid electrolyte capacitor typically consists of several layers which are external to the anode body. In the case of surface mount constructions these layers typically include: a carbon layer; a cathode conductive layer which may be a layer containing a highly conductive metal, typically silver, bound in a polymer or resin matrix; and a conductive adhesive layer such as silver filled adhesive. The layers including the solid cathode electrolyte, conductive adhesive and layers there between are referred to collectively herein as the cathode layer which typically includes multiple interlayers designed to allow adhesion on one face to the dielectric and on the other face to the cathode lead. A highly conductive metal lead frame is often used as a cathode lead for negative termination. The various layers connect the solid electrolyte to the outside circuit and also serve to protect the dielectric from thermo-mechanical damage that may occur during subsequent processing, board mounting, or customer use. "

固体電解コンデンサーの構造及び製造は詳細に文書化されている。固体電解コンデンサーの構造において、弁作用金属が陽極として働くことが好ましい。陽極本体は高純度の粉体を押圧し焼結することによって形成される多孔質ペレットか、又はエッチングされて陽極の表面積を増加させた箔のいずれかとすることが可能である。弁作用金属の酸化物は電気分解によって形成されて陽極の表面全体を覆うとともにコンデンサーの誘電体として働く。通常、固体陰極電解質は非常に限られた材料の種別から選択されて、それらの材料は二酸化マンガン、又は７，７，８，８テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）錯塩等の導電性の有機材料、又はポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン及びそれらの誘導体等の真性導電性ポリマーを含む。固体陰極電解質は、固体陰極電解質が誘電体表面全体を覆い、誘電体と直接密接に接触するように適用される。固体電解質に加えて、固体電解コンデンサーの陰極層は、通常、陽極本体の外側にあるいくつかの層から構成される。面実装構造体の場合、通常、これらの層は炭素層と、ポリマーマトリックス又は樹脂マトリックスに包まれた通常は銀である高導電性金属を含む層とすることができる陰極導電性層と、銀粒子を充填した接着剤等の導電性接着剤層とを含む。固体陰極電解質、導電性接着剤を含む層及びそれらの間の層は、本明細書において集合的に陰極層と呼ばれ、これらの層は、通常、一方の面を誘電体に、他方の面を陰極リードに接着させることを可能にするように設計された複数の中間層を含む。多くの場合、高導電性金属リードフレームが負極端子のための陰極リードとして用いられる。様々な層が固体電解質を外側の回路に接続し、誘電体を後続の処理中、ボード実装中又は顧客の使用中に発生する可能性がある熱機械的損傷から保護する働きもする。

容量発現率

US10049780(JP, Mitsubishi)
"However, in case of the polymer suspension coating method, it is difficult for a dispersion of an electroconductive polymer to impregnate in the inside of a dielectric layer. As a result, a solid electrolyte layer is not easily formed in the inside of the fine irregularities (pores) of a dielectric layer and it is formed only on a surface layer. Thus, there is a problem that the electric capacitance exhibition rate of the obtained solid electrolyte condenser is low. "

しかし、ポリマー懸濁液塗布法の場合、導電性ポリマーの分散液が誘電体層の内部まで含浸しにくかった。その結果、誘電体層の微細な凹凸の内部（細孔）には固体電解質層が形成されにくく、表層のみに固体電解質層が形成されるため、得られる固体電解コンデンサの電気容量発現率が低くなるという問題があった。

EP3361537(JP, Sekisui)
"[0149] With regard to the lithium ion secondary batteries obtained in the above Examples and Comparative Examples, constant current constant voltage charge of 0.2 C at 25°C was performed until a current value converged to 0.1 C with an upper limit voltage of 4.2 V. Thereafter, constant current discharge of 0.2 C was performed up to 2.7 V. Subsequently, the charge and discharge cycle was repeated a plurality of times at a charge and discharge current of 1 C in a similar manner to stabilize a state of each of the lithium ion secondary batteries. Subsequently, the charge and discharge cycle was repeated at a charge and discharge current of 1 C in a similar manner, and a capacity development ratio ({[discharge capacity at first cycle (mAh)]/[rated capacity (mAh)]} × 100) (%) and a capacity retention ratio at 100th cycle ({[discharge capacity at 100th cycle (mAh)]/[discharge capacity at first cycle (mAh)]} × 100) (%) were calculated. Note that the rated capacity (theoretical capacity) of each of the secondary batteries was 4 mAh. Evaluation results of the secondary batteries are written in Tables 1 and 2."

