層を貫通

EP3584837
Forming the conductive interconnects typically includes depositing a metal layer (e.g., over the array) and etching the metal layer to form the conductive interconnects.
導電性配線の形成には、一般に、金属層を（例えば、アレイの上に）成膜することと、金属層をエッチングして導電性配線を形成するこ
とが含まれる。

Forming vias typically involves etching a via through the underlying layers and depositing a metal or other conductive material in the etched via.
ビアの形成には、一般に、下位層を貫通するビアをエッチングすることと、エッチングしたビアの内部に金属またはその他の導電性材料を成膜することが含まれる。

In one example, the conductive interconnects on wafer 2 are formed from tungsten or another metal that can withstand the thermal cycles involved in processing the array 406.
一実施例では、ウェハ２上の導電性配線は、アレイ４０６の加工に伴う熱サイクルに耐え得るタングステンなどの金属から形成される。

Thus, in one such example, the conductive interconnects on wafer 2 are formed from a different metal than the conductive interconnects on wafer 1.
したがって、そのような一実施例では、ウェハ２上の導電性配線は、ウェハ１上の導電性配線とは異なる金属から形成される。

EP1999255
 In a runxl knock-in, there are subaortic mesenchymal cells that are labeled with LacZ,
runx1ノックインにおいては、LacZを用いて標識された大動脈下間充織細胞が存在し、

and this observation has been interpreted to mean that some of the subaortic cells may give rise to hematopoietic stem cells.
かつこの観察は、大動脈下細胞のいくつかは造血性幹細胞を引き起こす可能性があることを意味すると解釈されている。

North et al., 126 Devel. 2563-75 (1999).
North et al., 126 Devel. 2563-75 (1999)。

Recent studies, have demonstrated that the subaortic endothelial cells push through the endothelial layer and form hematopoietic clusters. 
最近の研究により、大動脈下内皮細胞は内皮層を貫通しかつ造血性クラスターを形成することが実証されている。

EP2422373
.[0049] The metal electrodes 61 and 69 are positioned on the outer layers 62 and 68, respectively.
【００３２】
  金属電極６１および６９が、外方層６２および６８の上にそれぞれ位置決めされる。

This has the benefit that the metal does not need to penetrate underlying layers before it contacts the wafer.
これは、この金属が、ウェーハに接触するまで下層を貫通する必要がないという利点を有する。

Furthermore the silicon bulk wafer 65 is shielded from the contact interfaces and hence the contact interface carrier recombination is minimized.
さらに、シリコンバルクウェーハ６５が、これらの接触界面からシールドされ、したがって、接触界面のキャリア再結合が、最小限に抑えられる。

US9978696
In this embodiment, the first semiconductor die 104 shown in FIG. 3A includes an oxide layer 302 (e.g., thermal silicon oxide) positioned between passivation layer 134 and isolation barrier 116 .
この実施形態では、図３Ａに示す第１の半導体ダイ１０４は、パッシベーション層１３４と絶縁バリア１１６との間に位置付けられた酸化物層３０２（例えば、熱酸化シリコン）を含む。

The oxide layer 302 may include one or more electrical connections 304 , which may act as an underpath through the oxide layer 302 and couple isolator component 110 to contact 306 .
酸化物層３０２は、酸化物層３０２を貫通するアンダーパスとして作用し、絶縁体構成要素１１０を接点３０６に結合することができる１つ以上の電気的接続３０４を含むことができる。

Via 402 may extend through circuitry layer 130 and connect isolator component 110 to contact 404 .
ビア４０２は、回路層１３０を貫通して延在し、絶縁体構成要素１１０を接点４０４に接続することができる。

Via 402 may include silicon, although other materials may be implemented. Contact 404 may electrically couple with circuitry layer 130 (e.g., circuit 114 ).
ビア４０２は、シリコンを含むことができるが、他の材料を実装することもできる。接点４０４は、回路層１３０（例えば、回路１１４）と電気的に結合することができる。

US10504236
[0041] Example implementations of the present disclosure are applicable to a number of different battery tests, such as those in which a battery is punctured (a puncture test) or heated (an overheat test).
【００３７】
  本開示の例示の実装形態は、バッテリが穿孔されるもの（釘刺し試験）または加熱されるもの（過熱試験）といった、数々の異なるバッテリ試験に適用可能である。

A puncture test can vary on how much the battery is damaged (e.g., dent, partial puncture, puncture through all layers),
釘刺し試験は、バッテリがどれほど損傷されるか（例えばくぼみか、部分的な穿孔か、全ての層を貫通する穿孔か）、

what punctures the battery (e.g., puncture rod with step-motor driver),
何を用いてバッテリを穿孔するか（例えばステップモータドライバ付きの穿孔ロッドか）、

and the state of charge of the battery prior to the experiment (e.g., 50% charged, 100% charged).
及び実験に先立つバッテリの充電状態（例えば５０％充電か、１００％充電か）によって、様々であり得る。