和英特許翻訳メモ

便利そうな表現、疑問、謎、その他メモ書き。思いつきで書いてます。
拾った用例は必ずしも典型例、模範例ではありません。

大電流化

2019-07-25 14:40:18 | 英語特許散策

WO2003061007
A drawback of the present-day Poly-LED and O-LED displays is that the LED layers have a comparatively large capacitance.
現代のポリ-LEDおよびO-LEDディスプレイの欠点はLED層がかなり大きな静電容量を有するということである。

This is caused by the fact that the LED layers are very thin (~300 nm).
これはLED層が非常に薄い(〜300nm)という事実によって生じる。

For large displays, the capacitance hampers or even prohibits passive matrix operation,
 大型ディスプレイの場合、静電容量は、パッシブマトリクスの動作を妨害し、さらには停止すらさせてしまう。

as the displacement currents become too large in comparison with the currents used to generate light in the LEDs.
LEDにおいて発光のために利用される電流に比べて変位電流があまりに大きくなってしまうからである。

This results in inaccurate driving, power 0 dissipation in the tracks and large currents in the drivers.
この結果、不適正動作、回路内の電力損失および駆動装置の大電流化が生じてしまう。

US11398492
As channel layer 60 is crystallized in the presence of a metal silicide layer, channel layer 60 
チャネル層60は、金属ケイ化物層の存在下で結晶化されているため、チャネル層60は、

has a low crystalline defect-concentration and a higher carrier mobility, relative to a conventional polycrystalline semiconductor layer.
従来の多結晶半導体層と比較して、結晶欠陥濃度が低く、かつ高いキャリア移動度を有する。

Improved carrier mobility in the channel enables higher currents in a conducting vertical TFT.
チャネル内におけるキャリア移動度の向上は、導電状態の垂直型TFTにおける大電流化を可能にする。

US2022064074(JP)
[0004] Recently, with the increase in the current of electronic devices, electric devices, and the like,
 最近は、電子機器や電気機器等の大電流化にともない、

the size and thickness of electric and electronic components used in such electronic devices, electric devices, and the like have increased in order to reduce the current density and diffuse heat due to Joule heating.
 電流密度の低減およびジュール発熱による熱の拡散のために、これら電子機器や電気機器等に使用される電気・電子部品の大型化、厚肉化が図られている。

US2021358665(JP)
[0159] It is known that when the residual magnetic flux density Bs is increased by increasing the saturation magnetization Is, the DC superposition characteristics at high current are improved.
【0095】
飽和磁化Isを高めて残留磁束密度Bsを高めると、大電流下における直流重畳特性が向上することが知られている。

The trends toward low voltage and high current are also present in signal-system circuits.
信号系回路においても、低電圧大電流化のトレンドがあるため、

Thus, when the saturation magnetization Is is less than 200 mT, the risk of DC superposition rises even in high-permeability materials such as Y-type ferrite. Thus, the saturation magnetization is preferably at least saturation magnetization Is ≥200 mT.
飽和磁化Isが200mT未満である場合、Y型フェライトのように高透磁率の材料であっても、直流重畳の不安が高くなるので、少なくとも飽和磁化Is≧200mTであることが望ましい。

US11276776(JP)
[0004] For example, bipolar transistors and IGBTs have high current density compared to MOSFETs and can be adapted for large current but cannot be switched at high speeds.
【0003】
  例えば、バイポーラトランジスタやIGBTは、MOSFETに比べて電流密度は高く大電流化が可能であるが、高速にスイッチングさせることができない。

In particular, the limit of switching frequency is about several kHz for bipolar transistors and about several tens of kHz for IGBTs.
具体的には、バイポーラトランジスタは数kHz程度のスイッチング周波数での使用が限界であり、IGBTは数十kHz程度のスイッチング周波数での使用が限界である。

On the other hand, power MOSFETs have low current density compared to bipolar transistors and IGBTs and are difficult to adapt for large current but can be switched at high speeds up to about several MHz.
一方、パワーMOSFETは、バイポーラトランジスタやIGBTに比べて電流密度が低く大電流化が難しいが、数MHz程度までの高速スイッチング動作が可能である。

US2021104652(JP)
[0004] For the vehicle-mounted light sources, there are increasing demands for saving space and design improvement, and thus the LEDs are becoming more compact and integrated with larger electric current.
【0003】
  車載光源については省スペースおよびデザイン性の向上の要求が高まっていることからLEDの小型化・大電流化・集積化が進展している。

Consequently, it is important to dissipate heat generated at the LEDs to secure the reliability required for the LEDs.
これに伴いLEDに要求される信頼性の確保においてLEDの発熱を如何に放熱するかが鍵となる。

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