上記各実施例及び比較例で得られたリチウムイオン二次電池について、２５℃において０．２Ｃの定電流定電圧充電を、上限電圧４．２Ｖとして電流値が０．１Ｃに収束するまで行った後、０．２Ｃの定電流放電を２．７Ｖまで行った。次いで、充放電電流を１Ｃとして同様の方法で、充放電サイクルを複数回繰り返し、リチウムイオン二次電池の状態を安定させた。次いで、充放電電流を１Ｃとして同様の方法で、充放電サイクルを繰り返し、容量発現率（{［１サイクル目の放電容量（ｍＡｈ）］／［定格容量（ｍＡｈ）］}×１００）（％）、及び１００サイクルでの容量維持率（{［１００サイクル目の放電容量（ｍＡｈ）］／［１サイクル目の放電容量（ｍＡｈ）］}×１００）（％）を算出した。なお、各二次電池の定格容量（理論容量）は、４ｍＡｈであった。各二次電池の評価結果を表１及び表２に示す。

US10305143(JP, Toray)
"A 9 μm-thick polyethylene (PE) separator E09HMS (manufactured by Toray Battery Separator Film Co., Ltd.) was used to prepare a battery cell having a cell structure of positive electrode/PE separator/polymer-ion-permeable membrane sample/PE separator/negative electrode. The prepared battery cell was similarly evaluated, and the result showed that the battery had a capacity achievement ratio of 98% in finishing charge-discharge, and a power characteristic of 95% at 0.5 C, 86% at 1 C and 68% at 3 C. Thus, the capacity achievement ratio at a high rate was improved as compared to the polymer-ion-permeable membrane alone. "

さらに、厚み９μｍのポリエチレン（ＰＥ）セパレータＥ０９ＨＭＳ（東レバッテリーセパレータフィルム社製）を用い、セル構成を、正極／ＰＥセパレータ／ポリマーイオン透過膜の試料／ＰＥセパレータ／負極として電池セルを作製した。作製した電池セルについて同様に評価を実施した結果、仕上充放電の容量発現率が９８％、出力特性は０．５Ｃで９５％、１Ｃで８６％、３Ｃで６８％と、単独の場合に比べ、高レートにおける容量発現率が向上した。

EP3147975(JP, Nippon Chem. Con.)
"[0037] With a C.C. mode (constant current mode) set in which the discharge rate is 1 C and the working voltage of this cell is from 2.5 V to 4.3 V, the charging/discharging characteristic was examined. The C rate was calculated using a theoretical capacity of 117.9 mAhgFig. 9 is a graph showing the charging/discharging characteristic of the cathode material including the lithium vanadium phosphate with aluminum as a solid solution. In Fig. 9 , the horizontal axis indicates the discharge capacity and the vertical axis indicates the potential. As shown in Fig. 9 , as a result of using the composite body of CNF and the lithium vanadium phosphate with aluminum as a solid solution of the first embodiment example in the electrode material, the charge capacity was 126 mAhg, which is slightly higher than the theoretical capacity 117.9 mAhgcalculated when the theoretical capacity is reduced by an amount corresponding to doping with aluminum, and this indicates a capacity expression rate of 107%. Furthermore, the discharge capacity was 124 mAhgwhich is slightly higher than the theoretical capacity 117.9 mAhgand this indicates a capacity expression rate of 105%. "

 このセルを作用電圧２．５〜４．３Ｖとして、放電レートを１ＣとするＣ．Ｃモード（定電流モード）にて、その充放電特性を調べた。尚、Ｃレートは、理論容量１１７．９ｍＡｈｇ−１を用いて計算した。図９は、アルミニウムが固溶したリン酸バナジウムリチウムを含む正極材料の充放電特性を示すグラフである。図９において、横軸は放電容量を示し、縦軸は電位を示す。図９に示すように、実施例１のアルミニウムが固溶したリン酸バナジウムリチウムとＣＮＦの複合体を電極材料に用いた結果、充電容量は、アルミニウムを添加した分だけ理論容量が減るとして算出した理論容量１１７．９ｍＡｈｇ−１に対し、若干増えて１２６ｍＡｈｇ−１となり、容量発現率は１０７％であった。また、放電容量は、理論容量１１７．９ｍＡｈｇ−１に対し、若干増えて１２４ｍＡｈｇ−１となり、容量発現率は、１０５％であった。

硫黄変性ポリアクリロニトリル

US2013029222(JP)
"1. In a positive electrode for lithium-ion secondary battery, the positive electrode having: a current collector; and an electrode layer that is formed on a surface of said current collector, and which includes a binder resin, an active material and a conductive additive, 
the positive electrode being characterized in that:
said active material includes a sulfur-modified polyacrylonitrile that is produced by heating a raw-material powder comprising a sulfur powder and a polyacrylonitrile powder in an enclosed nonoxidizing atmosphere; and
said binder resin includes a polyimide resin and/or a polyamide-imide resin."

集電体と、前記集電体の表面に形成されたバインダー樹脂と活物質と導電助剤とを含む電極層とを有するリチウムイオン二次電池用正極において、
  前記活物質は、硫黄粉末とポリアクリロニトリル粉末とからなる原料粉末を、密閉された非酸化性雰囲気下において加熱して製造された硫黄変性ポリアクリロニトリルを含み、
  前記バインダー樹脂は、ポリイミド樹脂及び／またはポリアミドイミド樹脂を含むことを特徴とするリチウムイオン二次電池用正極。

US2011200875(JP)
"1. A method of manufacturing sulfur-modified polyacrylonitrile, comprising: mixing a base powder comprising sulfur powder and polyacrylonitrile powder; and heating the base powder under a nonoxidative atmosphere while preventing the effluence of sulfur vapor."

硫黄粉末とポリアクリロニトリル粉末を含む原料粉末を混合し、硫黄蒸気の流出を防止しつつ、非酸化性雰囲気下で加熱することを特徴とする、硫黄変性ポリアクリロニトリルの製造方法。

との接合面

US2019189548(JP)
"[0058] First, as shown in FIG. 6, the Cu—P—Sn-based brazing filler material 24, the Ti material 25, and the Cu foil 22 which becomes the circuit layer 12 are laminated in this order on one surface (upper surface in FIG. 6) of the ceramic substrate 11, and the Cu—P—Sn-based brazing filler material 24, the Ti material 25, and the Cu foil 23 which becomes the metal layer 13 are laminated in this order on the other surface (lower surface in FIG. 6) of the ceramic substrate 11 (FIG. 6(a)). That is, between the ceramic substrate 11 and the Cu foil 22 and between the ceramic substrate 11 and the Cu foil 23, the Cu—P—Sn-based brazing filler material 24 is disposed on the ceramic substrate 11 side, and the Ti material 25 is disposed on the Cu foil 22 side and the Cu foil 23 side. The bonding surface between the Ti material 25 and the Cu foil 22 or 23 is a surface that is made smooth in advance.

まず、図６に示すように、セラミックス基板１１の一方の面（図６において上面）に、Ｃｕ−Ｐ−Ｓｎ系ろう材２４、Ｔｉ材２５、及び回路層１２となるＣｕ板２２を順に積層するとともに、セラミックス基板１１の他方の面（図６において下面）に、Ｃｕ−Ｐ−Ｓｎ系ろう材２４、Ｔｉ材２５、及び金属層１３となるＣｕ板２３を順に積層する（図６（ａ））。すなわち、セラミックス基板１１とＣｕ板２２及びＣｕ板２３の間において、セラミックス基板１１側にＣｕ−Ｐ−Ｓｎ系ろう材２４を配置し、Ｃｕ板２２，２３側にＴｉ材２５を配置している。なお、Ｔｉ材２５とＣｕ板２２、２３との接合面は、予め平滑な面とされている。

[0059] In the present embodiment, the composition of the Cu—P—Sn-based brazing filler material 24 is Cu-6.3 mass % P-9.3 mass % Sn-7 mass % Ni. The solidus temperature (melting start temperature) of the Cu—P—Sn-based brazing filler material 24 is 600° C. Furthermore, in the present embodiment, as the Cu—P—Sn-based brazing filler material 24, a foil material is used, and the thickness thereof is within a range equal to or greater than 5 μm and equal to or smaller than 150 μm. "

本実施形態においては、Ｃｕ−Ｐ−Ｓｎ系ろう材２４の組成は、Ｃｕ−６．３ｍａｓｓ％Ｐ−９．３ｍａｓｓ％Ｓｎ−７ｍａｓｓ％Ｎｉとされており、その固相線温度（溶融開始温度）は６００℃とされている。また、本実施形態では、Ｃｕ−Ｐ−Ｓｎ系ろう材２４として箔材を用い、その厚さは、５μｍ以上１５０μｍ以下の範囲内とされている。

WO2013032631
2 1 . The product package of claim 9. wherein the closure has a surface having, an interface with a surface of the container and at least a portion of the aroma delivery system is positioned at the interface."

前記蓋が、前記容器の表面との接合面を有する表面を有し、前記芳香送出システムの少なくとも一部が該接合面に配置されている、請求項９記載の製品パッケージ。

US2011073217
"20. The method as recited in claim 19, further including boronizing the wear resistant layer at a boronizing temperature that causes interdiffusion between the matrix and the particulates, between the matrix and a substrate on which the matrix is disposed, or both. "

上記マトリクスと上記微粒子との間、および上記マトリクスと上記基材との接合面のいずれかまたは両方において相互拡散を生じさせるホウ化処理温度において、上記耐摩耗層をホウ化処理することをさらに含む、請求項１９に記載の方法。

WO2010022066
"[0185] Molecular sieves are materials with precise and uniform size pores used as an adsorbent for gases and liquids. Non-limiting examples of molecular sieves include clays, porous glasses, zeolites, active carbons and aluminosilicate minerals. The size of the pores determines which molecules can pass through and which cannot. For water vapor transport a pore size of about 3A to 4A are preferred. In various embodiments, molecular sieves are incorporated at different loadings in the separate layers of the multilayer film to create directional flow towards the outside of the laminated product, i.e. away from the interface with the fabric."

分子篩は、気体や液体の吸着材として使用される、精密で均一なサイズの細孔を有する材料である。分子篩の非限定的な例は、クレイ、多孔質ガラス、ゼオライト、活性炭およびアルミノケイ酸鉱物を含む。細孔のサイズは、どの分子が通れ、どの分子が通れないかを決める。水蒸気を運ぶには、約３Å〜４Åの細孔のサイズが好ましい。種々の実施形態では、分子篩は、多層フィルムの個別の層に異なる流送量で組み込まれ、積層製品の外部への方向流量、すなわちファブリックとの接合面からの離間、を作り出す

絶縁回路基板

WO2015142859
"Referring to figures 5 and 6, the light source assembly (5) comprises an insulated circuit board (5a), one or more sources of light, such as one or more LED lights (5b) having positive and negative electrical leads (5e, 5f), and electrical conductors (5c, 5d) affixed to either side of the board. The circuit board is housed in the back section (2b) of the light source housing, while the light source (5b) extends into the front section (2c), just behind the lens (4). The electrical conductor (5c) on the backside of the circuit board (5a) maintains electrical contact with a negative node (6a) of the power source (6), and with a corresponding negative node (5e) of the light source (5b). The electrical conductor (5d) on the front side of the circuit board maintains electrical contact with a positive node (5f) of the light source, and with a stationary portion (9a) of the flexible conductor (9). The stationary portion is stationary relative to the actuator (1)."

図５、６を参照すると、光源アセンブリ（５）は、絶縁回路基板（５ａ）と、正極及び負極のリード（５ｅ、５ｆ）を有する一つ以上のＬＥＤライト（５ｂ）のような一つ以上の光源と、基板の両側に取り付けられる電気導体（５ｃ、５ｄ）とを含む。回路基板は、光源ハウジングの後方セクション（２ｂ）に収容され、光源（５ｂ）は、レンズ（４）の真後ろに、前方セクション（２ｃ）内へと延在する。回路基板（５ａ）の背面にある電気導体（５ｃ）は、電源（６）の負ノード（６ａ）との電気接触及び光源（５ｂ）の対応する負ノード（５ｅ）との電気接触を維持する。回路基板の前面にある電気導体（５ｄ）は、光源の正ノード（５ｆ）との電気接触及び可撓性導体（９）の静止部分（９ａ）との電気接触を維持する。静止部分は、アクチュエータ（１）に対して静止している。

US9282655
"With continued reference to FIGS. 1-6, circuit board assembly 16 includes an electrically insulative circuit board 26 defining a plane onto which a plurality of two-way pass-through terminals 28, a plurality of one-way terminals 30, bus bar 32, and one or more electronic devices 34, for example only, relays and resistors, are mounted. A plurality of electrical traces 35 may be provided on circuit board 26 to connect two-way pass-through terminals 28, one-way terminals 30, bus bar 32, and electronic devices 34 into various desired circuit patterns. Two-way pass-through terminals 28 have upper contact portions 36 above circuit board 26 and lower contact portions 38 below circuit board 26. Some one-way terminals 30 include only upper contact portions 36 while other one-way terminals 30 include only lower contact portions 38. Lower contact portions 38 extend from circuit board 26 no more than a first predetermined distance 40. It should be noted that, for clarity, only one of each of two-way pass-through terminals 28, one-way and one-way terminals, electrical devices, electrical traces 35, upper contact portions 36 and lower contact portions 38 are labeled in the drawings. "

図１乃至図６の参照を続けると、回路基板アッセンブリ１６は、平面を形成する電気絶縁回路基板２６を含む。電気絶縁回路基板２６には、複数の二路パススルー端子(two-way pass-through terminal) ２８と、複数の一路端子３０と、バスバー３２と、一つ又はそれ以上の電子デバイス３４（単なる例としてリレーや抵抗器）とが取り付けられている。二路パススルー端子２８、一路端子３０、バスバー３２、及び電子デバイス３４を様々な所望の回路パターンで接続するため、回路基板２６には、複数の電気トレース３５が設けられていてもよい。二路パススルー端子２８は、回路基板２６の上方の上接触部３６と、回路基板２６の下方の下接触部３８とを有する。幾つかの一路端子３０は、上接触部３６だけを含むが、他の一路端子３０は、下接触部３８だけを含む。下接触部３８は、回路基板２６から第１所定距離４０しか延びていない。明瞭化を図るため、添付図面では、二路パススルー端子２８、一路端子３０、電気デバイス、電気トレース３５、上接触部３６、及び下接触部３８の各々の一つだけにしか参照番号が付してない。

WO2011150232
"[0006] One aspect of the technology is an apparatus with an electrically insulating circuit board, at least one electrical path attached to the circuit board, and at least one electrophoresis capillary in thermal contact with at least one thermal area. The electrical path forms a thermal area. The electrical path is thermally regulated responsive to electrical current through the electrical path. The at least one electrophoresis capillary is thermally regulated responsive to electrical current through the electrical path."

本技術の一側面は、電気絶縁回路基板と、回路基板に取り付けられている少なくとも１つの電気経路と、少なくとも１つの電気泳動キャピラリと熱接触する少なくとも１つの高温エリアとを伴う装置である。電気経路は、高温エリアを形成する。電気経路は、電気経路を通る電流に応答して、熱的に調整される。少なくとも１つの電気泳動キャピラリは、電気経路を通る電流に応答して、熱的に調整される。

ヒートシンク付き

US5057908
"1. A high power semiconductor device with integral heat sink comprising, in combination: an integrated circuit having a substrate and an active semiconductor region formed on one surface of the substrate; an AlN monolithic thin film grown on the said one surface overlying the active semiconductor region, the AlN thin film having a sufficiently low impurity content to cause said thin film to function as a low thermal resistance heat conductor removing heat from the active semiconductor region with which said thin film is in contact; and a microchannel heat sink in thermal contact with the AlN thin film, the microchannel heat sink being supplied with a source of cooling fluid for conducting heat away from the microchannel heat sink."

【請求項１】  基板と該基板の１表面上に形成された半導体装置を有する集積回路と、
前記１表面上のＡｌＮ薄膜であって、自身が接触する前記半導体装置から熱を除去する低熱抵抗熱伝導体として自身が機能するのを可能とするに充分な低不純物含有量を有するＡｌＮ薄膜と、及び前記ＡｌＮ薄膜と熱接触するマイクロチャネルヒートシンクであって、熱を自身から伝導する冷却流体源を具備したマイクロチャネルヒートシンクとから成ることを特徴とする一体型ヒートシンク付き高電力半導体装置。

US5666355
"FIG. 4 depicts a simplified schematic diagram illustrating one way to control power consumption of an amplifier by turning on and off its bias current. Such bias current control is advantageous for, e.g., power amplifiers because their relatively high operating power supply current may involve use of a relatively costly, heat-sinked, power transistor to switch such current. In the diagram, an amplifier 24 to be controlled has the usual power supply connections represented by a grounded voltage source 25. Input signals to be amplified are applied at terminal 54 "

図４は、バイアス電流をオンおよびオフ制御することによって増幅器の電力消費を制御する一手法を図解する概略図である。このようなバイアス電流制御は、例えば電力増幅器に有効である。すなわち、電力増幅器の動作電力供給電流は比較的大きいので、そのような電流の切換えには比較的コストが高いヒートシンク付きの電力トランジスタの使用を伴うからである。この図では、制御対象の増幅器２４は、一方の電極を接地した電圧源２５で表される通常の電源接続を有している。増幅すべき入力信号は端子５４に供給する。

WO2011005342
"[0083] Referring to FIG. 14, a top view of a passive cooling enclosure system with a rear heat sink 1400 in accordance with a representative embodiment is shown. In one embodiment, the passive cooling enclosure system with a rear heat sink 1400 is configured as a rack. The passive cooling enclosure system with a rear heat sink 1400 includes a heat sink 1410, a cabinet 1420, heat pipes 1430, and pipe connectors 1440."

図１４に関して、典型的な実施形態に基づくヒートシンク付き受動的冷却筐体システム１４００の上面図が示されている。一実施形態において、後部ヒートシンク付き受動的冷却筐体システム１４００はラックとして構成される。後部ヒートシンク付き受動的冷却筐体システム１４００はヒートシンク１４１０、キャビネット１４２０、ヒートパイプ１４３０、およびパイプコネクタ１４４０を含む。

US7922364
"The invention relates to electric lamps and particularly to electric lamps. More particularly the invention is concerned with LED lamps with heat sinks. "

本発明は電灯に関し、詳しくはヒートシンク付きのＬＥＤランプに関する。

以上、以下の温度

US2013323435
"47. The method of claim 45 wherein the chemisorbing step is conducted at a temperature of 200° C. or less."

  前記化学吸着工程を、２００℃以下の温度で行う、請求項４５に記載の方法。

WO2013096529
"1. A process comprising: 
(a) providing a thermoplastic polymer material comprising at least one or a plurality of polyester polymers and at least one or a combination of different meltable metal phosphinates; 
(b) melt blowing the thermoplastic polymer material into at least one fiber; and 
(c) heating the at least one fiber to a temperature equal to or above the glass transition temperature (Tg) of the polyester polymer, 
wherein the metal phosphinate is in an amount that at least promotes crystallization of the polyester polymer, when the thermoplastic polymer material is melt blown into the at least one fiber, and the polyester polymer of the at least one fiber is at least partially crystalline. "

  （ａ）少なくとも１つ又は複数のポリエステルポリマーと、少なくとも１つ又は異なる融解性ホスフィン酸金属の組み合わせと、を含む、熱可塑性ポリマー材料を準備する工程と、
  （ｂ）前記熱可塑性ポリマー材料を少なくとも１つの繊維にメルトブローする工程と、
  （ｃ）前記少なくとも１つの繊維を前記ポリエステルポリマーのガラス転移温度（Ｔｇ）以上の温度に加熱する工程と、を含み、
  前記ホスフィン酸金属は、前記熱可塑性ポリマー材料が前記少なくとも１つの繊維にメルトブローされるときに、前記ポリエステルポリマーの結晶化を少なくとも促進する量であり、前記少なくとも１つの繊維のポリエステルポリマーが、少なくとも部分的に結晶質である、プロセス。

WO2017147110
"1. A composition prepared by preconditioning a mixture of:

(a) a precursor hydrosilane or organodisilane; and

 

(b) a base comprising potassium hydroxide, a potassium alkoxide, a potassium silanolate (e.g., KOTMS), rubidium hydroxide, a rubidium alkoxide, a rubidium silanolate, cesium hydroxide, a cesium alkoxide, a cesium silanolate, or a combination thereof; in the substantial absence of a heteroaromatic, olefinic, or acetylenic substrate capable of C-H silylation; wherein

 

the preconditioning comprises holding the mixture of combined hydrosilane and the base under conditions sufficient to produce the composition capable of initiating measurable silylation of 1-methyl indole at a temperature of 45°C or less with an induction period of less than 30, 25, 20, 15, 10, 5, or 1 minutes."

  Ｃ−Ｈシリル化可能なヘテロ芳香族性基質、オレフィン性基質、又はアセチレン性基質の実質的な不存在下で、
  （ａ）前駆体としてのヒドロシラン又はオルガノジシランと、
  （ｂ）水酸化カリウム、カリウムアルコキシド、カリウムシラノレート（例えば、ＫＯＴＭＳ）、水酸化ルビジウム、ルビジウムアルコキシド、ルビジウムシラノレート、水酸化セシウム、セシウムアルコキシド、セシウムシラノレート、又はそれらの組み合わせを含む塩基と、の混合物を
  前調整（preconditioning）することにより調製した組成物であって、
  前記前調整することは、４５℃以下の温度で、誘導期間を３０分未満、２５分未満、１５分未満、１０分未満、５分未満、又は１分未満として、１−メチルインドールの測定可能なシリル化を開始可能な組成物を生成するのに十分な条件下で、合成ヒドロシラン（combined hydrosilane）及び塩基の混合物を保持することを含む、組成物。

WO2012122320
"1 . A method of manufacturing an intraocular device comprising 
providing a shape memory polymer (SMP) material with a Tg; 
forming the SMP material in a permanent intraocular device form; 
mechanically compressing the intraocular device at a temperature above Tg to deform the intraocular device into a smaller volume; and 
cooling the deformed intraocular device while still in compression to a temperature below Tg to thereby create a stable deformed intraocular device with a delivery profile allowing for insertion through an incision of 2 mm or less. "

Ｔｇを有する形状記憶ポリマー（ＳＭＰ）材料を準備すること；
持続性眼内装置の形状にＳＭＰ材料を形成すること；
Ｔｇ以上（＊を超える？）の温度で眼内装置を機械的に圧縮し、眼内装置をより小さい体積に変形させること；および
変形した眼内レンズを圧縮したままＴｇ以下（＊未満？）の温度まで冷却し、これにより２ｍｍ以下の切開により挿入可能な送達形状を有する安定性変形眼内装置を作り出すことを含む眼内装置の製造方法。

WO2016044307
"1. A method of plasticizing poly(ethylene furanoate) film, the method comprising: a) providing a poly(ethylene furanoate) (PEF) film; and

 

b) contacting the PEF film with water or high (>50%) relative humidity air at a temperature at or below ambient temperature for a time period."

 ポリ（エチレンフラノエート）フィルムを可塑化する方法であって、
  ａ）ポリ（エチレンフラノエート）（ＰＥＦ）フィルムを提供する工程と、
  ｂ）前記ＰＥＦフィルムと水または高（＞５０％）相対湿度の空気とをある期間にわたり周囲温度以下の温度で接触させる工程と
を含む方法。

"2. The method of claim 1, wherein the PEF film is contacted with at least about 90% relative humidity air at a temperature equal to or below ambient temperature for a time period from about 1 h to about 25 h."

前記ＰＥＦフィルムが少なくとも約９０％の相対湿度の空気と約１ｈ〜約２５ｈの期間にわたり周囲温度以下の温度で接触される、請求項１に記載の方法。

"10. A method of plasticizing poly(ethylene furanoate) film, the method

 

comprising:

 

a) providing a poly(ethylene furanoate) (PEF) film; and

 

b) contacting the PEF film with water or high (>50%) relative humidity air at a temperature greater than or equal to ambient temperature for a time period."

  ポリ（エチレンフラノエート）フィルムを可塑化する方法であって、
  ａ）ポリ（エチレンフラノエート）（ＰＥＦ）フィルムを提供する工程と、
  ｂ）前記ＰＥＦフィルムと水または高（＞５０％）相対湿度の空気とをある期間にわたり周囲温度以上の温度で接触させる工程と
を含む方法。